【技术实现步骤摘要】
一种用于功率晶体管的控制谐波阻抗的内匹配结构
本专利技术涉及功率器件领域,具体涉及一种用于功率晶体管的控制谐波阻抗的内匹配结构。
技术介绍
功率器件,主要是基于RFLDMOS结构的功率器件,通常包含以下部分:功率器件管芯,通常是RFLDMOS管芯,输入内匹配电容、输出内匹配电容,如图1和2所示,L1、L2、L3和L4是键合线电感,C1和C2是MOSCAP电容,M1是功率器件管芯,输入用的是T型匹配,输出用的是L型匹配。在上述功放晶体管的设计中,都假定功率晶体管的输出电容很大,所有的谐波分量都被输出电容给滤掉了,谐波的成分都为0。但是随着现在工艺技术的发展和管芯设计水平的进步,功率晶体管的功率密度在不断提高。以RFLDMOS晶体管为例,管芯的功率密度从0.4W/mm提高到1.2W/mm。相同的晶体管的输出电容只有原来的1/3。这使得晶体管的谐波成分,没有完全被输出电容给滤除。按照功率放大器的设计理论,如果只利用基波成分,做成的Class-AB类功率放大器,其饱和点的效率,最高只有78%,基波的电压和电流有比较大的叠加,这个叠加变成晶体管自身的热耗,这样严重的降低了功率放大管的效率。但是采用谐波整形的结构,特别是采用基波和二次谐波的叠加,可以大大减小功率晶体管自身的损耗。同时谐波的阻抗是一个纯感性的,不会消耗任何功率。因此采用这种结构,能够提高功率放大器的效率,从Class-AB结构的78%变为Class-J结构的89%,因此,这样可以大幅提高功率晶体管的效率。
技术实现思路
本专利技术目的在于针对现有技术所存在的不足,提供一种用于功率晶体管的控制谐波阻抗的内匹配 ...
【技术保护点】
一种用于功率晶体管的控制谐波阻抗的内匹配结构,包括管芯、连接管芯与输入引脚或者输出引脚的匹配电路,其特征在于,所述匹配电路包括至少一只电容,与输入引脚或者输出引脚通过键合线直接相连的电容与另一端和输入引脚或者输出引脚相连的由键合线构成的电感在晶体管工作频率的两倍处谐振。
【技术特征摘要】
1.一种用于功率晶体管的控制谐波阻抗的内匹配结构,包括管芯、连接管芯与输入引脚或者输出引脚的匹配电路,其特征在于,所述匹配电路包括至少一只电容,与输入引脚或者输出引脚通过键合线直接相连的电容与另一端和输入引脚或者输出引脚相连的由键合线构成的电感在晶体管工作频率的两倍处谐振。2.根据权利要求1所述的用于功率晶体管的控制谐波阻抗的内匹配...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾大杰,尹利娟,张耀辉,
申请(专利权)人:昆山华太电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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