【技术实现步骤摘要】
新型高密度可堆叠封装结构
本专利技术涉及一种新型高密度可堆叠封装结构，属于半导体封装
。
技术介绍
当前PoP的封装形式如图12所示，其制作工艺主要是在底层逻辑基板上堆叠顶层基板封装，利用底层基板上的金属铜柱通过焊球的贴装、回流焊实现两个封装体的堆叠与电性互联。 上述PoP (封装体堆叠封装体)封装结构存在以下不足: 1、底部基板的电性连接铜柱在电镀制作工艺方面受高度与直径尺寸的限制，无法做到高密度设计与制造； 2、底部封装体与顶部封装体之间通过顶层封装体外脚的金属锡球互联，回流焊后金属锡球会产生热变形，顶层封装焊球间距会比回流焊前小，为避免焊球间的短路，所以不能采用顶层封装为Fine Pitch (细间距)的封装堆叠； 3、基板封装体堆叠如果为减小球间距采用多颗小金属锡球堆叠进行互联，在贴装堆叠的过程中对位困难，容易造成精度偏差或是上球体滑落，造成开路或短路影响贴装良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种新型高密度可堆叠封装结构及制作方法，它组合使用电镀及激光钻孔方式提高基板设计与制造的精度，可实现Fine pitch(细间距)的封装体堆叠，提高了封装体的安全性和可靠性。 本专利技术的目的是这样实现的:一种新型高密度可堆叠封装结构，它包括金属引线框架或基板，所述金属引线框架或基板正面贴装有芯片，所述芯片周围设置有铜柱，所述铜柱顶部设置有锡柱，所述铜柱、芯片和锡柱外围区域包封有塑封料，所述塑封料的高度超过锡柱的高度，所述锡柱顶部区域开设有安装孔。 与现有技术相比，本专利技术具有以...
【技术保护点】
一种新型高密度可堆叠封装结构，其特征在于：它包括金属引线框架或基板（5），所述金属引线框架或基板（5）正面贴装有芯片（3），所述芯片（3）周围设置有铜柱（2），所述铜柱（2）顶部设置有锡柱（4），所述铜柱（2）、芯片（3）和锡柱（4）外围区域包封有塑封料（1），所述塑封料（1）的高度超过锡柱（4）的高度，所述锡柱（4）顶部区域开设有安装孔（6）。
【技术特征摘要】
1.一种新型高密度可堆叠封装结构，其特征在于:它包括金属引线框架或基板(5)，所述金属弓I线框架或基板(5 )正面贴装有芯片(3 )，所述芯片(3 )周围设置有铜柱(2 )，所述铜...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈灵芝，郁科锋，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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