本发明专利技术提供了一种多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，具体步骤包括：将多晶硅片用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，在多晶硅片上形成PN结，对多晶硅片进行背面刻蚀，用PECVD进行镀膜，印刷背电极、背电场和正电极，烧结，得到多晶硅太阳能电池。本发明专利技术通过调整制绒与镀膜工艺使得多晶太阳能电池片做成组件后可以与单晶电池片做成的组件外观一致，颜色统一，且看不到多晶的晶界。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，具体步骤包括：将多晶硅片用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，在多晶硅片上形成PN结，对多晶硅片进行背面刻蚀，用PECVD进行镀膜，印刷背电极、背电场和正电极，烧结，得到多晶硅太阳能电池。本专利技术通过调整制绒与镀膜工艺使得多晶太阳能电池片做成组件后可以与单晶电池片做成的组件外观一致，颜色统一，且看不到多晶的晶界。【专利说明】—种多晶硅太阳能电池制造工艺
本专利技术涉及一种具有单晶组件外观的多晶硅太阳能电池制造工艺，属于太阳能电池生产制作
。
技术介绍
目前，采用多晶硅太阳能电池的组件外观呈现蓝色且表面晶界明显，而采用单晶硅太阳能电池的组件外观呈现深蓝色且表面没有晶界，所以从外观上单晶电池的组件远远好于多晶电池片的组件。为了使组件做成的电池美观，对多晶硅电池要求按照深蓝色、蓝色、浅蓝色等多种颜色，并且组件也要按照电池片的颜色来分类，以达到美观的要求。但外观上还是远不如单晶电池的组件。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种具有单晶组件外观的多晶硅太阳能电池制造工艺。 为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，具体步骤包括:将多晶硅片用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，在多晶硅片上形成PN结，对多晶硅片进行背面刻蚀，用PECVD进行镀膜，印刷背电极、背电场和正电极，烧结，得到多晶硅太阳能电池；其中，所述的多晶制绒的具体步骤包括:将多晶硅片在含有氢氟酸和硝酸的制绒液在4°C ±0.5°C的条件下进行制绒，所述的制绒液中氢氟酸的重量浓度为7.5%±0.5%，硝酸的重量浓度为38% ±0.5%，碱洗，酸洗，并吹干，:所述的用PECVD进行镀膜的具体步骤包括:采用氨气与硅烷作为反应气体，氨气与硅烷的流量比例控制在2.8: I? 3.2: 1，膜的厚度为70nm±2nm，折射率为2.10±0.02 (膜厚折射率采用椭偏仪测试)。 优选地，对于156mm*156mm规格的多晶硅片，制绒过程中的减重控制在 0.38g±0.02go 优选地，所述的碱洗是采用重量浓度为7.0% ±0.5%的氢氧化钾溶液洗涤。 优选地，所述的酸洗是依次采用重量浓度为7.5% ±0.5%的氢氟酸溶液和重量浓度为11% ±0.5%的盐酸溶液洗涤。 优选地，所述的多晶制绒过程中，在制绒液中添加制绒添加剂。 优选地，所述的PECVD为板式PECVD。 优选地，所述的用PECVD进行镀膜时，所得的膜呈现紫红色。 与现有技术相比，本专利技术的有益效果是: 1、本专利技术通过调整制绒与镀膜工艺使得多晶太阳能电池片做成组件后可以与单晶电池片做成的组件外观一致，颜色统一，且看不到多晶的晶界。 2、本专利技术在制绒过程中使用制绒添加剂，效果更佳。 3、本专利技术中使用板式PECVD可以控制膜厚与折射率的均匀性。 【具体实施方式】 为使本专利技术更明显易懂，兹以优选实施例作详细说明如下。 实施例1 一种多晶硅太阳能电池制造工艺，具体步骤包括: 步骤1:将多晶硅片用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，所述的多晶制绒的具体步骤包括:配制制绒液300L，所述的制绒液由氢氟酸、硝酸和水组成，所述的制绒液中氢氟酸的重量浓度为7.47%，硝酸的重量浓度为37.9%，在上述的制绒液中添加制绒添加剂(湖州三峰能源科技有限公司生产的多晶添加剂)4L，将多晶硅片在添加有制绒添加剂的制绒液中在4°C ±0.5°C的条件下进行制绒2分钟，每3小时加IL制绒添加剂，制绒后采用重量浓度为6.92%的氢氧化钾溶液洗涤，再依次采用重量浓度为7.35%的氢氟酸溶液和重量浓度为11.1 %的盐酸溶液洗漆,吹干,制绒过程中的减重控制在0.385g (对应156mm*156mm规格的多晶硅片)，此时氢氟酸过量，绒面发暗，并且晶界模糊不发亮，另外不可出现黑丝。 步骤2:用磷源三氯氧磷进行扩散，扩散温度为830°C，在多晶硅片上形成PN结，用重量浓度为11.9%的氢氟酸溶液进行洗磷，此步骤与传统工艺一致； 步骤3:用氢氟酸和硝酸的混合溶液在6°C对多晶硅片进行背面刻蚀以去除背面的PN结，所述的混合溶液中氢氟酸的重量浓度为5.3%，硝酸的重量浓度为53.5%，此步骤与传统工艺一致； 步骤4:使用板式PECVD对多晶硅片的绒面进行镀膜，所述的用PECVD进行镀膜的具体步骤包括:采用氨气与硅烷作为反应气体，氨气与硅烷的流量比例控制在3: 1，膜的厚度为71nm，折射率为2.11 (膜厚折射率采用椭偏仪测试)，膜厚与折射率需要精确控制，此时膜的颜色呈现紫红色。 步骤5:印刷背电极、背电场和正电极，在935°C烧结2?3s，此步骤与传统工艺一致； 步骤6:测试效率，分选包装。所得的多晶硅太阳能颜色统一，且看不到多晶的晶界。所述的多晶硅太阳能电池制造工艺通过调整制绒与镀膜工艺使得多晶太阳能电池片做成组件后可以与单晶电池片做成的组件外观一致。【权利要求】1.一种多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，具体步骤包括:将多晶硅片用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，在多晶硅片上形成PN结，对多晶硅片进行背面刻蚀，用PECVD进行镀膜，印刷背电极、背电场和正电极，烧结，得到多晶硅太阳能电池；其中，所述的多晶制绒的具体步骤包括:将多晶硅片在含有氢氟酸和硝酸的制绒液在4°C ±0.5°C的条件下进行制绒，所述的制绒液中氢氟酸的重量浓度为7.5% ±0.5%，硝酸的重量浓度为38%±0.5 %，碱洗，酸洗，并吹干；所述的用PECVD进行镀膜的具体步骤包括:采用氨气与硅烷作为反应气体，氨气与硅烷的流量比例控制在2.8: I?3.2: 1，膜的厚度为70nm±2nm，折射率为2.10 ± 0.02。2.如权利要求1所述的多晶娃太阳能电池制造工艺，其特征在于，对于156mm*156mm规格的多晶硅片，制绒过程中的减重控制在0.38g±0.02g。3.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述的碱洗是采用重量浓度为7.0% ±0.5%的氢氧化钾溶液洗涤。4.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述的酸洗是依次采用重量浓度为7.5% ±0.5%的氢氟酸溶液和重量浓度为11% ±0.5%的盐酸溶液洗涤。5.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述的多晶制绒过程中，在制绒液中添加制绒添加剂。6.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述的PECVD为板式PECVD07.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述的用PECVD进行镀膜时，所得的膜呈现紫红色。【文档编号】H01L31/18GK104241449SQ201410475616【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年9月18日 优先权日:2014年9月18日 【专利技术者】孙波远 申请人:百力达太阳能股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，具体步骤包括：将多晶硅片用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，在多晶硅片上形成PN结，对多晶硅片进行背面刻蚀，用PECVD进行镀膜，印刷背电极、背电场和正电极，烧结，得到多晶硅太阳能电池；其中，所述的多晶制绒的具体步骤包括：将多晶硅片在含有氢氟酸和硝酸的制绒液在4℃±0.5℃的条件下进行制绒，所述的制绒液中氢氟酸的重量浓度为7.5％±0.5％，硝酸的重量浓度为38％±0.5％，碱洗，酸洗，并吹干；所述的用PECVD进行镀膜的具体步骤包括：采用氨气与硅烷作为反应气体，氨气与硅烷的流量比例控制在2.8∶1～3.2∶1，膜的厚度为70nm±2nm，折射率为2.10±0.02。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙波远，
申请(专利权)人：百力达太阳能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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