处理衬底的方法技术

本发明专利技术提供一种处理衬底的方法，其包含：将第一衬底对齐以具有第一衬底起始位置，从而允许在第一衬底上形成的对齐标记与预设参考点匹配；将激光束辐射到第一衬底的结晶目标区域并且在第一衬底往复运动的同时形成结晶图案；取决于第一衬底的结晶图案的边缘与对齐标记的中心点之间的距离计算校正偏差并且计算通过反映校正偏差获得的校正参考点；以及，在将第一衬底放置到外部后，对齐第二衬底以允许将第二衬底的对齐标记放置到腔室中以与校正参考点匹配。

【技术实现步骤摘要】
处理衬底的方法
本专利技术涉及一种使衬底对齐及结晶的处理衬底的方法，并且更确切地说，涉及一种能够使激光束的结晶图案得到精确放置的处理衬底的方法。
技术介绍
使衬底结晶的方法包含顺序横向固化(sequentiallateralsolidification，SLS)和准分子激光退火(eximerlaserannealing，ELA)技术。SLS技术诱导横向生长以获得类似于单晶的晶体，并且通过使用所述技术获得的晶体具有巨大的场效应迁移率。然而，由于辐射激光束是高能量依赖性的，所以处理裕度(processmargin)不好，并且由于放置衬底的平台的精确度对处理有极大的影响，所以存在难以在整个衬底上获得均匀结果的局限性。ELA技术诱导垂直生长并且其结晶特征与SLS技术相比是较差的，但是由于ELA技术具有整个衬底上的均匀性极好的优势，所以该技术已得到广泛使用。常用的ELA装置包含：处理室；衬底传送单元，其安装在所述处理室中、固持衬底并且按照处理进行的顺序水平地移动所述衬底；透明窗户，其安装在处理室的上部部分上；激光模块，其布置在处理室外部并且发射激光束；以及反射器，其布置在处理室外部的透明窗户上方并且将从激光模块中朝向透明窗户发射的激光束。下文中简单地描述了使用ELA装置的结晶方法。首先，当激光束从激光发生器中发射时，激光束由反射器反射、穿过透明窗户、随后进入衬底的表面。举例来说，可以使用在其上表面具有非晶硅层的衬底并且当激光束辐射到所述非晶硅层时，所述非晶硅层变为液态，发生固化且结晶，因此形成多晶硅层。在这种情况下，为了使多个衬底能够连续地结晶，辐射激光束同时水平地移动衬底。如图1中所示，其示出了将激光束辐射到衬底的表面并且执行结晶化、固定激光束模块并且随后辐射激光束同时衬底S向前且向后往复运动若干次，因此在衬底上形成结晶图案的方法。由于衬底的往复运动，多个激光束可以重复地辐射到结晶图案。当激光束首先辐射到第一区段时，衬底经放置使得衬底的对齐标记放置在激光束的宽度的中心线上，并且随后激光束依次辐射到结晶目标区域。也就是说，通过对齐衬底使得对齐标记的中心点与预设参考点匹配，可以将衬底的对齐标记放置在激光束的宽度的中心线上。然而，由于激光模块的光学特征变化，存在以下局限性：随着时间的流逝，对齐标记离开结晶目标区域并且经历移位和旋转等变动，在这种状态下形成结晶图案。举例来说，当假定由虚线形成的部分是在其中执行选择性结晶的结晶目标区域时，可以看到，进行激光束处理、随着时间的流逝激光束辐射到结晶目标区域1之外，且因此发生结晶图案2a的移位，如图2(a)中所示。并且，如图2(b)中所示，可以看到，进行激光束处理、随着时间的流逝激光束以某一角度辐射到结晶目标区域1之外，并且因此发生结晶图案2b的旋转。由于激光束的连续振荡引起的激光束模块的特征变化，因此随着时间的流逝发生移位和旋转等激光束的变动。也就是说，由于连续振荡引起的激光路径上的振荡器或反射器的热变形，因此发生激光束的变动。然而，虽然执行了激光束处理，但是通常变动尚未得到改进。已经进行了被动测量，其是在激光束辐射到多个衬底之后，对激光束的变动水平进行测量并且对原因进行分析。也就是说，在激光束依次辐射到多个衬底的同时，忽略激光束的变动位移水平并且辐射激光束以执行结晶化。因此，在完成激光束处理之后，由于激光束的变动，衬底上的非结晶目标区域的部分发生结晶化，并且因此存在产品质量降低的局限性。专利文献专利文献1：第2012-0111759号韩国专利公开案
技术实现思路
本专利技术提供了用于使衬底结晶的对齐衬底的方法。本专利技术还提高了在执行衬底的选择性结晶时位置精确度。本专利技术还改进由激光束的特征变化引起的激光束的旋转或移位。根据一个示例性实施例，一种处理衬底的方法包含：将第一衬底对齐以具有第一衬底起始位置，从而允许在第一衬底上形成的对齐标记与预设参考点匹配；将激光束辐射到第一衬底的结晶目标区域并且在第一衬底往复运动的同时形成结晶图案；取决于第一衬底的结晶图案的边缘与对齐标记的中心点之间的距离计算校正偏差并且计算通过反映校正偏差获得的校正参考点；以及在将第一衬底放置到外部后，对齐第二衬底以允许将第二衬底的对齐标记放置到腔室中以与校正参考点匹配。校正参考点的计算可以包含：在第一衬底的结晶目标区域上的结晶图案化完成后，使第一衬底返回到第一衬底起始位置；识别返回到第一衬底起始位置的第一衬底的结晶图案和对齐标记的位置；测量结晶图案的边缘与对齐标记的中心点之间的距离；取决于所述距离计算校正偏差；并且将校正偏差添加到参考点以计算校正参考点。所述距离的测量可以包含：测量结晶图案的一个边缘与对齐标记的中心点之间的距离以及结晶图案的另一边缘与对齐标记的中心点之间的另一距离。校正偏差的计算可以包含将所述距离与所述另一距离之间的差值除以2。参考点的校正可以包含：将校正偏差添加到参考点或者从参考点中减去校正偏差，以允许校正参考点的位置移动到具有所述距离和所述另一距离当中的较大值的边缘。所述方法可以进一步包含在对齐第一衬底前将第一衬底放置到腔室中；并且在第一衬底上标示(indexing)所述对齐标记。返回到衬底起始位置的第一衬底的结晶图案和对齐标记的位置的识别可以包含：通过CCD传感器捕获返回到第一衬底起始位置的第一衬底并且通过使用第一衬底的所捕获图像识别所述位置。所述第一衬底可以包含多个区段并且对齐标记针对每个区段形成。可以在每个区段上执行第一衬底的对齐、结晶图案的形成、校正参考点的计算以及第二衬底的对齐。附图说明通过结合附图进行的以下描述可以更详细地理解示例性实施例，其中：图1示出了将激光束辐射到衬底的表面并且执行结晶的方法。图2(a)和图2(b)示出了如何在衬底的结晶图案上发生变动。图3示出了根据本专利技术的一个实施例的用于激光束结晶的衬底处理装置。图4是根据本专利技术的一个实施例的校正变动的过程的流程图。图5(a)到图5(g)是根据本专利技术的一个实施例的校正变动和辐射激光束的衬底处理过程的流程图。图6示出了根据本专利技术的一个实施例执行选择性结晶的方法。图7(a)和图7(b)表示根据本专利技术的一个实施例的结晶图案的边缘与对齐标记的中心点之间的距离。图8(a)和图8(b)示出了根据本专利技术的一个实施例当在结晶图案的中心轴的左侧存在对齐标记时找到校正参考点并且移动衬底的方法。图9(a)和图9(b)示出了根据本专利技术的一个实施例当在结晶图案的中心轴的右侧存在对齐标记时找到校正参考点并且移动衬底的方法。图10(a)到图10(c)示出了根据本专利技术的一个实施例在包含三个区段的衬底的每个区段上执行选择性结晶的方法。具体实施方式下文中参考附图更详细地描述了本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以用不同形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。实际上，提供这些实施例是为了使得本专利技术透彻并且完整，并且这些实施例将把本专利技术的范围完整地传达给所属领域的技术人员。附图中的相同标号指代相同组件。图3示出了根据本专利技术的一个实施例的用于激光束结晶的衬底处理装置。用于激光束结晶的衬底处理装置将激光束辐射到衬底以执行激光结晶，用于在衬底S上形成的薄膜的结晶。衬底处理装置包含：处理室100；衬底传送单元120，其安装在所述处理室100中、固持衬底S并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理衬底的方法，所述方法包括：将第一衬底对齐以具有第一衬底起始位置，从而允许在所述第一衬底上形成的对齐标记与预设的参考点匹配；将激光束辐射到所述第一衬底的结晶目标区域并且在所述第一衬底往复运动的同时形成结晶图案；取决于所述第一衬底的所述结晶图案的边缘与所述对齐标记的中心点之间的距离计算校正偏差并且计算通过反映所述校正偏差获得的校正参考点；以及在将所述第一衬底放置到外部后，对齐第二衬底以允许将所述第二衬底的对齐标记放置到腔室中以与所述校正参考点匹配。

【技术特征摘要】
2013.06.14 KR 10-2013-00683651.一种处理衬底的方法，所述方法包括：将第一衬底对齐以具有第一衬底起始位置，从而允许在所述第一衬底上形成的对齐标记与预设的参考点匹配；将激光束辐射到所述第一衬底的结晶目标区域并且在所述第一衬底往复运动的同时形成结晶图案；在所述第一衬底的所述结晶目标区域上的结晶图案化完成后，使所述第一衬底返回到所述第一衬底起始位置以及识别返回到所述第一衬底起始位置的所述第一衬底的所述结晶图案和所述对齐标记的位置，以根据所述第一衬底的所述结晶图案的边缘与所述对齐标记的中心点之间的距离计算校正偏差，从而计算通过反映所述校正偏差获得的校正参考点；以及在将所述第一衬底放置到外部后，对齐第二衬底以允许将所述第二衬底的对齐标记放置到腔室中以与所述校正参考点匹配。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述校正参考点的计算还包括：测量所述结晶图案的所述边缘与所述对齐标记的所述中心点之间的所述距离；取决于所述距离计算所述校正偏差；以及将所述校正偏差添加到所述参考点以计算所述校正参考点。3.根据权利要求2所述的方法，其中测量所述距离包括：测量所述结晶图案的一个边缘与所述对齐标记的所述中心点之间的距离以及所述结晶图案的另一边缘与所述对齐标记的所述中心点...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏二彬，崔均旭，黄润镐，
申请(专利权)人：AP系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR