本实用新型专利技术公开了一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，该装置属晶体生长技术领域。它包括一个闭合的不含观察窗(6)的均匀加热场系统(1)，在加热场系统(1)内高中温结合部设一无加热体的空置区(3)，在安瓿反应室(5)一端设一可控砷压仓(4)。从而使热场分布更加均匀，垂向和径向温度梯度都变得更易控制，砷压可随机控制，使晶体具备优异化学计量比，成晶率重复性增加，从而使产品质量明显提高。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，该装置属晶体生长
。它包括一个闭合的不含观察窗（6)的均匀加热场系统(I)，在加热场系统（I)内高中温结合部设一无加热体的空置区（3)，在安瓿反应室（5)—端设一可控砷压仓（4)。从而使热场分布更加均匀，垂向和径向温度梯度都变得更易控制，砷压可随机控制，使晶体具备优异化学计量比，成晶率重复性增加，从而使广品质量明显提局。【专利说明】一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置
： 本技术涉及晶体生长领域，特别是一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置。
技术介绍
： 中国专利CN101063233B公开了一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备，它 在传统的生长设备基础上进行了更新，提高了成晶率。但是由于在筒型热场装置上面开 了用于观察的视窗，造成热量大量外泄，致使热系统变得不均匀，导致垂向温度梯度不易控 制。籽晶腔下部设一砷压腔，使得在晶体生长过程中砷压随着籽晶腔所在温区温度不断变 化而变化，致使砷压不稳，化学计量比偏离，使成晶重复性变差。
技术实现思路
： 本技术需要解决的技术问题是：克服
技术介绍
的不足，提供一种热系统更加 稳定，砷压控制良好，晶体有严格化学计量比，成晶重复性好的新型晶体生长装置。 本技术的技术方案是以如下方式完成的：它包括一个闭合的不含观察窗的均 匀加热场装置，其特征在于在闭合的加热场装置内高中温结合部设一空置区，空置区只填 充保温材料不设置加热体。在安瓿反应室一端设一砷压随机可控的砷压仓。 本技术因加热场装置是闭合式的，不易造成窗口热量流失过大，设置了不含 加热体的空置区可使生长界面附近的结晶潜热得到适当散发，垂向和径向温度梯度都变得 更易控制，整个加热场热分布更加均匀。由于单独设置了砷压仓，砷压不再随籽晶腔温度变 化而变化，在整个晶体生长工艺过程中都使砷压得到了随机调整控制，始终使砷压保持在 各个工艺段要求的范围内。这使得晶体具备优异的化学计量比，成晶率重复性大大增加，从 而使产品质量得到明显提高。 【专利附图】【附图说明】： 下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。 图1是现有技术加热场装置结构示意图。 图2是本技术加热场装置结构示意图。 图中1.加热场系统，2.固液生长界面,3.空置区,4.砷压仓,5.安瓶反应室.6.观 察窗。 【具体实施方式】： 本技术是对现有技术的改进。从图1和图2可以看出，本技术设置了一 个闭合的不含观察窗6的加热场系统1，在整个工艺过程中晶体在一闭合的加热场系统1中 生长。在高中温结合部增加了一空置区3,空置区3内有固液生长界面2的图像传感器。在 安瓿反应室5设一单独砷压仓4,砷压仓4具有独立的温控系统，在晶体生长工艺过程中，无 加热体空置区3既可调整热场均匀性，又可在工艺不稳定的情况下观察固液生长界面2的 生长状况并作及时调整。引晶放肩工艺段砷压仓4处于中温区无需加热，进入等径生长阶 段启动砷压仓4控制系统并实时控制，始终使砷压保持在工艺段要求的范围内。这使得晶 体具备优异的化学计量比，加上均匀的热场，使成晶率重复性大大增加，产品质量得到明显 提尚。【权利要求】1. 一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，它包括一个闭合的不设视窗的均匀加热场装 置，其特征在于：在闭合的加热场装置内高中温结合部设一空置区，空置区只填冲保温材料 不设置加热体。2. 根据权利要求1所述的一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，其特征在于：在闭合 的加热场装置内的安瓿反应室一端设一可控砷压仓。【文档编号】C30B35/00GK204023003SQ201420238426【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年5月12日 优先权日:2014年5月12日 【专利技术者】郑婧鹏 申请人:郑婧鹏本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，它包括一个闭合的不设视窗的均匀加热场装置，其特征在于：在闭合的加热场装置内高中温结合部设一空置区，空置区只填冲保温材料不设置加热体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑婧鹏，
申请(专利权)人：郑婧鹏，
类型：新型
国别省市：河南;41
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。