提高芯片同测的芯片排布方法技术

技术编号:10790853 阅读:89 留言:0更新日期:2014-12-17 19:58
本发明专利技术公开了一种提高芯片同测的芯片排布方法,包括:1)将硅片上的芯片按映射的方式进行芯片放置;2)将相邻芯片的PAD连接在一起,形成一个芯片组;3)探针扎针时,只扎构成步骤2)的芯片组中的其中一个芯片;4)将一个芯片组中的每个芯片地址线设定不同的电平;5)通过芯片的不同地址信息,对构成同一芯片组中的不同芯片进行测试;6)通过划片,将划片槽中的连接线划断,分离,形成独立芯片。本发明专利技术可以解决小芯片探卡制作的难题,并能提高小芯片硅片的同测数量以及提高测试效率、降低测试成本等。

【技术实现步骤摘要】
提高芯片同测的芯片排布方法
本专利技术涉及一种半导体领域中的芯片排布方法,特别是涉及一种提高芯片同测的芯片排布方法。
技术介绍
随着芯片技术的发展,一张硅片上的芯片数量越来越多、也越来越小。然而,传统芯片在硅片中放置的方式,如图1所示,都是一个方向。因此,会造成测试时间越来越长,而探针卡也越来越难制作,因为探针间隔过小将无法排针。另外,碰到小芯片的情况,一般通过减少同测数量来降低制作探卡的难度,但这也造成了测试时间更加变长。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种提高芯片同测的芯片排布方法。通过该方法,可解决对小芯片测试探卡制作的困难以及提高同测数量。为解决上述技术问题,本专利技术的提高芯片同测的芯片排布方法,包括步骤:1)将硅片上的芯片按映射的方式进行芯片放置;2)将相邻芯片的PAD连接在一起,形成一个芯片组;3)探针扎针时,只扎构成步骤2)的芯片组中的其中一个芯片;4)将一个芯片组中的每个芯片地址线设定不同的电平;5)通过芯片的不同地址信息,对构成同一芯片组中的不同芯片进行测试;6)通过划片,将划片槽中的连接线划断,分离,形成独立芯片。所述步骤1)中,映射的方式为对称旋转的方式。所述步骤4)中,芯片地址线以不同的连接方式进行连接。所述步骤5)中,对构成同一芯片组中的2-4个相邻芯片进行测试。所述步骤5)中,还包括:将测试结果通过分BIN(失效内容编号)来复原出原始的芯片图。本专利技术通过改变芯片的排布以及芯片间的连接,来实现将2个或四个芯片合并成一个芯片,即将相邻芯片映射放置,以便于芯片之间的PAD连接。因此,本专利技术可以解决小芯片探卡制作的难题,并能提高小芯片硅片的同测数量以及提高测试效率、降低测试成本等。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明:图1是传统芯片在硅片中放置的方式示意图;图2是本专利技术的芯片放置方式示意图;图3是本专利技术的芯片间连线方式示意图。其中,a0、a1、a2为地址线,clk为时钟线,sda为数据线,vdd为电源线。具体实施方式本专利技术的提高芯片同测的芯片排布方法,包括步骤:1)将硅片上的芯片按映射的方式(如对称旋转的方式)进行芯片放置(如图2所示);2)将相邻芯片的PAD连接在一起,形成一个芯片组,例如,如图3所示,通过两个芯片的连线,将该两个芯片组成一个芯片组;3)探针卡只要将连接在一起的芯片组作为一个整体芯片(大芯片),探针扎针时,只扎构成步骤2)的芯片组中的其中一个芯片;4)将一个芯片组中的每个芯片地址线设定不同的电平,并且芯片地址线连接不同的连接(即芯片地址线以不同的连接方式进行连接);5)通过芯片的不同地址信息(即根据不同的地址线设定),发送不同的指令,从而对构成同一芯片组中的不同芯片进行测试,如可对构成同一芯片组中的2-4个相邻芯片进行测试;另外,还可将测试结果通过分BIN(失效内容编号)来复原出原始的芯片图;6)通过划片,将划片槽中的连接线划断,从而将构成的芯片组(大芯片)分离,形成独立芯片。按照上述方法,能减小制作探针卡的难度与提高同测芯片的数量,从而能有效降低测试成本和提高测试效率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高芯片同测的芯片排布方法,其特征在于,包括步骤:1)将硅片上的芯片按映射的方式进行芯片放置;2)将相邻芯片的PAD连接在一起,形成一个芯片组;3)探针扎针时,只扎构成步骤2)的芯片组中的其中一个芯片;4)将一个芯片组中的每个芯片地址线设定不同的电平;5)通过芯片的不同地址信息,对构成同一芯片组中的不同芯片进行测试;6)通过划片,将划片槽中的连接线划断,分离,形成独立芯片。

【技术特征摘要】
1.一种提高芯片同测的芯片排布方法,其特征在于,包括步骤:1)将硅片上的芯片按映射的方式进行芯片放置;2)将相邻芯片相对应的PAD连接在一起,形成一个芯片组;3)探针扎针时,只扎构成步骤2)的芯片组中的其中一个芯片;4)将一个芯片组中的每个芯片地址线设定不同的电平,并且芯片地址线以不同的连接方式进行连接;5)通过芯片的不同地址信息,对构成同一芯片组中的不同芯片进行测...

【专利技术属性】
技术研发人员:武建宏
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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