阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板技术

本发明专利技术公开一种阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板，涉及显示装置技术，解决隔垫物与阵列基板贴合时易产生静电，从而对液晶的控制造成干扰，影响显示效果的问题。阵列基板的制造方法，包括：1，在基板上形成栅极；2，在栅极上依次形成栅极绝缘层，有源层以及源、漏极；3，在源、漏极上形成钝化层，并在相应位置形成过孔；4，在钝化层上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；5，对第一光刻胶层进行曝光、显影，在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；6，沿第一图案化光刻胶层对导电材料层进行刻蚀，形成像素电极；7，对基板进行曝光、显影，去除第一图案化光刻胶层。本发明专利技术主要用于显示装置生产中。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板，涉及显示装置技术，解决隔垫物与阵列基板贴合时易产生静电，从而对液晶的控制造成干扰，影响显示效果的问题。阵列基板的制造方法，包括：1，在基板上形成栅极；2，在栅极上依次形成栅极绝缘层，有源层以及源、漏极■’3，在源、漏极上形成钝化层，并在相应位置形成过孔；4，在钝化层上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；5，对第一光刻胶层进行曝光、显影，在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；6，沿第一图案化光刻胶层对导电材料层进行刻蚀，形成像素电极；7，对基板进行曝光、显影，去除第一图案化光刻胶层。本专利技术主要用于显示装置生产中。【专利说明】阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板
本专利技术涉及显示装置
，尤其涉及一种阵列基板的制造方法及应用其制造 的阵列基板。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显不 器）具有高响应度、高亮度和高对比度等优点，备受人们的青睐，已成为显示装置中的主流 产品。 其中，TFT-IXD显示器主要包括液晶盒，该液晶盒的下玻璃基板（阵列基板）上设 置TFT，上玻璃基板（彩膜基板）上设置彩色滤光片，通过电场对液晶的作用以及TFT上信 号的改变来控制液晶分子的转动方向，从而达到显示的目的。现有技术中，彩膜基板上设有 支撑液晶盒的隔垫物，该隔垫物通过在彩膜基板上涂敷光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影 等工艺，从而形成隔垫物，以隔离出注入液晶的空间。 然而，在阵列基板和彩膜基板对盒形成液晶盒的过程中，由于隔垫物需要与阵列 基板表面相贴合，则存在摩擦，易产生静电，从而对液晶的控制造成干扰，影响显示效果，例 如产生蓝点不良等。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板，解决了隔垫物与 阵列基板贴合时易产生静电，从而对液晶的控制造成干扰，影响显示效果的问题。 为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案： -种阵列基板的制造方法，包括：步骤1，在基板上形成栅极；步骤2,在所述栅极 上沉积形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成源、漏极以及连接所述源、漏极的有源 层；步骤3,在完成步骤2的所述基板上形成钝化层，同时在所述钝化层上相应位置形成过 孔；步骤4,在完成步骤3的所述基板上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；步骤5,使用 掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第 一图案化光刻胶层；步骤6,沿所述第一图案化光刻胶层对所述导电材料层进行刻蚀，形成 像素电极；步骤7,使用掩膜版对完成步骤6的所述基板进行曝光、显影，去除所述第一图案 化光刻胶层。 具体地，所述步骤1具体包括：步骤11，在所述基板上通过金属溅射工艺形成第一 金属材料层，在所述第一金属材料层上涂敷第二光刻胶层；步骤12,使用掩膜版对所述第 二光刻胶层进行曝光、显影，形成第二图案化光刻胶层；步骤13,沿所述第二图案化光刻胶 层对所述第一金属材料层进行刻蚀，形成所述栅极，同时形成栅线；步骤14,剥离所述第二 图案化光刻胶层。 其中，所述步骤13中的刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。 具体地，所述步骤2具体包括：步骤21，在所述栅极和栅线上通过气相沉积形成所 述栅极绝缘层；步骤22,在所述栅极绝缘层上通过气相沉积形成有源材料层，在所述有源 材料层上涂敷第三光刻胶层；步骤23,使用掩膜版对所述第三光刻胶层进行曝光、显影，形 成第三图案化光刻胶层，沿所述第三图案化光刻胶层对所述有源材料层进行刻蚀，形成有 源层；步骤24,剥离所述第三图案化光刻胶层；步骤25,在所述有源层上通过金属溅射工艺 形成第二金属材料层，在所述第二金属材料层上涂敷第四光刻胶层；步骤26,使用掩膜版 对所述第四光刻胶层进行曝光、显影，形成第四图案化光刻胶层；沿所述第四图案化光刻胶 层对所述第二金属材料层进行刻蚀，形成所述源、漏极，以及与所述源极连接的数据线；步 骤27,剥离所述第四图案化光刻胶层。 进一步地，所述步骤3具体包括：步骤31，在完成步骤27的所述基板上通过气相 沉积形成钝化材料层，在所述钝化材料层上涂敷第五光刻胶层；步骤32,使用掩膜版对所 述第五光刻胶层进行曝光、显影，形成第五图案化光刻胶层；步骤33,沿所述第五图案化光 刻胶层对所述钝化材料层进行刻蚀，形成钝化层，同时在所述钝化层上相应位置形成所述 过孔；步骤34,剥离所述第五图案化光刻胶层。 优选地，所述钝化层为氮化硅材质。 其中，所述步骤4具体可以为：步骤4,在完成所述步骤204的所述基板上通过气 相沉积形成导电材料层，在所述导电材料层上涂敷所述第一光刻胶层。 具体地，所述导电材料层为氧化铟锡膜。 一种阵列基板，使用上述所述的阵列基板的制造方法制造而成。 本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法中，首先，在基板上依次形成栅极、 栅极绝缘层、有源层，以及源、漏极和钝化层，并在钝化层上相应位置形成过孔；然后，在钝 化层上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；之后，使用掩膜版对第一光刻胶层进行曝光、 显影，以在非像素区形成隔垫物，与此同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；最后，沿第 一图案化光刻胶层对导电材料层进行刻蚀，以形成像素电极，并使用掩膜版对基板进行曝 光、显影，以去除第一图案化光刻胶层。由此分析可知，本专利技术实施例提供的一种阵列基板 的制造方法中，在形成像素电极的过程中，通过对涂敷的同一光刻胶层进行曝光、显影，以 同时形成隔垫物和导电材料层的图案化光刻胶层，并通过对导电材料层的刻蚀及图案化光 刻胶层的再次曝光、显影，以最后形成像素电极；因此，能够将隔垫物固定设置在阵列基板 上，从而在阵列基板和彩膜基板对盒形成液晶盒的过程中，隔垫物固定在阵列基板表面，不 存在摩擦静电，则不会对液晶的控制造成干扰，以保证显示效果；而且，本专利技术实施例提供 的一种阵列基板的制造方法中，通过对涂敷的同一光刻胶层进行曝光、显影，以同时形成隔 垫物，即隔垫物的形成是使用了形成像素电极时的光刻胶，相比现有技术在彩膜基板上形 成隔垫物，能够减少光刻胶的涂敷次数，从而能够减少光刻胶材料的使用量，降低显示装置 的制造成本；同时能够减少曝光、显影、剥离等工艺流程，进而缩短了显示装置的制造周期， 提1? 了广能。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图； 图2-图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程所对应结构的 剖面示意图； 图9为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法中步骤1的流程图； 图10a至图10d为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法中步骤1的流程 所对应结构的剖面示意图； 图11为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法中步骤2的流程图； 图12为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法中步骤3的流程图； 图13a至图13d为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法中步骤3的流程 所对应结构的剖面示意图。 图中，1为基板；2为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤1，在基板上形成栅极；步骤2，在所述栅极上沉积形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成源、漏极以及连接所述源、漏极的有源层；步骤3，在完成步骤2的所述基板上形成钝化层，同时在所述钝化层上相应位置形成过孔；步骤4，在完成步骤3的所述基板上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；步骤5，使用掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；步骤6，沿所述第一图案化光刻胶层对所述导电材料层进行刻蚀，形成像素电极；步骤7，使用掩膜版对完成步骤6的所述基板进行曝光、显影，去除所述第一图案化光刻胶层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白金超，郭总杰，丁向前，刘晓伟，刘耀，张光明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11