【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种开关电路,包括第一MOSFET和用于控制所述第一MOSFET导通和截止的控制电路,其特征在于,所述第一MOSFET为P沟道型MOSFET;所述控制电路包括第一控制回路和第二控制回路;所述第一控制回路与所述第一MOSFET的栅极连接,用于控制所述第一MOSFET的栅极电平;所述第二控制回路连接在所述第一MOSFET的栅极与源极之间,用于调节所述第一MOSFET的漏极电压的上升时间和下降时间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王成云,张昱,谢永斌,
申请(专利权)人:台达电子电源东莞有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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