开关电路制造技术

技术编号:10748256 阅读:117 留言:0更新日期:2014-12-10 19:17
本实用新型专利技术涉及一种开关电路,包括第一MOSFET和用于控制第一MOSFET导通和截止的控制电路。第一MOSFET为P沟道型MOSFET;控制电路包括第一控制回路和第二控制回路;第一控制回路与第一MOSFET的栅极连接,用于控制第一MOSFET的栅极电平;第二控制回路连接在第一MOSFET的栅极与源极之间,用于调节第一MOSFET的漏极电压的上升时间和下降时间。本实用新型专利技术的开关电路不需要从绕组次级引出参考电压,因此电路体积小、适用范围广。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种开关电路,包括第一MOSFET和用于控制所述第一MOSFET导通和截止的控制电路,其特征在于,所述第一MOSFET为P沟道型MOSFET;所述控制电路包括第一控制回路和第二控制回路;所述第一控制回路与所述第一MOSFET的栅极连接,用于控制所述第一MOSFET的栅极电平;所述第二控制回路连接在所述第一MOSFET的栅极与源极之间,用于调节所述第一MOSFET的漏极电压的上升时间和下降时间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王成云张昱谢永斌
申请(专利权)人:台达电子电源东莞有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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