【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种抗电磁干扰的负离子发生电路，包括一个抗干扰电容，低压部分，变压器，高压部分。其特征在于，低压部分采用过零触发电路；在电源输入端的零线和相线之间并联一个抗干扰电容，用于消除高压脉冲产生的电磁干扰；在变压器次级并联一只高反压二极管，用于消除高压输出部分的正电压，大量提高负氧离子发生量。使用本技术可以有效消除电磁干扰，大幅提高负氧离子的发生量，并且降低开关器件的功率损耗，使负载杂波变小，减少对电路的污染。【专利说明】—种抗电磁干扰的负罔子发生电路
本技术涉及一种负离子发生电路，具体的说，是涉及一种抗电磁干扰的负离子发生电路。
技术介绍
现有负离子发生器所采用的电路多是通过高压尖端放电，电离空气从而产生负氧离子。这种电路虽然能产生负氧离子，但是却存在以下缺陷:1.电路高压输出部分存在感生正电势，会抵消一部分负高压，使负离子发生量减少；2.电路产生的高压脉冲会对同一线路中正在使用的其他电器产生电磁干扰，影响电器正常工作；3.电离空气产生负离子的同时也产生了臭氧。
技术实现思路
本技术正是针对现有负离子发生器电路对电源的电磁干扰、变压器次级存在感生正电势和有臭氧产生等缺陷而提供一种抗电磁干扰的负离子发生电路。 为了实现上述目的，本技术是通过以下方案实现的:一种能产生负离子的发生器电路，包括一个抗干扰电容，低压回路，变压器，高压回路。其特征在于电源输入端并联抗干扰电容Cl、低压回路，高压回路通过变压器Tl与低压回路相连接；所述的低压回路由R2、D3、可控硅SCR的阳极A依次相连，可控硅SCR的控制极G与电阻Rl连接，可控...
【技术保护点】
一种抗电磁干扰的负离子发生电路，由抗干扰电容C1，低压回路，变压器T1，高压回路构成，其特征在于在电源输入端并联抗干扰电容C1、低压回路，高压回路通过变压器T1与低压回路相连接；所述的低压回路由R2、D3、可控硅SCR的阳极A依次相连，可控硅SCR的控制极G与电阻R1连接，可控硅SCR的阴极K与D1、变压器T1初级相连，电容C2的一端与可控硅SCR的阳极A相连，另一端与变压器T1初级相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：田鹏，文杨，王先龙，万昌斌，肖兵，
申请(专利权)人：成都彩虹电器集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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