RF‑LDMOS自对准的漏端场板结构及制作方法技术

技术编号:10715242 阅读:68 留言:0更新日期:2014-12-03 18:17
本发明专利技术公开了一种RF‑LDMOS自对准的漏端场板结构,包括电极层(1)、衬底(2)、外延层(3)、源极‑衬底连接层(4)、漂移区(5)、固定电位区(7)、源极(8)、沟道(9)、漏极(15)、绝缘层(10)、栅极(20)、栅极金属硅化物(21)、源极‑沟道连接区(22),还包括SiO2层(23)、非晶硅(12)和金属硅化物(17);非晶硅(12)包括横向延伸结构和纵向延伸结构,纵向延伸结构与漂移区(5)相接触,横向延伸结构设置在SiO2层(23)上;金属硅化物(17)设置在非晶硅(12)上。本发明专利技术能够提高器件的击穿电压,同时降低热载流子效应,减小静态电流的漂移,显著降低Cds电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及RF-LDMOS (射频横向扩散金属氧化物半导体)领域,尤其涉及一种RF-LDMOS漏端场板结构及其制作方法。
技术介绍
RF LDMOS晶体管的效率,主要取决于晶体管的导通电阻和输出电容。此外,晶体管的视频带宽,也跟晶体管的输出电容,有很大的关系。低的输出电容,可以获得高的视频带宽。如图1所示,晶体管的输出电容,主要取决于漂移区(NLDD)5和漏极15的宽度。漂移区(NLDD)的宽度,是由击穿电压决定,对于28V RF LDMOS器件,通常要求NLDD的宽度是3um。漏极15的宽度由CT34和金属硅化物30决定,金属硅化物30需要完全覆盖CT,并留有一定的余量,漏极15也需要完全覆盖金属硅化物,并留有一定的余量,否则会造成大的漏电。正因为如此,漏极15的宽度通常比较宽,这样严重增加了输出电容。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术的不足,提供一种RF-LDMOS自对准的漏端场板结构及其制作方法。非晶硅包含包括横向延伸结构和纵向延伸结构,横向延伸结构起到了漏极场板的作用,漏端的形成是在沉积非晶硅之前,自对准形成的。非晶硅上面沉积了一层金属硅化物,降低了通孔和非晶硅的导通电阻。 本专利技术采用的技术方案为: 一种RF-LDMOS自对准的漏端场板结构,包括电极层、衬底、外延层、源极-衬底连接层、漂移区、固定电位区、源极、沟道、漏极、绝缘层、栅极、栅极金属硅化物、源极-沟道连接区,其特征在于,还包括SiO2层、非晶硅和金属硅化物; 衬底设置在电极层上,外延层和源极-衬底连接层设置在衬底上,漏极设置在外延层上,固定电位区和沟道设置在源极-衬底连接层上,源极设置在固定电位区上,漂移区设置外延层上,并与沟道相连接,沟道两侧分别连接源极和漂移区;源极-衬底连接层连接源极和衬底; 源极-沟道连接区设置在固定电位区上,绝缘层覆盖在漂移区、沟道和源极上,栅极设置在绝缘层上,栅极金属硅化物设置在栅极上,非晶硅设置在漂移区上,栅极与非晶硅之间设置有SiO2层; 非晶硅一般为L型,包括横向延伸结构和纵向延伸结构,纵向延伸结构与漂移区相接触,横向延伸结构设置在绝缘层上; 金属硅化物设置在非晶硅上,金属硅化物是与外电路连接的端口,它通过非晶硅与漏极相连,即金属硅化物、非晶硅、漏极电连接。绝缘层和绝缘层均绝缘,伸入到非晶硅;非晶硅包括横向延伸结构和纵向延伸结构,这个横向延伸结构起到了漏极场板的作用。漏极是在淀积非晶硅之前利用自对准形成的。在非晶硅上方淀积金属硅化物是为了降低外电路到漏极之间的导通电阻。 衬底的电阻率为0.005-0.05Ω?cm,外延层的电阻率为10-100Ω?cm,外延层的厚度跟击穿电压有关。 源极和漏极的掺杂浓度为1019/cm3以上。 源极-沟道连接区为金属或者是金属硅化物,用来连接源极和固定电位区,从而给沟道一个确定的电位,即源极、源极-沟道连接区和固定电位区7电连接,同时固定电位区与沟道相连接,给沟道一个确定的电位。 横向延伸结构,形成漏极场板,横向延伸结构与SiO2层接触面的长度大于SiO2层和绝缘层厚度之和。这样可以增加漏极边缘的电场强度,使得漂移区的电场分布更加均匀,这样能够提高器件的击穿电压,同时降低热载流子效应,减小静态电流的漂移。 形成漏场板是这个结构所必须要求的特征,这样可以增加漏极边缘的电场强度,使得漂移区的电场分布更加均匀,这样能够提高器件的击穿电压,同时降低热载流子效应,减小静态电流的漂移。 SiO2层和绝缘层与非晶硅的接触面为斜面。在这个情况下,通过对刻蚀液的选取,可以保证对绝缘层和SiO2层的刻蚀不是垂直的,而是有一定的斜坡。形成这样的结构,能够更好的优化漂移区的电场分布,器件的性能能够得到更好的提升。 一种RF-LDMOS自对准的漏端场板结构的制作方法,具体包括以下步骤: S01,通过自对准方式形成漏极的方式为:刻蚀绝缘层和SiO2层形成窗口,然后进行N型注入,由于刻蚀绝缘层和SiO2层的阻挡作用,仅在窗口区才会有离子进入体内,从而形成漏极。通过自对准方式形成的漏极,带来的好处是漏极的面积可以做的非常好,仅由工艺的最短线宽决定。但是,如果在后续的工艺过程中,包含很多的高温工艺,注入的施主离子,会在硅中进行扩散,这回增加重掺杂N型区的宽度,从而增加Cds的电容。此外,在以前的工艺中,也有很多离子注入,包括形成沟道时的P型注入。这些高温工艺,都会改变之前离子注入的掺杂分布,影响器件性能。因此,进行了步骤S02操作;  S02,漏极形成以后,在缘层和SiO2层的远离栅极的端部沉积上一层非晶硅。沉积非晶硅的好处是,沉积非晶硅的温度很低,一般小于500度。这样注入硅中的施主离子不会扩散,能够显著降低Cds电容。而如果沉积多晶硅,一般要求温度大于700度,这样施主离子会扩散,造成Cds电容的增加。采用沉积非晶硅的方法,能够避免这种情况。 S03,在非晶硅上面,沉积一层金属硅化物,这样能够降低CT和多晶硅的方块电阻。 S04,在步骤S03的金属硅化物上完成CT和金属连线。 与现有技术相比,本专利技术的有益效果有:本专利技术包括SiO2层、非晶硅和金属硅化物;非晶硅,包括其横向延伸结构,形成了一个漏极场板,可以增加漏极边缘的电场强度,使得漂移区的电场分布更加均匀,这样能够提高器件的击穿电压,同时降低热载流子效应,减小静态电流的漂移,非晶硅的底部跟漏端的接触面积比较小,而顶部的面积比较大。这样可以保证在非晶硅顶部有足够的面积制作与外界电路连接的通孔。漏极通过自对准的方式形成,漏极仅由工艺的最短线宽决定,漏极形成以后,在沉积上一层非晶硅,沉积非晶硅的好处是,沉积非晶硅的温度很低,温度一般小于500度。这样注入硅中的施主离子不会扩散,这样能够显著降低Cds电容。 附图说明 图1为现有技术漏端场板结构的结构示意图; 图2为本专利技术RF-LDMOS自对准的漏端场板结构的结构示意图; 图3为本专利技术述SiO2层和绝缘层与非晶硅的接触面为斜面的实施例结构示意图。 具体实施方式 下面结合附图对本专利技术作更进一步的说明。 如图2所示,一种RF-LDMOS自对准的漏端场板结构,包括电极层1、衬底2、外延层3、源极-衬底连接层4、漂移区5、固定电位区7、源极8、沟道9、漏极15、绝缘层10、栅极20、栅极金属硅化物21、源极-沟道连接区22,其特征在于,还包括SiO2层23、非晶硅12和金属硅化物17; 衬底2设置在电极层1上,外延层3和源极-衬底连接层4设置在衬底2上,漏极15设置在外延层3上,固定电位区7和沟道9设置在源极-衬底连接层4上,源极8设置在固本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种RF‑LDMOS自对准的漏端场板结构,包括电极层(1)、衬底(2)、外延层(3)、源极‑衬底连接层(4)、漂移区(5)、固定电位区(7)、源极(8)、沟道(9)、漏极(15)、绝缘层(10)、栅极(20)、栅极金属硅化物(21)、源极‑沟道连接区(22),其特征在于,还包括SiO2层(23)、非晶硅(12)和金属硅化物(17);衬底(2)设置在电极层(1)上,所述外延层(3)和源极‑衬底连接层(4)设置在衬底(2)上,所述漏极(15)设置在外延层(3)上,固定电位区(7)和沟道(9)设置在源极‑衬底连接层(4)上,源极(8)设置在固定电位区(7)上,所述漂移区(5)设置外延层(3)上,并与所述沟道(9)相连接,沟道(9)两侧分别连接源极(8)和漂移区(5);所述源极‑衬底连接层(4)连接源极(8)和衬底(2);源极‑沟道连接区(22)设置在固定电位区(7)上,绝缘层(10)覆盖在漂移区(5)、沟道(9)和源极(8)上,栅极(20)设置在绝缘层(10)上,栅极金属硅化物(21)设置在所述栅极(20)上,非晶硅(12)设置在漂移区(5)上,所述栅极(20)与所述非晶硅(12)之间设置有SiO2层(23);所述源极‑沟道连接区(22)连接源极(8)和固定电位区(7),固定电位区(7)与沟道(9)相连接;所述非晶硅(12)包括横向延伸结构和纵向延伸结构,所述纵向延伸结构与漂移区(5)相接触,所述横向延伸结构设置在所述SiO2层(23)上;所述金属硅化物(17)设置在所述非晶硅(12)上,所述金属硅化物(17)通过非晶硅(12)与漏极(15)相连。...

【技术特征摘要】
1.一种RF-LDMOS自对准的漏端场板结构,包括电极层(1)、衬底(2)、外延层(3)、源极-衬底连接层(4)、漂移区(5)、固定电位区(7)、源极(8)、沟道(9)、漏极(15)、绝缘层(10)、栅极(20)、栅极金属硅化物(21)、源极-沟道连接区(22),其特征在于,还包括SiO2层(23)、非晶硅(12)和金属硅化物(17);
衬底(2)设置在电极层(1)上,所述外延层(3)和源极-衬底连接层(4)设置在衬底(2)上,所述漏极(15)设置在外延层(3)上,固定电位区(7)和沟道(9)设置在源极-衬底连接层(4)上,源极(8)设置在固定电位区(7)上,所述漂移区(5)设置外延层(3)上,并与所述沟道(9)相连接,沟道(9)两侧分别连接源极(8)和漂移区(5);所述源极-衬底连接层(4)连接源极(8)和衬底(2);
源极-沟道连接区(22)设置在固定电位区(7)上,绝缘层(10)覆盖在漂移区(5)、沟道(9)和源极(8)上,栅极(20)设置在绝缘层(10)上,栅极金属硅化物(21)设置在所述栅极(20)上,非晶硅(12)设置在漂移区(5)上,所述栅极(20)与所述非晶硅(12)之间设置有SiO2层(23);所述源极-沟道连接区(22)连接源极(8)和固定电位区(7),固定电位区(7)与沟道(9)相连接;
所述非晶硅(12)包括横向延伸结构和纵向延伸结构,所述纵向延伸结构与漂移区(5)相接触,所述横向延伸结构设置在所述SiO2层(23)上;
所述金属硅化物(17)设置在所述非晶硅(12)上,所述金属硅化物(17)通过非晶硅(12)与漏极(15)相连。
2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘正东曾大杰张耀辉
申请(专利权)人:昆山华太电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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