磁性记录介质及其制造方法技术

本发明专利技术涉及磁性记录介质及其制造方法。提供了一种磁性记录介质，该磁性记录介质包括：基体；籽晶层；基础层；以及记录层，该籽晶层被设置在基体与基础层之间，该籽晶层具有非晶态、包括包含Ti、Cr和O的合金，并且基于包含在籽晶层中Ti和Cr的总量，Ti的百分比为30原子％至100原子％，并且基于包含在籽晶层中Ti、Cr和O的总量，O的百分比为15原子％以下。此外，还提供了该磁性记录介质的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及。提供了一种磁性记录介质，该磁性记录介质包括：基体；籽晶层；基础层；以及记录层，该籽晶层被设置在基体与基础层之间，该籽晶层具有非晶态、包括包含Ti、Cr和O的合金，并且基于包含在籽晶层中Ti和Cr的总量，Ti的百分比为30原子％至100原子％，并且基于包含在籽晶层中Ti、Cr和O的总量，O的百分比为15原子％以下。此外，还提供了该磁性记录介质的制造方法。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求于2013年12月27日提交的日本优先权专利申请JP2013-272778的权益，通过引用将其全部内容结合与本文中。
本技术涉及。更具体地，本技术涉及具有籽晶层的。
技术介绍
近年来，随着IT (信息技术)社会的发展、图书馆和档案的计算机化以及商业文件存储时期的延长，极其需要具有更高容量的用于存储数据的磁带介质。另外，需要被称为“绿色存储”的存储系统，该系统具有降低的功耗并且有益于环境。 目前，主要使用其中利用磁性粉末涂覆非磁性支撑体的涂覆型磁带介质作为用于存储数据的磁带介质。为了提高每一盒式磁带的存储容量，必须通过将微粒子化磁性粉末来提高表面记录密度。在目前能够使用的涂覆方法中，采用具有1nm以下粒度的微粒难以形成薄膜。 提出了一种垂直磁性记录介质，其中通过溅射高磁性异向性CoCrPt类金属材料而在非磁性支撑体上形成膜，并且该材料结晶定向于垂直于非磁性支撑体的表面的方向上。在垂直磁性记录介质中，改善磁性记录介质的定向性和磁性特性是必要的。近来，已经探索各种技术以满足该需求。例如，日本专利申请公开第2005-196885号公开一种磁性记录介质，该磁性记录介质包括其上连续形成至少非晶层、籽晶层、基础层、磁性层和保护层的非磁性支撑体。而且，它还公开了由T1、Cr、Mo、W、Zr、Ti合金、Cr合金和Zr合金形成的籽晶层、由Ru形成的基础层以及具有粒状结构磁性层。
技术实现思路
因此，期望提供一种具有改善的磁性特性的。 根据本技术的第一实施方式，提供一种磁性记录介质，包括: 基体； 籽晶层； 基础层；以及 记录层，籽晶层被设置在基体与基础层之间，籽该晶层具有非晶态，、包括包含T1、Cr和O的合金，基于包含在籽晶层中Ti和Cr的总量，Ti的百分比为30原子％至100原子％，并且基于包含在籽晶层中T1、Cr和O的总量，O的百分比为15原子％以下。 根据本技术的第二实施方式，提供了一种磁性记录介质，包括: 基体； 籽晶层； 基础层；以及 记录层，籽晶层被设置在基体与基础层之间，该籽晶层具有非晶态，且包括包含Ti和Cr的合金，以及基于包含在籽晶层中Ti和Cr的总量，Ti的百分比为30原子％至100原子% O 根据本技术的第三实施方式，提供一种磁性记录介质，包括: 基体； 具有非晶态并且包含Ti和Cr的层； 基础层；以及 记录层，包含Ti和Cr的层被设置在基体与基础层之间，并且基于Ti和Cr的总量，在包含Ti和Cr的层中Ti的百分比为30原子％至100原子％。 根据本技术的第四实施方式，提供了一种磁性记录介质的制造方法，包括: 以卷对卷的方法在基体上连续形成籽晶层、基础层和记录层，籽晶层具有非晶态并且包括包含T1、Cr和O的合金，基于包含在籽晶层中Ti和Cr的总量，Ti的百分比为30原子％至100原子％，并且基于包含在所述籽晶层中T1、Cr和O的总量，O的百分比为15原子％以下。 根据本技术的第五实施方式，提供一种磁性记录介质的制造方法，包括: 在沿着旋转体的外表面传送基体的同时在所述基体的表面上层压多个薄膜，连续地形成所述多个薄膜中的至少两层。 在本技术中，籽晶层、基础层和记录层均可以具有单层结构或多层结构。从进一步改善磁性记录介质的磁性特性以及/或者记录和再生特性的立足点出发，期望使用多层结构。考虑到生产力，期望使用多层结构中的双层结构。 在本技术中，期望磁性记录介质还包括设置在籽晶层与基础层之间的软磁性层。软磁性层可以具有单层结构或多层结构。从进一步改善记录和再生特性的立足点出发，期望使用多层结构。期望地，具有多层结构的软磁性层包括第一软磁性层、中间层和第二软磁性层，并且中间层被设置在第一磁性层与第二磁性层之间。当磁性记录介质还包括软磁性层时，期望另一个籽晶层被设置在软磁性层与基础层之间。 在本技术中，期望籽晶层、基础层和记录层中的至少两层以卷对卷的方法连续形成。更期望地，所有的三层都以卷对卷的方法连续形成。当磁性记录介质还包括软磁性层时，期望籽晶层、软磁性层和记录层中的至少两层以卷对卷的方法连续形成。更期望地，所有的三层都以卷对卷的方法连续地形成。 在本技术中，具有非晶态并包含Ti和Cr的籽晶层被设置在基体与基础层之间。这能够抑制吸附在基体上的O2气体和H2O对基础层的影响并且能够在基体的表面上形成光滑的金属表面。 如附图中所示，根据本技术的最优模式实施方式的以下详细描述，本技术的这些和其他目标、特征和优点将变得更加显而易见。 【专利附图】【附图说明】 图1是示意性地示出了根据本技术第一实施方式的垂直磁性记录介质的构造实例的截面图； 图2是示出了用于制造根据本技术第一实施方式垂直磁性记录介质的溅射设备的构造实例的不意图； 图3是示意性地示出了根据本技术第二实施方式的垂直磁性记录介质的构造实例的截面图； 图4是示出了实施例1以及比较例I和2中磁带的基础层的X射线衍射的结果的曲线图； 图5是示出了实施例1和2以及比较例3中磁性特性对磁带的籽晶层中氧含量的依赖性的曲线图； 图6是示出了实施例2至4以及比较例4中磁性特性对磁带的籽晶层中Ti含量的依赖性的曲线图； 图7是示出了实施例4和5中磁带的记录和再生特性的曲线图； 图8是示意性地示出了根据本技术第三实施方式的垂直磁性记录介质的构造实例的截面图； 图9是示意性地示出了根据本技术的第四实施方式的垂直磁性记录介质的构造实例的截面图；以及 图10是示意性地示出了根据本技术的第五实施方式的垂直磁性记录介质的构造实例的截面图。 【具体实施方式】 在下文中，将参考附图描述本技术的实施方式。 将按以下顺序描述本技术的实施方式。 1.第一实施方式(具有单层籽晶层的垂直磁性记录介质的实例) 1.1 概要 1.2垂直磁性记录介质的构造 1.3溅射设备的构造 1.4垂直磁性记录介质的制造方法 1.5 优势 2.第二实施方式(具有双层籽晶层的垂直磁性记录介质的实例) 2.1垂直磁性记录介质的构造 2.2 优势 3.第三实施方式(具有双层基础层的垂直磁性记录介质的实例) 3.1垂直磁性记录介质的构造 3.2 优势 3.3变形例 4.第四实施方式(具有单层软磁性底层的垂直磁性记录介质的实例) 4.1垂直磁性记录介质的构造 4.2 优势 4.3变形例 5.第五实施方式(具有多层软磁性底层的垂直磁性记录介质的实例) 5.1垂直磁性记录介质的构造 5.2 优势 5.3变形例 〈1.第一实施方式> 为了减小磁性记录层的定向分散，基础层至关重要。原因是:(1)选择具有良好定向性的基础层来改善磁性记录层的定向，以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁性记录介质，包括：基体；籽晶层；基础层；以及记录层，所述籽晶层被设置在所述基体与所述基础层之间，所述籽晶层具有非晶态，包括包含Ti、Cr和O的合金，基于包含在所述籽晶层中Ti和Cr的总量，Ti的百分比为30原子％至100原子％，并且基于包含在所述籽晶层中Ti、Cr和O的总量，O的百分比为15原子％以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：立花淳一，伊藤条太，尾崎知惠，平塚亮一，关口昇，远藤哲雄，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP