一种超宽带矢量调制芯片制造技术

本实用新型专利技术提供一种超宽带矢量调制芯片，包括功分器、合成器，及两个衰减器，功分器输入端为该超宽带矢量调制芯片输入端，合成器输出端为该超宽带矢量调制芯片输出端，功分器输出端与两个衰减器输入端相连接，两个衰减器输出端与合成器输入端相连接；功分器该采用威尔金森结构，该合成器采用兰格桥结构；衰减器包括衰减器兰格桥和赝高电子迁移率晶体管，该衰减器兰格桥和赝高电子迁移率晶体管之间设置有衰减器电阻。该超宽带矢量调制芯片工作频率覆盖十四吉赫至二十四吉赫，很大程度上拓宽了其使用带宽。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超宽带矢量调制芯片，其特征在于：包括功分器（1）、合成器（3）及两个衰减器（2），所述功分器（1）输入端为超宽带矢量调制芯片输入端，合成器（3）输出端为所述超宽带矢量调制芯片输出端，功分器（1）输出端与两个所述衰减器（2）输入端相连接，两个衰减器（2）输出端与合成器（3）输入端相连接；所述功分器（1）采用威尔金森结构，所述合成器（3）采用兰格桥结构；所述衰减器（2）包括衰减器兰格桥（6）和赝高电子迁移率晶体管（4），所述衰减器兰格桥（6）和赝高电子迁移率晶体管（4）之间设置有衰减器电阻（5）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈阳，童伟，胡柳林，吕继平，康婕，文剑澜，欧阳耀果，滑育楠，杨洲，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川;51