一种基于比较器的温度控制电路制造技术

技术编号:10607850 阅读:120 留言:0更新日期:2014-11-05 17:55
本实用新型专利技术提供一种基于比较器的温度控制电路,用于集成设备温度控制领域,该电路供连接需要进行温度控制的负载两端,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电位器RP1、电容C1、二极管VD1、比较器A1、以及晶体管VT1和晶体管VT2,本实用新型专利技术具有结构简单且所使用的元件的成本较低,且具有高效的温度控制效果,相对现有的温度控制电路,本实用新型专利技术很好地解决了现有技术中温度控制电路较复杂且成本较高的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种基于比较器的温度控制电路,用于集成设备温度控制领域,该电路供连接需要进行温度控制的负载两端,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电位器RP1、电容C1、二极管VD1、比较器A1、以及晶体管VT1和晶体管VT2,本技术具有结构简单且所使用的元件的成本较低,且具有高效的温度控制效果,相对现有的温度控制电路,本技术很好地解决了现有技术中温度控制电路较复杂且成本较高的问题。【专利说明】—种基于比较器的温度控制电路
本技术涉及温度控制领域,主要指用于集成设备的温度控制领域,更具体地来说,特别是涉及一种基于比较器的温度控制电路。
技术介绍
随着现代工业的发展,人们需要对工业生产中有关温度系统进行控制,如钢铁冶炼过程需要对刚出炉的钢铁进行热处理,塑料的定型及各种加热炉、热处理炉、反应炉和锅炉中温度进行实时监测和精确控制温度是日常生活、工业、医学、环境保护、化工、石油等领域最常遇到的一个物理量。而且,很多领域的温度可能较高或较低,现场也会较复杂,有时人无法靠近或现场无需人力来监控。 所以,设计一个较为通用的温度控制系统具有重要意义,而且现有的温度控制电路也较多,各种电路参差不齐,各有优点,但是中的来讲都较复杂,而在集成设备领域,对温度控制的控制精度,不但要求控制简捷,而且还要考虑降低了产品的成本。因此,在本
,设计一种简单而实用的温度控制电路是十分必要和迫切的。
技术实现思路
鉴于以上所述,本技术的目的在于提供一种基于比较器的温度控制电路,用于解决现有技术中温度控制电路较复杂且成本较高的问题。 为实现上述目的及其他相关目的,本技术提供以下技术方案: 一种基于比较器的温度控制电路,供连接需要进行温度控制的负载两端,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电位器RPl、电容Cl、二极管VDl、比较器Al、以及晶体管VTl和晶体管VT2,由电阻Rl与电阻R2串联形成的包括有电阻Rl —端和电阻R2 —端的第一串联组,由电阻R3与电位器RPl串联形成的包括有电阻R3 —端和电位器RPl —端的第二串联组,由电阻R5与二极管VDl串联形成的包括有电阻R5 —端和二极管正极的第三串联组,该第一串联组、第二串联组、第三串联组以该电阻Rl的一端连接该电阻R3和该电阻R5 —端的状态依次并联连接;该电容Cl并联于该电阻Rl的两端,该电阻R4的一端连接于该电阻R3和电位器RPl之间,该电阻R4的另一端连接于该电阻R5和二极管VDl之间;该比较器Al反相输入端连接于该电阻Rl和电阻R2之间,该比较器Al正相输入端连接于该电阻R3和电位器RPl之间,该比较器Al的输出端连接晶体管VTl的基极,该晶体管VTl的发射极连接该晶体管VT2的基极,该晶体管VTl和该晶体管VT2的集电极同时连接该第三串联组中的电阻R5 —端,该晶体管VT2的发射极和该二极管VDl的正极作为输出端连接于负载,且该二极管VDl的正极接地。 在以上所述基于比较器的温度控制电路中,该该比较器Al由芯片LM399提供,该电阻Rl和电阻R3的阻值为1kQ,该电阻R2的阻值为12Ω,该电阻R4的阻值为1ΜΩ,该电阻R5的阻值为2.2k Ω,该电位器RPl的阻值为20k Ω,该电容Cl的电容量为0.1uF0 如上所述,本技术具有结构简单且所使用的元件的成本较低,且具有高效的温度控制效果,相对现有的温度控制电路,本技术很好地解决了现有技术中温度控制电路较复杂且成本较高的问题。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例中的方案,下面将对具体实施例中描述所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本技术一种基于比较器的温度控制电路的原理图。 附图标号说明 10 第一串联组 20 第二串联组 30 第三串联组 【具体实施方式】 下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本技术保护的范围。 请参考图1,示出了技术一种基于比较器的温度控制电路的原理图,在本实施例中,提供了一种基于比较器的温度控制电路,该电路供连接需要温度控制的负载两端,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电位器RPl、电容Cl、二极管VDl、比较器Al、以及晶体管VTl和晶体管VT2,由电阻Rl与电阻R2串联形成的包括有电阻Rl —端和电阻R2 —端的第一串联组10,由电阻R3与电位器RPl串联形成的包括有电阻R3 —端和电位器RPl —端的第二串联组20,由电阻R5与二极管VDl串联形成的包括有电阻R5 —端和二极管正极的第三串联组30,该第一串联组10、第二串联组20、第三串联组30以该电阻Rl的一端连接该电阻R3和该电阻R5 —端的状态依次并联连接;该电容Cl并联于该电阻Rl的两端,该电阻R4的一端连接于该电阻R3和电位器RPl之间,该电阻R4的另一端连接于该电阻R5和二极管VDl之间;该比较器Al反相输入端连接于该电阻Rl和电阻R2之间,该比较器Al正相输入端连接于该电阻R3和电位器RPl之间,该比较器Al的输出端连接晶体管VTl的基极,该晶体管VTl的发射极连接该晶体管VT2的基极,该晶体管VTl和该晶体管VT2的集电极同时连接该第三串联组30中的电阻R5 —端,该晶体管VT2的发射极和该二极管VDl的正极作为输出端连接于负载,且该二极管VDl的正极接地。 具体地,在以上所述基于比较器的温度控制电路中,各元件的参数取值如以下表I所示: 龟阻Rl I电阻R2 I电阻R3 I电阻R4 I电阻R51电位器RPl 电容Cl1kQ |?2Ω IlOkQ |?ΜΩ |2.2kQ |20kQ|θ.luF_ 表I 通过以上表I所示,更进一步地,该基于比较器的温度控制电路的工作原理为:若负载温度高于设定值,该比较器的反相输入端电压低于其低阀值电平,则输出高电平,通过电阻R1、晶体管VTl和晶体管VT2驱动负载;负载的电流由二极管VDl进行限制,当负载被驱动导通时,它使该负载工作,该比较器的反相输入端电压增大到超过其高阀值电平,该比较器输出低电平使负载不工作,该RPl用于设置温度值。 综上所述,本技术的电路结构简单,且各元件的成本皆较低,同时该电路的具有高效的温度控制效果。所以,本技术有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。【权利要求】1.一种基于比较器的温度控制电路,供连接需要进行温度控制的负载两端,其特征在于,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电位器RPl、电容Cl、二极管VD1、比较器Al、以及晶体管VTl和晶体管VT2,由电阻Rl与电阻R2串联形成的包括有电阻Rl 一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于比较器的温度控制电路,供连接需要进行温度控制的负载两端,其特征在于,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电位器RP1、电容C1、二极管VD1、比较器A1、以及晶体管VT1和晶体管VT2,由电阻R1与电阻R2串联形成的包括有电阻R1一端和电阻R2一端的第一串联组,由电阻R3与电位器RP1串联形成的包括有电阻R3一端和电位器RP1一端的第二串联组,由电阻R5与二极管VD1串联形成的包括有电阻R5一端和二极管正极的第三串联组,该第一串联组、第二串联组、第三串联组以该电阻R1的一端连接该电阻R3和该电阻R5一端的状态依次并联连接;该电容C1并联于该电阻R1的两端,该电阻R4的一端连接于该电阻R3和电位器RP1之间,该电阻R4的另一端连接于该电阻R5和二极管VD1之间;该比较器A1反相输入端连接于该电阻R1和电阻R2之间,该比较器A1正相输入端连接于该电阻R3和电位器RP1之间,该比较器A1的输出端连接晶体管VT1的基极,该晶体管VT1的发射极连接该晶体管VT2的基极,该晶体管VT1和该晶体管VT2的集电极同时连接该第三串联组中的电阻R5一端,该晶体管VT2的发射极和该二极管VD1的正极作为输出端连接于负载,且该二极管VD1的正极接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李韩松
申请(专利权)人:重庆伟略智能系统集成技术有限公司
类型:新型
国别省市:重庆;85

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