光半导体用片和光半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供光半导体用片和光半导体装置。所述光半导体用片具备由第1有机硅树脂形成的粘合层，以及设置于粘合层的厚度方向一面、由第2有机硅树脂形成的非粘合层。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供光半导体用片和光半导体装置。所述光半导体用片具备由第1有机硅树脂形成的粘合层，以及设置于粘合层的厚度方向一面、由第2有机硅树脂形成的非粘合层。【专利说明】光半导体用片和光半导体装置
本技术涉及光半导体用片和光半导体装置，详细而言，涉及具备光半导体用片以及通过该光半导体用片封装的光半导体元件的光半导体装置。
技术介绍
橡胶状的有机硅树脂片由于耐久性、耐热性等优异而被用于各种用途。 这种有机硅树脂片由于表面具有粘合性，因此在运输时，有机硅树脂片会附着其他构件而污染周围，或者需要另行层叠剥离片来保护表面。此外，在表面的粘合性过高时，还存在将脱模片自有机硅树脂片脱模时脱模性降低的情况。 因此，提出了例如在表面散布滑石、云母等鳞片状粉末而得到的热压接用硅橡胶片(例如参见下述专利文献I。)。 专利文献I的热压接用硅橡胶片通过所散布的粉来减小表面的粘合性，减小对周围的污染，进而提闻脱1旲性。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开平10-219199号公报
技术实现思路
技术要解决的问题 然而，专利文献I所记载的热压接用硅橡胶片会因所散布的粉导致透明性不充分，因此存在如此封装光半导体元件而得到的光半导体装置的发光效率降低这一不利情况。 本技术的目的在于提供减小对周围的污染、提高非粘合性、并且透明性优异的光半导体用片、以及抑制了发光效率的降低的光半导体装置。 用于解决问题的方案 本技术的光半导体用片的特征在于，具备由第I有机硅树脂形成的粘合层，以及设置于前述粘合层的厚度方向一面、由第2有机硅树脂形成的非粘合层。 该光半导体用片由于在粘合层的厚度方向一面设置非粘合层，因此可以减小因粘合层附着于周围的构件而导致的污染，提高非粘合性，同时提高透明性。 此外，本技术的光半导体用片优选的是，前述第2有机硅树脂在常温下为固态且为热塑性。 在该光半导体用片中，由于第2有机硅树脂为热塑性，因此可以通过加热使非粘合层与粘合层密合。因此，可以防止在非粘合层与粘合层之间产生间隙。结果，可以更进一步提高光半导体用片的透明性。 此外，在本技术的光半导体用片中，优选的是，前述第I有机硅树脂为B阶的热固化性有机硅树脂。 根据该光半导体用片，由于第I有机硅树脂为B阶的热固化性有机硅树脂，因此可以容易且确实地被覆对象物。在被覆对象物后，通过将光半导体用片加热使其为C阶，可以确实地封装对象物。 此外，在本技术的光半导体用片中，优选的是，前述第2有机硅树脂为倍半硅氧烷。 根据该光半导体用片，由于第2有机硅树脂为倍半硅氧烷，因此在耐久性和透明性优异的同时，可以容易地保证热塑性。 此外，在本技术的光半导体用片中，优选的是，前述倍半硅氧烷含有与前述第I有机硅树脂反应的官能团。 在该光半导体用片中，由于倍半硅氧烷含有与第I有机硅树脂反应的官能团，因此通过使第2有机硅树脂与第I有机硅树脂反应，可以更进一步提高粘合层与非粘合层的密合性。 此外，本技术的光半导体用片优选用于光半导体元件的封装。 由于该光半导体用片用于光半导体元件的封装，因此可以在提高光半导体元件的可靠性的同时抑制发光效率的降低。 此外，在本技术的光半导体用片中，优选的是，前述非粘合层通过由前述第2有机硅树脂形成的片所形成。 根据该光半导体用片，由于非粘合层通过由第2有机硅树脂形成的片所形成，因此可以确保非粘合层的厚度均匀，此外，长期保存性优异。 此外，在本技术的光半导体用片中，优选的是，前述非粘合层通过由前述第2有机硅树脂形成的颗粒形成为层状。 根据该光半导体用片，由于非粘合层由颗粒形成为层状，因此可以使得工艺简单。 此外，本技术的光半导体装置的特征在于，其具备光半导体用片、以及通过前述光半导体用片封装的光半导体元件，前述光半导体用片具备由第I有机硅树脂形成的粘合层，以及设置于前述粘合层的厚度方向一面、由第2有机硅树脂形成的非粘合层。 该光半导体装置由于具备通过透明性优异的光半导体用片封装的光半导体元件，因此可以抑制发光效率的降低。 技术的效果 本技术的光半导体用片可以减小由粘合层附着于周围的构件而导致的污染，提闻非粘合性，同时提闻透明性。 本技术的光半导体装置可以抑制发光效率的降低。 【专利附图】【附图说明】 图1 (a)和图1 (b)是说明本技术的光半导体用片的第I实施方式的制造方法的工序图， 图1 (a)示出分别准备粘合层和非粘合层的工序， 图1 (b)示出将粘合层与非粘合层贴合的工序。 图2 (a)和图2 (b)是说明使用图1 (b)所示的光半导体用片作为封装片制造光半导体装置的方法的工序图， 图2 (a)示出将剥离了第2脱模片的光半导体用片与基板相对配置的工序， 图2 (b)示出通过光半导体用片封装光半导体元件的工序。 图3 (a)和图3 (b)是说明使用本技术的光半导体用片的第I实施方式作为封装片制造光半导体装置的方法的变形例的工序图， 图3 Ca)示出将剥离了第I脱模片的光半导体用片与基板相对配置的工序， 图3 (b)示出通过光半导体用片封装光半导体元件的工序。 图4示出本技术的光半导体用片的第2实施方式的剖视图。 图5 (a)和图5 (b)是说明使用图4的光半导体用片作为封装片制造光半导体装置的方法的工序图， 图5 Ca)示出将剥离了第2脱模片的光半导体用片与基板相对配置的工序， 图5 (b)示出通过光半导体用片封装光半导体元件的工序。 图6 (a)和图6 (b)是说明使用本技术的光半导体用片的第2实施方式作为封装片制造光半导体装置的方法的变形例的工序图， 图6 Ca)示出将剥离了第I脱模片的光半导体用片与基板相对配置的工序， 图6 (b)示出通过光半导体用片封装光半导体元件的工序。 附图标记说明 I光半导体用片 2粘合层 3非粘合层 6光半导体装置 8光半导体元件 【具体实施方式】 第I实施方式 在图1中，以纸面上下方向为上下方向(厚度方向、第I方向)、以纸面左右方向为左右方向(第2方向、与第I方向正交的方向)、以纸面厚度方向为前后方向(第3方向、与第I方向和第2方向正交的方向)。图2及其后的各图以上述方向为准。 在图1 (b)中，光半导体用片I具备粘合层2、以及设置于粘合层2的上表面(厚度方向一面)的非粘合层3。此外，在粘合层2下设置有第I脱模片4。此外，在非粘合层3上设置有第2脱模片5。 粘合层2层叠在第I脱模片4的上表面，由第I有机硅树脂形成为沿面方向(与厚度方向正交的方向、即左右方向和前后方向这两个方向)延伸的片状。 作为第I有机硅树脂，例如可列举出:热塑性有机硅树脂、热固化性有机硅树脂等。可优选列举出热固化性有机硅树脂。 作为热固化性有机硅树脂，例如可列举出:两阶段固化型有机硅树脂、一阶段固化型有机娃树脂等。 两阶段固化型有机硅树脂是具有两阶段的反应机理，在第一阶段的反应中B阶化(半固化)，在第二阶段的反应中C阶化(完全固化)的热固化性有机硅树脂。另一方面，一阶段固化型有机硅树脂是具有一阶段的反应机理，在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光半导体用片，其特征在于，具备由第1有机硅树脂形成的粘合层，以及设置于所述粘合层的厚度方向的一个面的、由第2有机硅树脂形成的非粘合层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小名春华，松田广和，片山博之，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP