一种可控增透限幅的MoS2纳微薄膜及其制备方法技术

一种可控增透限幅的MoS2纳微薄膜及其制备方法，所述MoS2纳微薄膜表面平整，厚度150～300nm，在400～810nm波段，光强0～150GW/cm2，归一化透过率为73.9～105%；随着波长增加，最大归一化透过率出现的光强不断降低。所述制备方法是将MoS2粉末与四氢呋喃溶液混合，密封，搅拌，得MoS2-四氢呋喃悬浮溶液；然后将其密封，离心，移取中层溶液，得宽度为10～15μm的MoS2-四氢呋喃悬浮溶液；再将其甩膜，烘干，得MoS2纳微薄膜。本发明专利技术方法稳定性好，简单易行，成本低廉，便于大批量工业生产，制得的MoS2纳微薄膜可作为一种对光的波长有选择性光增透限幅效应的材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种可控增透限幅的MoS2纳微薄膜，其特征在于：所述MoS2纳微薄膜在400～810nm波段，光强大小0～150GW/cm2条件下，归一化透过率为73.9～105%；其中，73.9%＜归一化透过率＜100%为限幅区间，100%＜归一化透过率＜105%为增透区间；归一化透过率最大时的光强大小为0.2～10GW/cm2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖思，张景迪，邢若晨，何军，
申请(专利权)人：肖思，张景迪，邢若晨，
类型：发明
国别省市：湖南;43