一种LED灯浪涌吸收电路制造技术

技术编号:10584107 阅读:126 留言:0更新日期:2014-10-29 14:04
本发明专利技术公布了一种LED灯浪涌吸收电路,包括铝基板电源模块,所述铝基板电源模块的正极端通过在铝基板上形成的寄生电容C1与LED灯的正极端连接;所述LED灯的正极端通过在铝基板上形成的寄生电容C2连接到电路的PE端,所述LED灯的负极端通过在铝基板上形成的寄生电容C3连接到电路的PE端;所述LED灯的正极端与电路的PE端之间串联有浪涌吸收电容C4和浪涌吸收电容C5;所述浪涌吸收电容C4和浪涌吸收电容C5的中节点通过压敏电阻Rv连接到电路的PE端。本发明专利技术的浪涌吸收电路可以在异常瞬变浪涌情况发生时,瞬变浪涌被有效转移到电源驱动上;有效保障了灯具产品在实际使用中的可靠性和耐久性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公布了一种LED灯浪涌吸收电路,包括铝基板电源模块,所述铝基板电源模块的正极端通过在铝基板上形成的寄生电容C1与LED灯的正极端连接;所述LED灯的正极端通过在铝基板上形成的寄生电容C2连接到电路的PE端,所述LED灯的负极端通过在铝基板上形成的寄生电容C3连接到电路的PE端;所述LED灯的正极端与电路的PE端之间串联有浪涌吸收电容C4和浪涌吸收电容C5;所述浪涌吸收电容C4和浪涌吸收电容C5的中节点通过压敏电阻Rv连接到电路的PE端。本专利技术的浪涌吸收电路可以在异常瞬变浪涌情况发生时,瞬变浪涌被有效转移到电源驱动上;有效保障了灯具产品在实际使用中的可靠性和耐久性。【专利说明】-种LED灯浪涌吸收电路
本专利技术涉及一种LED灯浪涌吸收电路。
技术介绍
目前,使用LED作为光源的照明产品中,大部份由于受空间的限制,要让产品能承 受电网中的浪涌、雷击(感应雷)和电网的瞬间高压冲击而不损坏,都很困难。因此大多数 公司为了防止产品在公司生产环节大量损坏,在生产环节都不测试浪涌和耐压,或者降额 测试,这都为产品实际使用中面对复杂的电磁环境而变得脆弱和不确定,把风险转移到客 户端,这样使产品不论在商务活动、供求双方之间都埋下了很高的隐患。 图1可见,在有瞬态脉冲浪涌窜入时,铝基板寄生电容约为电源等效电容的五千 分之一,根据电容串联分压原理,也就是说浪涌电压几乎全部作用在LED灯两端,如按 GB7000. 1灯具做1500VAC耐压测试,1500Vac电压几乎全部分压于LED灯之上,而单个的 LED灯正反向承压在3-5V之间,如果直接让如此大的电压加于LED灯两端,必将使二极管的 PN结直接损坏或局部损坏。这就是LED灯具在耐压测试时灯珠损坏的根本原因。
技术实现思路
本专利技术目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种LED灯浪涌吸收电路。 本专利技术为实现上述目的,采用如下技术方案:一种LED灯浪涌吸收电路,包括铝基 板电源模块,所述铝基板电源模块的正极端通过在铝基板上形成的寄生电容Q与LED灯的 正极端连接;所述LED灯的正极端通过在铝基板上形成的寄生电容C 2连接到电路的PE端, 所述LED灯的负极端通过在铝基板上形成的寄生电容C3连接到电路的PE端;所述LED灯 的正极端与电路的PE端之间串联有浪涌吸收电容C 4和浪涌吸收电容C5 ;所述浪涌吸收电 容C4和浪涌吸收电容C5的中节点通过压敏电阻Rv连接到电路的PE端。 进一步的,所述寄生电容Q为皮法数量级的电容。 进一步的,所述寄生电容C2和寄生电容C3均为亚皮法拉数量级的电容。 进一步的,所述浪涌吸收电容C4和浪涌吸收电容C5均为微法拉数量级的电容。 进一步的,所述寄生电容(^的电容量为5000pF。 进一步的,所述浪涌吸收电容C4和浪涌吸收电容C5的电容量均为0. 1 μ F。 本专利技术的有益效果:本专利技术的浪涌吸收电路可以在异常瞬变浪涌情况发生时,瞬 变浪涌被有效转移到电源驱动上;首次在LED光源上引入了浪涌吸收电路;由于电源模块 本身有良好的耐压和防浪涌能力,因此充分保护了灯具耐压最薄弱的LED灯,有效保障了 灯具产品在实际使用中的可靠性和耐久性。 【专利附图】【附图说明】 图1为传统的共模浪涌瞬态等效示意图。 图2为本专利技术改进后的共模浪涌瞬态等效示意图。 【具体实施方式】 图2所示,涉及一种LED灯浪涌吸收电路,包括铝基板电源模块,所述铝基板电源 模块的正极端通过在铝基板上形成的寄生电容Q与LED灯的正极端连接;所述LED灯的正 极端通过在铝基板上形成的寄生电容C 2连接到电路的PE端,所述LED灯的负极端通过在 铝基板上形成的寄生电容C3连接到电路的PE端;所述LED灯的正极端与电路的PE端之间 串联有浪涌吸收电容C 4和浪涌吸收电容C5 ;所述浪涌吸收电容C4和浪涌吸收电容C5的中 节点通过压敏电阻Rv连接到电路的PE端。 由于引入压敏电阻Rv,使本专利技术的浪涌吸收电路在正常工作电压时不工作,当超 过此电压值的浪涌出现时,其自动切入工作状态其中。由于寄生电容(^通常为皮法数量级 的电容,其电容量一般为5000pF左右。而寄生电容C 2和寄生电容C3通常均为亚皮法拉数 量级的电容,其电容量与走线形状有关,非等值。本专利技术的电路中将浪涌吸收电容C 4和浪 涌吸收电容c5均设置成微法拉量级的电容,其电容量一般为0. 1 μ F左右。由于浪涌吸收 电容C4和浪涌吸收电容C5均比寄生电容Q电容大200倍左右,根据电容串联分压原理,浪 涌电压几乎全部转移到LED灯中电源初次级之间,因为LED灯的铝基板电源模块本身满足 LED独立驱动器的相关标准,此电压转移不会损坏电源。 以上所述仅为本专利技术的较佳实施例,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和 原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1. 一种LED灯浪涌吸收电路,包括铝基板电源模块,所述铝基板电源模块的正极端通 过在铝基板上形成的寄生电容Q与LED灯的正极端连接;所述LED灯的正极端通过在铝基 板上形成的寄生电容C 2连接到电路的PE端,所述LED灯的负极端通过在铝基板上形成的 寄生电容C3连接到电路的PE端;其特征在于,所述LED灯的正极端与电路的PE端之间串 联有浪涌吸收电容C 4和浪涌吸收电容C5 ;所述浪涌吸收电容C4和浪涌吸收电容C5的中节 点通过压敏电阻Rv连接到电路的PE端。2. 如权利要求1所述的一种LED灯浪涌吸收电路,其特征在于,所述寄生电容q为皮 法数量级的电容。3. 如权利要求1所述的一种LED灯浪涌吸收电路,其特征在于,所述寄生电容C2和寄 生电容C3均为亚皮法拉数量级的电容。4. 如权利要求1所述的一种LED灯浪涌吸收电路,其特征在于,所述浪涌吸收电容C4 和浪涌吸收电容C5均为微法拉数量级的电容。5. 如权利要求2所述的一种LED灯浪涌吸收电路,其特征在于,所述寄生电容q的电 容量为5000pF。6. 如权利要求4所述的一种LED灯浪涌吸收电路,其特征在于,所述浪涌吸收电容C4 和浪涌吸收电容C5的电容量均为0. 1 μ F。【文档编号】H05B37/00GK104125670SQ201410347088【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年7月18日 优先权日:2014年7月18日 【专利技术者】陈建文 申请人:常州市格林照明灯具制造有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种LED灯浪涌吸收电路,包括铝基板电源模块,所述铝基板电源模块的正极端通过在铝基板上形成的寄生电容C1与LED灯的正极端连接;所述LED灯的正极端通过在铝基板上形成的寄生电容C2连接到电路的PE端,所述LED灯的负极端通过在铝基板上形成的寄生电容C3连接到电路的PE端;其特征在于,所述LED灯的正极端与电路的PE端之间串联有浪涌吸收电容C4和浪涌吸收电容C5;所述浪涌吸收电容C4和浪涌吸收电容C5的中节点通过压敏电阻Rv连接到电路的PE端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈建文
申请(专利权)人:常州市格林照明灯具制造有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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