TTL驱动的高速全桥MOSFET驱动器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种TTL驱动的高速全桥MOSFET驱动器。包括高速全桥驱动芯片、低边mosfet驱动器、高速光电耦合器，所述的信号（sinPD）经高速光电耦合器（TLP115）隔离后输出到电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020）的输入端，驱动芯片（MIC5020）的输出端（GATE）与一射极偏置的双极性三极管相连，电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020）的（非FAULT）端连接到共射三极管Q4的基极，共射三极管Q4的集电极连接到全桥mosfet驱动芯片（IRS2453）的关断端（SD）。本实用新型专利技术具有电路简单，抗干扰能力强，可靠性高等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种TTL驱动的高速全桥mosfet驱动器，其特征在于包括高速全桥驱动芯片、低边mosfet驱动器、高速光电耦合器，TTL信号（sinPD）经高速光电耦合器（TLP115）隔离后输出到电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020）的输入端，驱动芯片（MIC5020）的输出端（GATE）与一射极偏置的双极性三极管相连，电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020）的非FAULT端连接到共射三极管Q4的基极，共射三极管Q4的集电极连接到全桥mosfet驱动芯片（IRS2453）的关断端（SD）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹俭荣，
申请(专利权)人：岳阳高新技术产业开发区天元电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43