编码器、译码器和包括其的半导体器件制造技术

一种半导体器件可以包括：第一编码单元，被配置成将第一数据编码成抗漂移码；以及第二编码单元，被配置成将奇偶校验信息添加至抗漂移码。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种半导体器件可以包括：第一编码单元，被配置成将第一数据编码成抗漂移码；以及第二编码单元，被配置成将奇偶校验信息添加至抗漂移码。【专利说明】编码器、译码器和包括其的半导体器件 相关申请的交叉引用 本申请要求于2013年4月22日提交的申请号为10-2013-0043886的韩国专利申 请的优先权，其全部内容通过引用合并于此，如同全文阐述。
各种实施例总体而言涉及编码器、译码器和包括其的半导体器件，更具体地涉及 能够处理数据，使得数据可以被恢复的编码器、译码器和包括其的半导体器件。
技术介绍
在诸如PCRAM的存储器件中，随着时间流逝可能发生漂移。漂移可以表示存储器 单元的信息(例如，电阻值）变化的现象。 当发生漂移时，在读取信息时从存储器单元读取的信息会与原始信息不同。因而， 不容易恢复原始数据。具体地，在存储多比特数据的存储器件的情况下，漂移可能使得更难 以恢复数据。此外，在漂移发生的同时在相邻电平之间出现交叉时，变得更难以恢复数据。
技术实现思路
在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一编码单元，被配置成将第一数据 编码成抗漂移码；以及第二编码单元，被配置成将奇偶校验信息添加至抗漂移码。 在一个实施例中，可以提供一种半导体器件，其对通过将第一数据、抗漂移码的奇 偶校验信息以及包括漂移噪声的输入数据编码获得的抗漂移码进行译码。所述半导体器件 可以包括：第一译码单元，被配置成从输入数据中恢复抗漂移码，并且通过参照恢复信息来 恢复奇偶校验信息；第二译码单元，被配置成从恢复的奇偶校验信息和恢复的抗漂移码中 输出纠错的抗漂移码；以及第三译码单元，被配置成将纠错的抗漂移码译码，并且输出第一 数据。 在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：编码器，被配置成将从主机提供的数 据编码成抗漂移码，将奇偶校验信息添加至抗漂移码，以及输出抗漂移码和奇偶校验信息； 以及译码器，可以被配置成从半导体存储器件输出的信息中恢复抗漂移码和奇偶校验信 息，使用恢复的奇偶校验信息来产生纠错的抗漂移码，以及将抗漂移码译码并输出。 在一个实施例中，一种半导体存储器件可以包括：存储器单元阵列；编码器，被配 置成将从存储器控制器件提供的数据编码成抗漂移码，将奇偶校验信息添加至抗漂移码， 以及将抗漂移码提供至存储器单元阵列；以及译码器，可以被配置成从存储器单元阵列输 出的信息中恢复抗漂移码和奇偶校验信息，使用恢复的奇偶校验信息来产生纠错的抗漂移 码，以及将抗漂移码译码并输出。 【专利附图】【附图说明】 图1是说明由漂移引起的PCRAM单元的电阻变化的图； 图2是用于解释根据实施例的半导体器件中的数据和码字之间关系的表； 图3说明由于交叉而发生错误的实例； 图4是根据实施例的编码器的框图； 图5和6是根据其他实施例的编码器的框图。 图7是根据实施例的译码器的框图； 图8和图9是根据其他实施例的译码器的框图； 图10是根据实施例的存储器控制器的框图； 图11是根据实施例的半导体存储器件的框图； 图12说明示出实施例的效果的仿真结果。 【具体实施方式】 以下将参照附图更详细地描述各种实施例。然而，各种实施例可以采用不同的形 式来实施，而不应被解释为局限于本文所列的实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公 开充分与完整，并向本领域技术人员充分地传达本申请的范围。在本公开中，相同的附图标 记在各种附图和实施例中表不相同的部分。 本公开提供了一种可以用于克服诸如PCRAM的存储器件中的漂移的编码和译码 技术。然而，存储器件不局限于PCRAM，本公开也可以应用于发生漂移的其他易失性或非易 失性存储器件。 图1是说明由漂移引起的PCRAM单元的电阻变化的图。 在图1中，PCRAM单元是能够存储2比特数据的多电平单元，且可以存储四种信息， 诸如电平〇 (〇〇)、电平1 (01)、电平2 (10)和电平3 (11)。与电平0相对应的电阻值可以 最大，与电平3相对应的电阻值可以最小。 如图1所示，当发生漂移时，单元的电阻沿着其增加方向变化。然而，尽管每个单 元的电阻值增加，但是与各个电平相对应的电阻值不彼此重叠，而保持预定的顺序。因而， 可以通过将测量的单元电阻值与边界值进行比较来恢复单元的电平。 在一个实施例中，测量电阻值之间的相对量值可以用来恢复电平，来代替将测量 的电阻值与边界值进行比较。 在一个实施例中，要输入至存储器件的数据可以被编码成包括Μ个不同的符号的 码字，然后被存储在存储器单元中，每个所述符号包括N m个符号，其中，M、m和Nm是自然数， 1 < m < M，且Nm表示在Μ个符号按照量值顺序排列时第m符号的数目。然后，从存储器件 中读取的单元的电阻值可以按照量值顺序排列，可以根据量值顺序来将电平分配电阻值， 然后电阻值可以重新排列成原来的顺序。然后，可以恢复写入至存储器件中的数据。 上述的码字是抗漂移码的实例，且可以存在各种类型的抗漂移码。 当发生漂移时，电阻的量值可以在相邻电平之间交换，即会发生交叉 (crossover)。当发生交叉时，仅通过执行抗漂移编码不可以可靠地恢复原始数据。 当随着存储器单元阵列的漂移而发生交叉时，符号的顺序会变化。因而，在实施例 中，可以额外地应用纠错编码来恢复符号的顺序。 在以下公开中，将描述使用上述码字作为抗漂移码的实例。然而，保护的内容不局 限于使用上述码字作为抗漂移码的情况。 图2是用于解释数据和码字之间关系的表。 在图2中，数据是二进制码数据，且具有64比特的宽度。 如上所述，码字可以包括Μ个不同的符号，每个所述符号包括Nm个所述符号。在 图2中所示的码字中，M=4，N m=9 (1彡m彡M)，且四个符号是0、1、2、3。 符号的类型可以对应于存储在一个存储器单元中的电平的类型。因而，符号的类 型Μ可以通过存储在每个单元中的比特数目η来确定，如等式1所示。 Μ=2η 在一个实施例中，数据和码字之间的关系可以通过数据的尺寸和码字的尺寸来设 定。即，如图2中所示，数据可以按照从最小值到最大值的量值顺序来排列，且码字可以按 照从最小值到最大值的量值顺序来排列。在图2中，可以通过索引来表示量值顺序。 在一个实施例中，将数据编码成码字的处理可以对应于查找具有与数据相同索引 的码字的处理，并且将码字译码成数据的处理可以对应于查找具有与码字相同的索引的数 据的处理。 因而，在一个实施例中，数据的宽度L和码字的长度，即单元的数目 【权利要求】1. 一种半导体器件，包括： 第一编码单元，被配置成将第一数据编码成抗漂移码；以及 第二编码单元，被配置成将奇偶校验信息添加至所述抗漂移码。2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗漂移码包括Μ个不同的符号，所述 符号中的每个包括Ν个符号， 其中，Μ和Ν是自然数。3. -种半导体器件，其对通过将第一数据编码获得的抗漂移码、所述抗漂移码的奇偶 校验信息以及包括漂移噪声的输入数据进行译码，包括： 第一译码单元，被配置成从所述输入数据中恢复所述抗漂移码，并且通过参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一编码单元，被配置成将第一数据编码成抗漂移码；以及第二编码单元，被配置成将奇偶校验信息添加至所述抗漂移码。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金俊宇，金弘植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR