一种利用DRAM不良品的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用DRAM不良品的方法，通过在工厂生产、系统自检和使用过程中动态检测DRAM中的错误Cell，记录记录缺陷地址信息和查找Cell的替代Cell的替代地址信息，并更新缺陷表格，系统访问时根据缺陷表格中记录的信息正确的访问无错误的Cell，通过动态增加缺陷列表来存储DRAM芯片的缺陷地址信息和替换地址信息，可实现将％80以上的DRAM废品颗粒变为可用颗粒，随着DRAM制程向纳米级发展，经济效益将会更加明显，且能够解决在DRAM颗粒在出厂后、使用中逐渐出现的错误，将使用过程中发现变坏的Cell的地址信息可以被动态地加入到缺陷表格中，从而延长系统的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种利用DRAM不良品的方法，通过在工厂生产、系统自检和使用过程中动态检测DRAM中的错误Cell，记录记录缺陷地址信息和查找Cell的替代Cell的替代地址信息，并更新缺陷表格，系统访问时根据缺陷表格中记录的信息正确的访问无错误的Cell，通过动态增加缺陷列表来存储DRAM芯片的缺陷地址信息和替换地址信息，可实现将％80以上的DRAM废品颗粒变为可用颗粒，随着DRAM制程向纳米级发展，经济效益将会更加明显，且能够解决在DRAM颗粒在出厂后、使用中逐渐出现的错误，将使用过程中发现变坏的Cell的地址信息可以被动态地加入到缺陷表格中，从而延长系统的使用寿命。【专利说明】-种利用DRAM不良品的方法
本专利技术涉及信息存储领域，尤其涉及一种生产过程中带有坏块的DRAM不良品的 方法。
技术介绍
DRAM是传统的PC、服务器中不可缺少的主存储设备，同时也是当今如日中天的移 动智能设备的必备。然而，随着DRAM制造的工艺节点不断的向下演进，其制造过程中出现 的缺陷越来越多，造成良率的不断下降。业界通常在DRAM内部设计冗余的Row(行）和 Column(列）来替代有缺陷的行和列。 例如，在4x4的Cell (存储单元）阵列中，WL4和BL8分别为冗余的行、列，假设有 两个Cell (WL1，BL2) (WL3, BL4)出现了缺陷，表现为读或者写功能不正常，通常的做法是用 行、列替换的办法：采用BL8替代BL2，WL4替代WL3。这个替代动作由地址译码电路来完成： 列地址译码器将对BL2的访问被映射到BL8 ;行地址译码器将对WL3的访问映射到WL4。 这个传统的办法可以解决当前的大部分状况：错误Cell比较集中数量可能很多， 但主要分布在少量的行或者列上面，且在使用过程中基本不会动态增加。从这个行列替代 的方法可以看出，冗余的行、列的Cell使用效率很低，分别只有1/9和1/5。如果Cell (WL2， BL3)再出错，则只能依靠增加更多的冗余的行、列来替代了。DRAM厂商出于成本的考虑，不 会无限增加冗余的行、列的数量。因此，仍然会有一定比例的DRAM芯片因为错误的Cell个 数或者分布超过了冗余的行、列的替换能力而被作为不良品废弃。这个问题随着制造工艺 节点进一步变小而变得更加严重，所以需要一种能够提高DRAM利用率的方法。 另外，这个传统的办法只能在DRAM厂商测试DRAM颗粒的时候进行，在卖到系统厂 商之后不能做任何修改。也就是说，DRAM颗粒在系统上使用过程中出现的一些Cell慢慢 变坏的这类错误传统的行、列替代法无能为力。这类错误一旦出现，一般只能返修，更换出 现问题的颗粒，且可能造成整个产品或设备报废，成本很高。
技术实现思路
针对DRAM芯片在工厂生产时错误的Cell个数或者分布超过了冗余的行、列的替 换能力和DRAM芯片在使用过程中动态产生错误的Cell造成整个DRAM报废，无法正常使用 的缺陷，本专利技术通过增加可动态更新的缺陷表格来实现可继续使用上述需要报废的不良品 的目的。 为了实现上述目的，本专利技术目的在于提出了一种利用DRAM不良品的方法，其特征 在于： 步骤1. 1，系统自检或自动测试机测试DRAM，查找DRAM中出现错误的Ce 1 1，并记 录缺陷地址信息； 步骤1. 2,确定可替代步骤1. 1查找到的Cell的替代Cell的替代地址信息； 步骤1. 3,将步骤1. 2和步骤1. 1获取到的缺陷地址信息和替代地址信息创建缺陷 表格，所述缺陷表格至少存储了 DRAM不良品的所有缺陷地址信息和替代地址信息； 步骤1. 4,系统访问DRAM，系统总线通过地址映射单元相访问DRAM，地址映射单元 接收到系统总线请求的地址信息，查询缺陷表格，根据缺陷表格中的信息，判断当前访问的 地址信息是否需要地址重映射，如果需要则通过地址映射单元将替代地址替代缺陷地址实 现系统总线所要访问的地址转换成实际无缺陷的地址，保证系统总线访问地址的连续性和 正确性。 所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于还包括计算DRAM的有效地址范围，将 DRAM原始物理Cell总数减去出现错误的Cell得到有效的Cell总数，实现计算DRAM的有 效地址范围，并将该信息反馈给系统，系统根据该信息计算有效地址范围。 所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于在DRAM内部设置一个微处理器，微处 理器设置有DRAM自检程序，系统上电后，微处理器自动执行DRAM自检程序，更新缺陷表格 的信息，同时实现计算DRAM的有效地址范围，并将该信息反馈给系统。 所述的微处理器上还设有校验程序，校验在读/写DRAM过程中是否出现Cell错 误，如果出现Cell错误，则记录缺陷地址信息并确定可替代Cell的替代地址信息，更新缺 陷表格信息。 本专利技术通过动态增加缺陷列表来存储DRAM芯片的缺陷地址信息和替换地址信 息，可实现将％ 80以上的DRAM废品颗粒变为可用颗粒，随着DRAM制程向纳米级发展，经济 效益将会更加明显，且能够解决在DRAM颗粒在出厂后、使用中逐渐出现的错误，将使用过 程中发现变坏的Cell的地址信息可以被动态地加入到缺陷表格中，从而延长系统的使用 寿命。 【专利附图】【附图说明】 图1是：利用DRAM不良品的方法的系统框图； 图2是：本专利技术一种具体实施例地址转换示意图。 【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 图1是利用DRAM不良品的方法的系统框图，外部系统总线由地址总线Address bus和数据总线Data busg构成，地址总线Address bus与地址映射单元Address_remap_ unit相连接，地址映射单元Address_remap_unit将地址总线Address bus输入的外部系 统请求访问地址查询缺陷表格Defect_table，缺陷表格Defect_table存储了系统中所有 DRAM芯片的所有缺陷地址及其替代地址信息，地址映射单元Address_remap_unit根据缺 陷表格Defect_tabl e中的信息将系统总线请求的访问地址转换成为实际的DRAM无缺陷的 重定位地址Address_remap，有缺陷的地址被跳过，从而保证从系统总线上看到的DRAM地 址空间仍然是连续的，虽然总长度减小了。减小的地址空间数量就取决于DRAM的缺陷地 址个数和分布。最终，经过Address_remap_unit转换后的重定位地址Address_remap通过 DRAM控制器DRAM_ctrl在DRAM chips中都寻址到的都是没有缺陷Cell，最终实现DRAM的 访问。 图2是本专利技术一种具体实施例地址转换示意图，DRAM的实际物理空间为256byte， 缺陷列表包括如下信息和有效DRAM大小DRAM_SIZE信息： 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用DRAM不良品的方法，其特征在于：步骤1.1，系统自检或自动测试机测试DRAM，查找DRAM中出现错误的Cell，并记录缺陷地址信息；步骤1.2，确定可替代步骤1.1查找到的Cell的替代Cell的替代地址信息；步骤1.3，将步骤1.2和步骤1.1获取到的缺陷地址信息和替代地址信息创建缺陷表格，所述缺陷表格至少存储了DRAM不良品的所有缺陷地址信息和替代地址信息；步骤1.4，系统访问DRAM，系统总线通过地址映射单元相访问DRAM，地址映射单元接收到系统总线请求的地址信息，查询缺陷表格，根据缺陷表格中的信息，判断当前访问的地址信息是否需要地址重映射，如果需要则通过地址映射单元将替代地址替代缺陷地址实现系统总线所要访问的地址转换成实际无缺陷的地址，保证系统总线访问地址的连续性和正确性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄运新，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44