背照式光感测元件封装体制造技术

本发明专利技术公开了一种背照式光感测元件封装体，其包括线路子基座、背照式光感测元件、多个导电端子以及散热结构。背照式光感测元件包括内连线层以及光感测元件阵列，其中内连线层位于线路子基座上，且位于光感测元件阵列与线路子基座之间。导电端子位于内连线层与线路子基座之间，以电性连接内连线层与线路子基座。散热结构位于内连线层下，且散热结构与光感测元件阵列分别位于内连线层的两对侧。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种背照式光感测元件封装体，其包括线路子基座、背照式光感测元件、多个导电端子以及散热结构。背照式光感测元件包括内连线层以及光感测元件阵列，其中内连线层位于线路子基座上，且位于光感测元件阵列与线路子基座之间。导电端子位于内连线层与线路子基座之间，以电性连接内连线层与线路子基座。散热结构位于内连线层下，且散热结构与光感测元件阵列分别位于内连线层的两对侧。【专利说明】背照式光感测元件封装体
本专利技术是有关于一种光感测元件封装体，且特别是有关于一种背照式光感测元件 封装体。
技术介绍
随着影音多媒体的盛行，数字图像设备相继推出，其关键核心零组件光感测元件 的地位也日益重要。光感测元件主要负责将光的图像信号转换成电的信号，而依光感测元 件的类型通常可分为电荷稱合元件（Charge Coupled Device, CCD)以及互补式金属氧化物 半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)光感测兀件等等。 图1A绘示为现有的一种正面照光的光感测元件封装体的剖面示意图。图1B绘示 为现有的一种背面照光的光感测元件封装体(也称作背照式光感测元件封装体）的剖面示 意图。请参照图1A，正面照光的光感测元件封装体100A是将内连线层120设置在光感测 元件阵列110的受光面S1上，并将微光学结构层140以及彩色滤光层130设置在内连线层 120上。因此，光束L除了通过微光学结构层140以及彩色滤光层130之外，还必须经过内 连线层120,才能被光感测元件阵列110所接收。由于内连线层120中的金属层122会反射 光束而降低光感测元件阵列110所感测到的光强度，因此现有的正面照光的光感测元件封 装体100A有低光填充率（fill factor，指单一像素中可接收到光束的面积对整个像素的 比例）以及低对比（contrast)等缺点。 因此，有技术提出一种背照式光感测元件封装体100B (如图1B所示)，其是将内连 线层120设置于光感测元件阵列110的背面S2 (指受光面S1的对面)，且将微光学结构层 140以及彩色滤光层130设置在光感测元件阵列110的受光面S1上。因此，光束L仅需通 过微光学结构层140以及彩色滤光层130而不需要经过内连线层120,即可被光感测元件阵 列110所接收。如此一来，可以避免光束L被内连线层120反射，进而可以提升光感测元件 封装体100B的光填充率以及对比。 然而，位于背照式光感测元件封装体100B的背面S2的内连线层120通常还需 与线路基板(未绘示）连接，由于线路基板的热传导率不佳，以致背照式光感测元件封装体 100B无法顺利地散热，而产生漏电流，进而造成背照式光感测元件封装体100B的灵敏度不 佳、信号干扰以及成像不均匀等问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种背照式光感测元件封装体，其通过改善漏电流的问题来提供良好 的成像品质。 本专利技术的一种背照式光感测元件封装体，其包括线路子基座、背照式光感测元件、 多个导电端子以及散热结构。背照式光感测元件包括内连线层以及光感测元件阵列，其中 内连线层位于线路子基座上，且位于光感测元件阵列与线路子基座之间。导电端子位于内 连线层与线路子基座之间，以电性连接内连线层与线路子基座。散热结构位于内连线层下， 且散热结构与光感测元件阵列分别位于内连线层的两对侧。 本专利技术的背照式光感测元件封装体利用散热结构以将光感测元件阵列的热量导 出，由此降低因热而产生的漏电流所造成的信号干扰。如此一来，背照式光感测元件封装体 可具有良好的灵敏度以及成像品质。 【专利附图】【附图说明】 图1A是现有的一种正面照光的光感测元件封装体的剖面示意图。 图1B是现有的一种背面照光的光感测元件封装体的剖面示意图。 图2是依照本专利技术的一实施例的背照式光感测元件封装的剖面示意图。 图3及图4是依照本专利技术的其他实施例的背照式光感测元件封装体的剖面示意 图。 图5A至图5G是依照本专利技术的图2的实施例的背照式光感测元件封装的制作流程 的剖面示意图。 图6及图7是依照本专利技术的其他实施例的背照式光感测元件封装体的剖面示意 图。 其中，附图标记： 100A :光感测元件封装体 100B、200、300、400 :背照式光感测元件封装体 110、224 :光感测元件阵列 112:光感测元件 120、222:内连线层 122 :金属层 130、250 :彩色滤光层 140、260 :微光学结构层 210 :线路子基座 212 :子基座 214 :线路层 214A、222A :介电层 214B、222B :焊垫 220 :背照式光感测元件 222C :介层窗插塞 230:导电端子 240A、240B、240C :散热结构 242:导电柱 242A:N型导电柱 242B :P 型导电柱 244A、244B :散热柱 252、254、256 :彩色滤光图案 262 :微透镜 510 :光感测元件基板 512 :基板 520 :暂时性基板 530、540 :粘着层 550:盖板 560:电路板 570:凸块 580:导电结构 L :光束 S1 :受光面 S2 :背面 VI :散热贯孔 V2:导电贯孔 【具体实施方式】 为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图 作详细说明如下。 图2是依照本专利技术的一实施例的背照式光感测元件封装的剖面示意图。请参照图 2,本实施例的背照式光感测元件封装体200包括线路子基座210、背照式光感测元件220、 多个导电端子230以及散热结构240A。 线路子基座210包括子基座212以及配置于子基座212上的线路层214,其中线路 层214例如包括介电层214A以及分布于介电层214A中的多个横向的焊垫214B。 背照式光感测元件220可以是互补金属氧化物半导体光感测元件或电荷耦合元 件。进一步而言，背照式光感测元件220包括内连线层222以及光感测元件阵列224,其中 内连线层222位于线路子基座210上，且位于光感测元件阵列224与线路子基座210之间。 内连线层222包括介电层222A、多层横向的金属层(包括多个焊垫222B)以及多个 纵向的介层窗插塞222C，其中金属层以及介层窗插塞222C通常为遮光的导电材料，例如是 钨、铜、铝、铝铜合金或铝硅铜合金等。 现有正面照光的光感测元件封装体100A (绘示于图1A)将内连线层120设置在 光感测元件阵列110的受光面S1上，以致光束L需要经过内连线层120才可被光感测元件 112所接收。因此，为避免内连线层120中易遮光的膜层(金属层122)遮蔽到光感测元件阵 列110,必须改变内连线层120中的线路布局，以避开各光感测元件112的上方。相较之下， 本实施例的内连线层222是配置于光感测元件阵列224的背面S2上，而非受光面S1上，因 此可以不用去改变内连线层222中的线路布局即可具有较佳的光填充率以及对比。 请再参照本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背照式光感测元件封装体，其特征在于，包括：线路子基座；背照式光感测元件，包括：内连线层，位于所述线路子基座上；光感测元件阵列，其中所述内连线层位于所述光感测元件阵列与所述线路子基座之间；多个导电端子，位于所述内连线层与所述线路子基座之间，以电性连接所述内连线层与所述线路子基座；以及散热结构，位于所述内连线层下，且所述散热结构与所述光感测元件阵列分别位于所述内连线层的两对侧。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：萧志诚，戴明吉，柯正达，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71