芯片和芯片装置制造方法及图纸

各个实施例提供了一种芯片和芯片装置。芯片可以包括具有两个主表面和多个侧表面的本体；在本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸的第一功率电极；以及在本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸的第二功率电极。

【技术实现步骤摘要】
芯片和芯片装置
本专利技术的各个实施例总体涉及一种芯片、芯片装置以及用于制造芯片和芯片装置的方法。
技术介绍
功率半导体芯片可以集成进入电子封装中，例如通孔型封装（THP）或表面安装器件（SMD）。图1示出了传统的功率封装100，包括引线框架102和通过焊接接线106附着在引线框架102上的芯片104。由键合接线108执行对芯片104的重分布或重布线。模塑化合物110包封芯片104和引线框架102以形成功率封装100。然而，该类型的功率封装可能在电性能（例如键合接线的最大电流承载能力）以及热性能方面具有限制。在一些方法中，借由夹具或者借由电化学（galvanic）重分布或重布线而取代了例如功率封装100中的键合接线。由于截面的增大，这些措施可以提高最大电流承载能力。然而，热芯片限制仍然与键合接线重分布可比较，因为这受到引线框架（LF）以及对应的芯片连接的控制。
技术实现思路
本专利技术的各个实施例提供了一种芯片。芯片可以包括：具有两个主表面和多个侧表面的本体；在本体的至少一个主表面以及至少一个侧表面之上延伸的第一功率电极；以及在本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸的第二功率电极。附图说明在附图中，相同的附图标记在不同附图中总体涉及相同的部分。附图未必按照比例绘制，替代地通常着眼于对本专利技术原理的图示。在以下说明书中，参照以下附图描述了本专利技术的各个实施例，其中：图1示出了传统的功率封装；图2示出了根据各个实施例的芯片；图3示出了根据各个实施例的芯片；图4示出了根据各个实施例的芯片装置；图5示出了根据各个实施例的芯片装置；图6示出了根据各个实施例的芯片装置；图7示出了根据各个实施例的芯片装置；图8A示出了传统的芯片装置；图8B示出了根据各个实施例的芯片装置；图9A示出了根据各个实施例的芯片装置；图9B示出了根据各个实施例的级联电路；图10示出了根据各个实施例的图示制造芯片的方法的流程图；以及图11示出了根据各个实施例的图示制造芯片装置的方法的流程图。具体实施方式以下详细说明书参照借由图示方式示出其中可以实施本专利技术的具体细节和实施例的附图。在本文中使用词语“示例性”意味着“用作示例、实例或图示”。在本文中作为“示例性”所描述的任何实施例或设计未必解释为相对于其它实施例或设计为优选或有利的。在本文中可以使用关于形成在侧部或表面“之上”的沉积材料使用的词语“在……之上”以意味着沉积的材料可以“直接”形成在所指的侧部或表面上，例如与其直接接触。在本文中可以使用关于形成在侧部或表面“之上”的沉积材料使用的词语“在……之上”以意味着沉积的材料可以“间接”形成在所指的侧部或表面上，其中在所指侧部或表面与沉积的材料之间布置有一个或多个附加层。各个实施例可以提供一种芯片和芯片装置，其中针对功率芯片封装电地并且热地改进了芯片重布线或重分布。各个实施例可以提供一种用于功率封装的三维（3D）芯片重分布。图2示出了根据各个实施例的芯片200。芯片200可以包括本体202，本体202具有两个主表面204、206（例如顶主表面204和底主表面206）以及多个侧表面208。芯片200可以进一步包括：第一功率电极212，在本体202的至少一个主表面204、206和至少一个侧表面208之上延伸；以及第二功率电极214，在本体的至少一个主表面204、206和至少一个侧表面208之上延伸。在如图2所示实施例中，第一功率电极212和第二功率电极214可以在两个主表面204、206之上延伸。然而，应该理解的是第一功率电极212和第二功率电极214可以仅在两个主表面204、206的一个之上延伸。在各个实施例中，第一功率电极212和第二功率电极214的至少一个可以在本体202的多个侧表面208的至少一部分之上延伸。在各个实施例中，第一功率电极212和第二功率电极214的至少一个可以在本体202的两个主表面204、206的一部分之上延伸。在各个实施例中，第一功率电极212和第二功率电极214的至少一个可以通过可焊接层210而在本体202的至少一个主表面204、206和至少一个侧表面208之上延伸。在各个实施例中，第一功率电极212和第二功率电极214可以具有对称的布置。例如，如图2所示，第一功率电极212和第二功率电极214对称地布置在本体的主表面204上。第一功率电极212和第二功率电极214的至少一个可以由金属制成，诸如例如选自由Cu、Ni、Ti、Au、Ag、Pd、Pt、W构成的金属组中的金属。图3示出了根据各个实施例的芯片300。类似于图2的芯片200，芯片300可以包括本体202，本体202具有两个主表面204、206（例如顶主表面204和底主表面206）以及多个侧表面208。芯片300可以进一步包括：第一功率电极212，在本体202的至少一个主表面204、206和至少一个侧表面208之上延伸；以及第二功率电极214，在本体的至少一个主表面204、206和至少一个侧表面208之上延伸。类似于图2的各个实施例，芯片300的第一功率电极212和第二功率电极214可以在两个主表面204、206的一个或两个之上延伸。在各个实施例中，芯片300的第一功率电极212和第二功率电极214的至少一个可以在本体202的多个侧表面208的至少一部分之上延伸。在各个实施例中，芯片300的第一功率电极212和第二功率电极214的至少一个可以在本体202的两个主表面204、206的一部分之上延伸。类似于图2的各个实施例，芯片300的第一功率电极212和第二功率电极214的至少一个可以通过可焊接层210而在本体的至少一个主表面204、206和至少一个侧表面208之上延伸。类似于图2的各个实施例，芯片300的第一功率电极212和第二功率电极214可以具有对称的布置。芯片300的第一功率电极212和第二功率电极214的至少一个可以由选自由CU、Ni、Ti、Au、Ag、Pd、Pt、W构成的金属组中的金属制成。根据各个实施例，芯片300可以被配置为功率晶体管。在各个实施例中，芯片300可以进一步包括功率晶体管的控制电极316。在各个实施例中，控制电极316和两个功率电极212、214可以布置在本体202的相同主表面上，例如在主表面204上。在各个实施例中，控制电极316也可以布置在本体202的不同于功率电极212、214的另一主表面上，例如在另一主表面206上。根据各个实施例，芯片300可以被配置为功率场效应晶体管，例如功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）或JFET（结型场效应晶体管）。第一功率电极212可以是源极电极（例如图3中由S标出），第二功率电极214可以是漏极电极（例如图3中由D标出），并且控制电极316可以是栅极电极（例如由图3中G标出）。根据各个实施例，芯片300可以被配置为双极型晶体管。第一功率电极212可以是发射极电极，第二功率电极214可以是集电极电极，并且控制电极316可以是基极电极。根据各个实施例，芯片300可以被配置为绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。第一功率电极212可以是发射极电极，第二功率电极214可以是集电极电极，并且控制电极316可以是栅极电极。在各个实施例中，芯片可以被配置为各种功率部件，诸如高电子迁移率晶体管（HEMT），例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片，包括：本体，包括两个主表面和多个侧表面；第一功率电极，在所述本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸；第二功率电极，在所述本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸。

【技术特征摘要】
2013.04.11 US 13/860,5381.一种芯片，包括：本体，包括第一主表面和第二主表面以及多个侧表面；第一功率电极，在所述本体的所述第一主表面和所述第二主表面的至少一部分以及至少一个侧表面之上延伸；第二功率电极，在所述本体的所述第一主表面和所述第二主表面中的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸；还包括至少一个过孔，所述至少一个过孔穿过所述本体从所述第一功率电极的在所述第一主表面之上延伸的部分延伸至所述第一功率电极的在所述第二主表面之上延伸的部分。2.根据权利要求1所述的芯片，其中所述第一功率电极和所述第二功率电极中的至少一个在所述本体的多个所述侧表面的至少一部分之上延伸。3.根据权利要求1所述的芯片，其中所述第二功率电极在所述本体的所述第一主表面和所述第二主表面的一部分之上延伸；还包括至少一个过孔，所述至少一个过孔穿过所述本体从所述第二功率电极的在所述第一主表面之上延伸的部分延伸至所述第二功率电极的在所述第二主表面之上延伸的部分。4.根据权利要求1所述的芯片，其中所述第一功率电极和所述第二功率电极具有对称布置。5.根据权利要求1所述的芯片，其中所述第一功率电极和所述第二功率电极中的至少一个由选自由以下项构成的金属组的金属制成：Cu、Ni、Ti、Au、Ag、Pd、Pt、W。6.根据权利要求1所述的芯片，被配置为功率晶体管。7.根据权利要求6所述的芯片，进一步包括：所述功率晶体管的控制电极。8.根据权利要求7所述的芯片，其中所述控制电极和两个功率电极被布置在所述本体的相同主表面上。9.根据权利要求7所述的芯片，被配置为功率场效应晶体管；其中所述第一功率电极是源极电极，并且所述第二功率电极是漏极电极；并且其中所述控制电极是栅极电极。10.根据权利要求7所述的芯片，被配置为双极型晶体管；其中所述第一功率电极是发射极电极，并且所述第二功率电极是集电极电极；并且其中所述控制电极是基极电极。11.一种芯片装置，包括：芯片载体；以及芯片，被布置在所述芯片载体之上，包括：本体，包括第一主表面和第二主表面以及多个侧表面；第一功率电极，在所述本体的所述第一主表面和所述第二主表面的至少一部分以及至少一个侧表面之上延伸；第二功率电极，在所述本体的所述第一主表面和所述第二主表面中的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸；还包括至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·奥特雷姆巴，J·赫格劳尔，J·施雷德尔，X·施勒格尔，K·希斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT