一种双面发光的LED芯片封装结构制造技术

本发明专利技术涉及LED封装技术领域，具体地说是一种双面发光的LED芯片封装结构，包括芯片，芯片包括P电极、P极电流扩散层、P氮化镓P-Gan、N电极、N极电流扩散层、N氮化镓N-Gan和蓝宝石衬底。本发明专利技术同现有技术相比，设计了双面发光的LED芯片封装结构，将本发明专利技术的芯片倒置，并与基板表面的印刷电路通过锡球连接，一方面，由于取消了原有的DBR反射层，在P氮化镓P-Gan和N氮化镓N-Gan双面发光时，提高了芯片的发光效率；另一方面，由于采用的依然是正装芯片，相比倒装芯片，LED灯丝的制造成本得以降低。

【技术实现步骤摘要】
一种双面发光的LED芯片封装结构
本专利技术涉及LED封装
，具体地说是一种双面发光的LED芯片封装结构。
技术介绍
目前，常见的LED灯丝内部的芯片有两种，一种是正装芯片，另一种是倒装芯片。 正装芯片电极在上方，从上至下材料为：P电极，发光层，N电极，衬底。正装芯片大多是单面 发光的，发光效率较低。正装芯片一般采用胶水固定，正装芯片之间采用连接线相互连接， 正装芯片是最早出现的芯片结构，正装芯片的电极挤占发光面积，从而进一步影响了发光 效率。 为了提高芯片的发光效率，技术人员研发了倒装芯片。倒装芯片的衬底被剥去， 芯片材料是透明的，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出。倒装芯片虽然在发光 效率上存在优势，但倒装芯片的价格较高，制备LED灯丝的工艺也更复杂，造成生产成本的 大幅上升。 因此，需要设计一种能够提高发光效率且成本较低的种双面发光的LED芯片封装 结构。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供了一种能够提高发光效率且成本较低 的种双面发光的LED芯片封装结构。 为了达到上述目的，本专利技术设计了一种双面发光的LED芯片封装结构，包括芯片， 其特征在于：芯片包括P电极、P极电流扩散层、P氮化镓P_Gan、N电极、N极电流扩散层、N 氮化镓N-Gan和蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的上表面贴附有N氮化镓N-Gan，N氮化镓N-Gan 的上表面一端和中部贴附有P氮化镓P-Gan，P氮化镓P-Gan的上表面贴附有P极电流扩散 层，P极电流扩散层的上表面贴附有P电极，N氮化镓N-Gan的上表面另一端贴附有N极电 流扩散层，N极电流扩散层的上表面贴附有N电极。 所述的芯片的P电极和N电极表面设有锡球，芯片倒置并与基板表面的印刷电路 固定，芯片与印刷电路之间采用助焊剂焊接锡球固定，基板和芯片的表面、基板的底面分别 涂覆有荧光胶。 所述的基板为非透明基板。 所述的P电极为金锡合金或锡凸点。 所述的N电极为金锡合金或锡凸点。 本专利技术同现有技术相比，设计了双面发光的LED芯片封装结构，将本专利技术的芯片 倒置，并与基板表面的印刷电路通过锡球连接，一方面，由于取消了原有的DBR反射层，在P 氮化镓P-Gan和N氮化镓N-Gan双面发光时，提高了芯片的发光效率；另一方面，由于采用 的依然是正装芯片，相比倒装芯片，LED灯丝的制造成本得以降低。 【附图说明】 图1为本专利技术的结构示意图。 图2为本专利技术的俯视图。 图3为本专利技术的使用示意图。 参见图1-图3,1为P电极；2为P极电流扩散层；3为P氮化镓P-Gan ;4为N电 极；5为N极电流扩散层；6为N氮化镓N-Gan ;7为蓝宝石衬底；9为芯片；10为锡球；11 为印刷电路；12为基板；13为荧光胶。 【具体实施方式】 现结合附图对本专利技术做进一步描述。 参见图1-图2,本专利技术是一种双面发光的LED芯片封装结构，包括芯片。芯片9 包括P电极1、P极电流扩散层2、P氮化镓P-Gan3、N电极4、N极电流扩散层5、N氮化镓 N-Gan6和蓝宝石衬底7,蓝宝石衬底7的上表面贴附有N氮化镓N-Gan6, N氮化镓N-Gan6 的上表面一端和中部贴附有P氮化镓P-Gan3，P氮化镓P-Gan3的上表面贴附有P极电流扩 散层2, P极电流扩散层2的上表面贴附有P电极1，N氮化镓N-Gan6的上表面另一端贴附 有N极电流扩散层5, N极电流扩散层5的上表面贴附有N电极4。 本专利技术中，P电极1为金锡合金或锡凸点，N电极4为金锡合金或锡凸点。 参见图3,芯片9的P电极1和N电极4表面设有锡球10,基板12的表面设有印 刷电路11，芯片9倒置并与基板12表面的印刷电路11固定，芯片9与印刷电路11之间采 用助焊剂焊接锡球10固定，两个锡球10分别固定在相邻的两段印刷电路11上，基板12和 芯片9的表面、基板12的底面分别涂覆有荧光胶13。 基板12为非透明基板，厚度小于0. 5毫米，非透明基板具备透光性。 由于采用的是非透明基板，非透明基板表面和非透明基板底面的光的亮度是不一 样的，为了使两边的亮度相同，非透明基板表面荧光胶13的厚度大于底部的厚度。由于非 透明基板底部的荧光胶13比常规的LED芯片封装体的荧光胶薄，可以在非透明基板底部的 荧光胶13表面进行印刷。 本专利技术由P氮化镓P-Gan和N氮化镓N-Gan双面发光，使芯片9的发光效率得到 提1?。 本专利技术设计了双面发光的LED芯片封装结构，将本专利技术的芯片倒置，并与基板表 面的印刷电路通过锡球连接，一方面，由于取消了原有的DBR反射层，在P氮化镓P-Gan和 N氮化镓N-Gan双面发光时，提高了芯片的发光效率；另一方面，由于采用的依然是正装芯 片，相比倒装芯片，LED灯丝的制造成本得以降低。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面发光的LED芯片封装结构，包括芯片，其特征在于：芯片（9）包括P电极（1）、P极电流扩散层（2）、P氮化镓P‑Gan（3）、N电极（4）、N极电流扩散层（5）、N氮化镓N‑Gan（6）和蓝宝石衬底（7），蓝宝石衬底（7）的上表面贴附有N氮化镓N‑Gan（6），N氮化镓N‑Gan（6）的上表面一端和中部贴附有P氮化镓P‑Gan（3），P氮化镓P‑Gan（3）的上表面贴附有P极电流扩散层（2），P极电流扩散层（2）的上表面贴附有P电极（1），N氮化镓N‑Gan（6）的上表面另一端贴附有N极电流扩散层（5），N极电流扩散层（5）的上表面贴附有N电极（4）。

【技术特征摘要】
1. 一种双面发光的LED芯片封装结构，包括芯片，其特征在于：芯片（9)包括P电极 (1)、P极电流扩散层（2)、P氮化镓P-Gan (3)、N电极（4)、N极电流扩散层（5)、N氮化镓 N-Gan (6)和蓝宝石衬底（7)，蓝宝石衬底（7)的上表面贴附有N氮化镓N-Gan (6)，N氮化 镓N-Gan (6)的上表面一端和中部贴附有P氮化镓P-Gan (3)，P氮化镓P-Gan (3)的上 表面贴附有P极电流扩散层（2)，P极电流扩散层（2)的上表面贴附有P电极（1)，N氮化镓 N-Gan (6)的上表面另一端贴附有N极电流扩散层（5)，N极电流扩散层（5)的上表面贴附 有N电极（4)。2. 根据权利要求1所述的一种双面发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡溢文，
申请(专利权)人：胡溢文，
类型：发明
国别省市：江苏;32