钝化膜形成用组合物、带钝化膜的半导体基板及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和树脂的钝化膜形成用组合物。式中，R1分别独立地表示碳原子数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳原子数1～8的烷基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】钝化膜形成用组合物、带钝化膜的半导体基板及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法
本专利技术涉及钝化膜形成用组合物、带钝化膜的半导体基板及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法。
技术介绍
对以往的硅太阳能电池元件的制造工序进行说明。 首先，为了促进陷光效应而实现高效率化，准备在受光面侧形成有纹理结构的P型硅基板，接着，在氧氯化磷(P0C13)、氮气、氧气的混合气体气氛中在800°C~900°C下进行数十分钟的处理，均匀地形成η型扩散层。在该以往的方法中，由于使用混合气体进行磷的扩散，因此不仅在受光面的表面形成η型扩散层，而且在侧面、背面也形成η型扩散层。因此，为了除去侧面的η型扩散层而进行侧蚀刻。此外，背面的η型扩散层需要变换为P+型扩散层，并且在整个背面涂布铝糊剂并对其进行烧结而形成铝电极，由此使η型扩散层成为P+型扩散层，同时得到欧姆接触。 但是，由铝糊剂形成的铝电极的电导率低。因此，为了降低薄膜电阻，通常形成于整个背面的铝电极在烧结后必须具有10 μ m~20 μ m左右的厚度。进而，由于硅与铝的热膨胀率大不相同，因此，在烧结和冷却的过程中，使硅基板中产生较大的内部应力，从而造成晶界损伤(damage)、结晶缺陷增长及翅曲。 为了解决该问题，有减少铝糊剂的涂布量而使背面电极层变薄的方法。但是，如果减少铝糊剂的涂布量，则从P型硅半导体基板的表面扩散至内部的铝量变得不充分。结果:无法实现所需的BSF (Back Surface Field，背场)效应(因p+型扩散层的存在而使生成载流子的收集效率提高的效应)，因此产生太阳能电池的特性降低的问题。 基于上述情况，提出了通过在硅基板表面的一部分赋予铝糊剂而局部地形成P+层和铝电极的点接触的方法(例如参照日本专利第3107287号公报)。 此种在与受光面相反的一侧(以下也称为“背面侧”)具有点接触结构的太阳能电池的情况下，需要在除铝电极以外的部分的表面抑制少数载流子的再结合速度。作为用于该用途的背面侧用的半导体基板钝化膜(以下也简称为“钝化膜”)，提出了 S12膜等(例如参照日本特开2004-6565号公报)。作为因形成此种氧化膜所产生的钝化效果，包括将娃基板的背面表层部娃原子的未结合键封端，从而使引起再结合的表面能级密度降低的效果O 此外，作为抑制少数载流子的再结合的其它方法，包括利用钝化膜内的固定电荷所产生的电场来降低少数载流子密度的方法。这样的钝化效果通常被称为电场效应，并提出了氧化铝(Al2O3)膜等作为具有负固定电荷的材料(例如参照日本专利第4767110号公报)。 这样的钝化膜通常通过ALD(Atomic Layer Deposit1n,原子层沉积)法、CVD (Chemical Vapor Depositor!,化学气相沉积)法等方法形成(例如参照Journal ofApplied Physics, 104(2008)，113703)。此外，作为在半导体基板上形成氧化铝膜的简便的方法，提出了利用溶胶凝胶法的方法(例如参照Thin Solid Films, 517 (2009), 6327-6330 ；Chinese Physics Letters,26(2009)，088102)。
技术实现思路
专利技术要解决的课题 Journal of Applied Physics, 104 (2008), 113703 中记载的方法包含蒸镀等复杂的制造工序，所以存在难以提高生产率的情况。此外，在用于Thin Solid Films,517 (2009)，6327-6330 及 Chinese Physics Letters, 26 (2009)，088102 所记载的方法的钝化膜形成用组合物中，会经时性地产生凝胶化等不良情况，保存稳定性还难以称得上充分。 本专利技术鉴于以上的以往问题而完成，其课题在于提供能够以简便的方法形成所需形状的钝化膜且保存稳定性优异的钝化膜形成用组合物。此外，本专利技术的课题也在于提供使用了该钝化膜形成用组合物的带钝化膜的半导体基板及太阳能电池元件。进而，本专利技术的课题还在于提供使用了该钝化膜形成用组合物的带钝化膜的半导体基板及太阳能电池元件的制造方法。 用于解决课题的手段 用于解决上述课题的具体手段如下所述。 <1> 一种钝化膜形成用组合物，其包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和树脂。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钝化膜形成用组合物，其包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和树脂，式中，R1分别独立地表示碳原子数1～8的烷基，n表示0～3的整数，X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基，R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳原子数1～8的烷基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.06 JP 2012-0016411.一种钝化膜形成用组合物，其包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和树脂，式中，R1分别独立地表示碳原子数I~8的烷基，η表示O~3的整数，X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基，R2> R3及R4分别独立地表示氢原子或碳原子数I~8的烷基。2.根据权利要求1所述的钝化膜形成用组合物，其中，在所述通式(I)中，R1分别独立地为碳原子数I~4的烷基。3.根据权利要求1或2所述的钝化膜形成用组合物，其中，在所述通式(I)中，η为I~3的整数，R4分别独立地为氢原子或碳原子数I~4的烷基。4.根据权利要求1~3中任一项所述的钝化膜形成用组合物，其中，所述树脂的含有率为0.1质量％~30质量％。5.一种带钝化膜的半导体基板，其具有半导体基板和设置于所述半导体基板上的整面或一部分的钝化膜，所述钝化膜为权利要求1~4中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中彻，织田明博，野尻刚，吉田诚人，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP