一种半芯片制造用研磨组合物制造技术

技术编号:10432210 阅读:111 留言:0更新日期:2014-09-17 10:51
本发明专利技术公开了一种半芯片制造用研磨组合物,其特征在于,包括下列重量份数的物质:亲水基表面活性剂11-19份,多聚甲醛5-19份,多聚甲醛4-6份,硫酸锌6-8份,硫酸镁1-3份,硫酸银4-9份,硫酸铜3-8份,分子筛2-3份,硅藻土5-12份,硼酸钠3-10份,纳米有机蒙脱土4-10份,滑石粉4-6份,硬脂酸锌4-6份,氯化钙2-5份。本发明专利技术的化学机械研磨剂中包括亲水基表面洁性剂材料,可以降低化学机械研磨剂和正在水性薄膜间的表面张力,使化学机械研磨剂和琉水性薄膜更紧密贴合。

【技术实现步骤摘要】
一种半芯片制造用研磨组合物
本专利技术涉及一种半芯片制造用研磨组合物。
技术介绍
在半导体制造中,化学机械研磨(CMP)技术可以实现整个晶圆的平坦化,成为芯片制造工艺中重要的步骤之一。在化学机械研磨中,化学机械研磨剂(Slurry)是化学机械研磨技术的关键要素之一,其性能直接影响抛光后表面的质量。设计化学机械研磨剂时,希望能达到去除速率高、平面度好、膜厚均匀、无残留、缺陷少等效果。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半芯片制造用研磨组合物。 为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案是:一种半芯片制造用研磨组合物,其特征在于,包括下列重量份数的物质:亲水基表面活性剂11-19份,多聚甲醛5-19份,多聚甲醛4-6份,硫酸锌6-8份,硫酸镁1-3份,硫酸银4-9份,硫酸铜3-8份,分子筛2-3份,娃操土 5-12份,硼酸钠3-10份,纳米有机蒙脱土 4-10份,滑石粉4-6份,硬脂酸锌4-6份,氯化钙2-5份。 本专利技术的化学机械研磨剂中包括亲水基表面洁性剂材料,可以降低化学机械研磨剂和正在水性薄膜间的表面张力,使化学机械研磨剂和琉水性薄膜更紧密贴合,从而减少琉水性薄膜表面上的残留物和颗粒等缺陷,改善化学机械研磨的效果。 【具体实施方式】 实施例1一种半芯片制造用研磨组合物,其特征在于,包括下列重量份数的物质:亲水基表面活性剂11-19份,多聚甲醛5-19份,多聚甲醛4-6份,硫酸锌6-8份,硫酸镁1-3份,硫酸银4-9份,硫酸铜3-8份,分子筛2-3份,娃操土 5-12份,硼酸钠3-10份,纳米有机蒙脱土 4-10份,滑石粉4-6份,硬脂酸锌4-6份,氯化钙2-5份。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半芯片制造用研磨组合物,其特征在于,包括下列重量份数的物质:亲水基表面活性剂11‑19份,多聚甲醛5‑19份,多聚甲醛4‑6份,硫酸锌6‑8份,硫酸镁1‑3份,硫酸银4‑9份,硫酸铜3‑8份,分子筛2‑3份,硅藻土5‑12份,硼酸钠3‑10份,纳米有机蒙脱土4‑10份,滑石粉4‑6份,硬脂酸锌4‑6份,氯化钙2‑5份。

【技术特征摘要】
1.一种半芯片制造用研磨组合物,其特征在于,包括下列重量份数的物质:亲水基表面活性剂11-19份,多聚甲醛5-19份,多聚甲醛4-6份,硫酸锌6-8份,硫酸镁1-3...

【专利技术属性】
技术研发人员:范向奎
申请(专利权)人:青岛宝泰新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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