【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种,适用于半导体芯片背面减薄后的背面硅腐蚀。属于集成电路或分立器件芯片制造
。
技术介绍
长期以来,半导体芯片在背面蒸发前只采用单一的磨片工艺,随着近年来市场竞争的白热化,产品质量和可靠性已经成为各个芯片厂家产品竞争力的核心。为了提高芯片的质量,在芯片减薄到背面蒸发之间增加硅腐蚀工序,即在芯片背面进行酸腐蚀,去除磨片产生的损伤层,从而消除芯片的内应力,提高芯片的柔性程度,提高芯片的抗大电流冲击能力。 在本专利技术作出以前,常用的适用于半导体芯片减薄后背面硅腐蚀工艺主要采用以下两个技术:现行工艺一、将需要进行硅腐蚀的芯片(正面采用贴膜保护)全部浸入硅腐蚀液(硝酸、冰乙酸和氢氟酸的混合酸)中一段时间进行硅腐蚀一取出放入冲水槽进行冲水一放入甩干机中甩干。 该工艺的不足之处在于:芯片背面在离开硅腐蚀液到放入纯水之间,硅片表面残存的硅腐蚀液仍将与硅片表面发生化学反应,但这时硅片与硅腐蚀液的化学反应是不完整的和不均匀的,这时硅片的表面出现一层厚度不均匀的氮氧络合物。这一层络合物在背面蒸发后,会产生明显的挂水状的色差,严重影响芯片的外观质量。 现行工艺二、将需要腐蚀的硅片放在转动的吸盘上(背面朝上,正面通过冲水保护),设备将硅腐蚀液冲在转动的芯片背面,腐蚀结束后立即冲水和甩干。 该工艺的不足之处在于:1、成本较高,设备复杂,投资大。 2、因硅腐蚀液无法回用,单片硅腐蚀液消耗是工艺一的10倍。 3、虽然较工艺一背面蒸发后的色差有所改善,但不能完全消除。 综上所述:现行的两种背面硅腐蚀工艺无法保证腐蚀质量和背 ...
【技术保护点】
一种半导体芯片背面硅腐蚀的工艺方法,其特征在于所述工艺方法包括以下步骤:步骤一、半导体芯片提取将半导体芯片移至腐蚀片架内,待腐蚀;步骤二、半导体芯片的背面腐蚀将装有半导体芯片的腐蚀片架放入到腐蚀机的硅腐蚀槽中,腐蚀时间为10‑60秒,腐蚀时芯片在转动,硅腐蚀液为硝酸:冰乙酸:40%浓度氢氟酸 = 3:2:1,腐蚀的温度控制在9‑10℃;步骤三、半导体芯片去离子水清洗待腐蚀结束后,将装有半导体芯片的腐蚀片架移至腐蚀机的冲水槽中,对半导体芯片进行冲水,冲水4次;步骤四、半导体芯片浸泡到双氧水和氟化铵溶液的混合水溶液经去离子水冲洗结束后,将装有半导体芯片的腐蚀片架移至泡酸槽中浸泡,泡酸槽内装有经过充分搅拌和混合的双氧水和氟化铵溶液的水溶液,具体配比是:双氧水:40%浓度氟化铵溶液:纯水=1:1:8,浸泡时间为5分钟;步骤五、半导体芯片去离子水清洗甩干待浸泡氟化铵腐蚀液结束后,将装有半导体芯片的腐蚀片架移至腐蚀柜中的冲水槽,冲水6‑7次,冲水结束后,将片架放到甩干机中甩干,甩干机在甩干过程中通90℃的纯氮,直至去除半导体芯片表面的水份。
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片背面硅腐蚀的工艺方法,其特征在于所述工艺方法包括以下步骤: 步骤一、半导体芯片提取 将半导体芯片移至腐蚀片架内,待腐蚀; 步骤二、半导体芯片的背面腐蚀 将装有半导体芯片的腐蚀片架放入到腐蚀机的硅腐蚀槽中,腐蚀时间为10-60秒,腐蚀时芯片在转动,硅腐蚀液为硝酸:冰乙酸:40%浓度氢氟酸=3:2:1,腐蚀的温度控制在9-10。。; 步骤三、半导体芯片去离子水清洗 待腐蚀结束后,将装有半导体芯片的腐蚀片架移至腐蚀机的冲水槽中,对半导体芯片进行冲水,冲水4次; 步骤四、半导体芯片浸泡到双氧水和氟化铵溶液的混合水溶液 经去离子...
【专利技术属性】
技术研发人员:江浩,肖鹏飞,王润波,李建立,沈晓东,高善明,
申请(专利权)人:江阴新顺微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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