带有保护膜形成层的切割片及芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种带有保护膜形成层的切割片，其可以简便地制造具有均一性高、打印精度优异的保护膜的半导体芯片，可以容易地进行保护膜与基材薄膜之间的剥离，并且划片时的芯片的固定能力优异。本发明专利技术涉及的带有保护膜形成层的切割片的特征在于，在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而得的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带有保护膜形成层的切割片及芯片的制造方法
本专利技术涉及一种可以在芯片背面形成保护膜、并且可以提高芯片的制造效率的带有保护膜形成层的切割片(dicingsheet)。此外，本专利技术还涉及使用了带有保护膜形成层的切割片的芯片的制造方法。
技术介绍
近年来，进行了使用被称作所谓的倒装(facedown)方式的安装方法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片(以下也简称为“芯片”。)，将该电极与基板接合。由此，芯片的与电路面相反一侧的面(芯片背面)有时就会露出。该露出了的芯片背面有时由有机膜保护。以往，该具有由有机膜构成的保护膜的芯片是将液状的树脂利用旋涂法涂敷在晶片背面，并在干燥、固化后将保护膜与晶片一起切割而得。但是，如此形成的保护膜由于其厚度精度不足，所以降低了产品的成品率。为了解决上述问题，公开过具有剥离片和形成于该剥离片上的由能量射线固化性成分和粘合剂聚合物成分构成的保护膜形成层的芯片保护用薄膜(专利文献1)。在半导体芯片不断薄型化/高密度化的现在，要求即使在暴露于严酷的温度条件下时，安装了带有保护膜的芯片的半导体装置也具有更高的可靠性。根据本专利技术人等的研究，专利文献1中记载的芯片用保护薄膜在将保护膜形成层固化时会收缩，从而有可能产生半导体晶片翘曲的问题。特别是极薄的半导体晶片则上述问题尤其明显。一旦半导体晶片翘曲，就有可能使晶片破损、或使向保护膜上的标记(打印)精度降低。此外，就专利文献1中记载的芯片用保护薄膜而言，在制造带有保护膜的芯片时，需要在切割片上贴附带有保护膜的晶片、并切割晶片，因而制造工序复杂。所以，如果采用在由基材薄膜和胶粘剂层构成的切割片的胶粘剂层上设置预先切成与晶片相同形状的保护膜形成层的构成，就可以将薄片的外周部贴附在环状框架上并固定，因此可以防止晶片的翘曲。此外，由于可以在此种被固定了的状态下进行划片(dicing)，因此不需要在保护膜形成层的固化后、另外贴附切割片而进行划片，从而可以简化制造工序。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009－138026号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，在上述的构成的带有保护膜形成层的切割片中，胶粘剂层与保护膜形成层在保护膜形成层的加热固化工序中会熔融粘着，在利用划片将晶片单片化后，有可能无法剥离保护膜与胶粘剂层的界面。此外，在不设置胶粘剂层而在基材薄膜上直接设置保护膜形成层的情况下，也有可能因基材薄膜密合而使得保护膜的剥离变得困难，或者破坏保护膜或芯片。此外，相反地在保护膜与基材薄膜之间的密合性过低的情况下，在划片工序中保护膜及晶片的固定不够充分，有可能因划片刀所施加的力而使带有保护膜的芯片移动。本专利技术是鉴于上述的事情而完成的。即，本专利技术的目的在于，提供一种带有保护膜形成层的切割片，其可以简便地制造具有均一性高、打印精度优异的保护膜的半导体芯片，可以容易地进行保护膜与基材薄膜之间的剥离，并且划片时的芯片的固定能力优异。用于解决问题的方案本专利技术包含以下的要旨。(1)一种带有保护膜形成层的切割片，其在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而成的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。(2)根据(1)所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，130℃下加热2小时时的剥离力调整层的热收缩率为－5～+5％。(3)根据(1)或(2)所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，130℃下加热2小时时的基材薄膜的热收缩率为－5～+5％。(4)根据(1)～(3)中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，粘合片与剥离力调整层的层叠体在波长532nm及1064nm下的总光线透过率为70％以上。(5)根据(1)～(4)中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，保护膜形成层含有粘合剂聚合物成分及固化性成分。(6)根据(1)～(5)中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，保护膜形成层含有着色剂，波长300～1200nm下的保护膜形成层的最大透过率为20％以下。(7)一种芯片的制造方法，将上述(1)～(6)中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片的保护膜形成层贴附在工件上，依次进行以下的工序(1)、(2)、(3)：工序(1)：将保护膜形成层固化而得到保护膜；工序(2)：对工件和保护膜形成层或保护膜进行划片；以及工序(3)：将保护膜形成层或保护膜与剥离力调整层剥离。(8)根据(7)所述的芯片的制造方法，其中，在所述工序(1)之后的任一工序中，进行下述工序(4)：工序(4)：向保护膜上激光打印。(9)根据(8)或(9)中记载的芯片的制造方法，其中，在所述工序(2)中，对剥离力调整层进行全切割(fullcut)。专利技术的效果在半导体芯片背面形成保护膜时，通过使用本专利技术涉及的带有保护膜形成层的切割片，可以容易地进行保护膜与基材薄膜之间的剥离，并且划片时的芯片的移动得到抑制，从而可以在半导体芯片背面简便地形成均一性高、打印精度优异的保护膜。附图说明图1表示本专利技术涉及的带有保护膜形成层的切割片的剖面图。具体实施方式以下，对于本专利技术，也包括其最佳的方式在内进一步进行具体的说明。如图1所示，本专利技术涉及的带有保护膜形成层的切割片10在由基材薄膜1和胶粘剂层2构成的粘合片3的胶粘剂层2上，隔着剥离力调整层4具有保护膜形成层5，在粘合片3的内周部，具有剥离力调整层4与保护膜形成层5的层叠体，在粘合片3的外周部露出胶粘剂层2。也就是说，直径小于粘合片3的剥离力调整层4与保护膜形成层5的层叠体以同心圆状层叠在圆形的粘合片3的胶粘剂层2上。露出的外周部的胶粘剂层如图所示，被用于环状框架6的固定中。(基材薄膜1)本专利技术中的基材薄膜1没有特别限定，然而具体来说，优选熔点大于130℃的，或者优选不具有熔点的。此外，在130℃下加热2小时时的基材薄膜的热收缩率优选为－5～+5％。当基材薄膜的熔点为130℃以下、或热收缩率在上述范围外时，在保护膜形成层的固化时基材薄膜就会熔融或收缩，有可能难以保持基材薄膜的形状。此外，基材薄膜有时会与半导体芯片制造工序中的周边的装置熔融粘着。进而，有时会因基材薄膜的熔融、收缩所致的保护膜形成层的变形，而使向保护膜上的打印精度降低。此外，有时还会因基材薄膜的变形，而使粘合片的厚度精度降低，划片适应性受损。此外在划片后如果沿粘合片的纵向或横向产生变形，就有可能会降低芯片的整列性，并损害其拾取适应性。另外，所谓不具有熔点，是指熔点高于树脂的燃烧温度。此外，优选在基材薄膜的MD方向(以长尺寸制造薄膜时的与搬送薄膜的方向平行的方向)、以及CD方向(在薄膜的同一面上与MD方向正交的方向)的任意一个方向中，拉伸测定中的断裂伸长率为100％以上，并且基材薄膜的25％应力为100MPa以下。通过使基材薄膜处于此种范围，在划片时将剥离力调整层完全地切断的情况下，切割片就会显示出良好的扩展适应性。基材薄膜的熔点优选为140℃以上或不具有熔点，更优选熔点为200℃以上或不具有熔点。此外，130℃下加热2小时时的基材薄膜的热收缩率优选为－4～+4％。通过将基材薄膜的熔点或热收缩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有保护膜形成层的切割片，其中，其在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而得的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.26 JP 2011-2834301.一种带有保护膜形成层的切割片，其中，其在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而得的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。2.根据权利要求1所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，130℃下加热2小时时的剥离力调整层的热收缩率为－5～+5％。3.根据权利要求1或2所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，130℃下加热2小时时的基材薄膜的热收缩率为－5～+5％。4.根据权利要求1或2所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，粘合片与剥离力调整层的层叠体部分在波长532nm及1064nm下的总光线透过率为70％以上。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：篠田智则，高野健，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP