一种芯片反向工艺的研磨样品制备方法技术

技术编号:10404780 阅读:181 留言:0更新日期:2014-09-10 13:58
本发明专利技术公开了一种芯片反向工艺的研磨样品制备方法,首先将芯片待研磨表面朝下,放置于一平坦表面;再将矩形的陪片分别放置于芯片的前后左右并与芯片单边对齐;再将可固化黏着剂滴于芯片及陪片上;最后放上固定治具静置固化后完成。本发明专利技术的芯片反向工艺的研磨样品制备方法,由于芯片与陪片表面皆朝下在同一平面下制备样品,不论陪片高度差异,均可在研磨时达到共平面的效果;由于待研磨芯片边缘与陪片同高,在研磨时与芯片中心承受压力相当,研磨速率相当,使芯片研磨平坦性较佳;所述的矩形陪片,其与芯片采单边对齐的排列方法,可使任意矩形陪片,能适应任意矩形芯片,形成无缝对接,避免芯片与陪片间有空隙产生。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了,首先将芯片待研磨表面朝下,放置于一平坦表面;再将矩形的陪片分别放置于芯片的前后左右并与芯片单边对齐;再将可固化黏着剂滴于芯片及陪片上;最后放上固定治具静置固化后完成。本专利技术的芯片反向工艺的研磨样品制备方法,由于芯片与陪片表面皆朝下在同一平面下制备样品,不论陪片高度差异,均可在研磨时达到共平面的效果;由于待研磨芯片边缘与陪片同高,在研磨时与芯片中心承受压力相当,研磨速率相当,使芯片研磨平坦性较佳;所述的矩形陪片,其与芯片采单边对齐的排列方法,可使任意矩形陪片,能适应任意矩形芯片,形成无缝对接,避免芯片与陪片间有空隙产生。【专利说明】
本专利技术属于芯片加工工艺领域,尤其涉及。
技术介绍
在集成电路制造工艺中,反向工艺是了解自身电路与竞争者电路最有效的途径,进而作为电路研究与改良电路的重要方法,在传统芯片反向工艺中,研磨作为去层的有效途径之一,但传统研磨芯片时,由于芯片边缘不受保护,在研磨时边缘承受压力较大,经常造成芯片边缘研磨过度,而形成芯片不平坦情形。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供,旨在解决芯片研磨时,由于芯片边缘不受保护,在研磨时边缘承受压力较大,经常造成芯片边缘研磨过度,而形成芯片不平坦的问题,并优化陪片与芯片的排列方式,可使任意矩形陪片,能适应任意矩形芯片,形成无缝对接,避免芯片与陪片间有空隙产生。本专利技术是这样实现的,,首先将芯片待研磨表面朝下,放置于一平坦表面;再将矩形的陪片分别放置于芯片的前后左右并与芯片单边对齐;再将可固化黏着剂滴于芯片及陪片上;最后放上固定治具静置固化后完成。进一步,所述的芯片是根据半导体工艺所形成的珪片,其形状为矩形。进一步,所述的陪片是与待研磨芯片形状对应的矩形陪片,厚度不拘,材料可为耐研磨之材料,如陶瓷或金属,但以珪片为最佳。进一步,所述的矩形陪片,其与芯片采单边对齐的排列方法,可使任意矩形陪片,能适应任意矩形芯片,形成无缝对接,避免芯片与陪片间有空隙产生。进一步,所述的可固化黏着剂及固定治具,作为固定待研磨芯片及陪片用。进一步,制备完成后的样品,其陪片与待研磨芯片表面为一共平面表面。效果汇总本专利技术的芯片反向工艺的研磨样品制备方法,由于芯片与陪片表面皆朝下在同一平面下制备样品,不论陪片高度差异,均可在研磨时达到共平面的效果;由于待研磨芯片边缘与陪片同高,在研磨时与芯片中心承受压力相当,研磨速率相当,使芯片研磨平坦性较佳;所述的矩形陪片,其与芯片采单边对齐的排列方法,可使任意矩形陪片,能适应任意矩形芯片,形成无缝对接,避免芯片与陪片间有空隙产生。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术实施例提供的正常芯片与芯片侧面放大图;图2是本专利技术实施例提供的传统芯片研磨时,芯片承受研磨垫压力示意图;图3是本专利技术实施例提供的传统芯片研磨时,芯片承受研磨垫压力造成芯片边缘研磨过度示意图;图4是本专利技术实施例提供的样品制备流程图;图5是本专利技术实施例提供的在研磨时,芯片均匀受力示意图;图中:1、芯片;2、固定治具;3、研磨垫;4、陪片;4_1、第一陪片;4_2、第二陪片;4-3、第三陪片;4-4、第四陪片;5、可固化黏着剂。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。图1是正常芯片与芯片侧面放大图;芯片I底面是集成电路工艺所形成多层电路图形;图2是传统芯片研磨时,芯片承受研磨垫压力示意图,2为承载芯片的固定治具,3为研磨过程所使用的研磨垫,图中显示芯片边缘受到研磨垫较多压力的情形;图3是传统芯片研磨时,芯片承受研磨垫压力造成芯片边缘研磨过度示意图。如图4所示,本专利技术是这样实现的,首先将芯片I待研磨表面朝下,放置于一平坦表面,如玻璃;再将矩形的第一陪片4-1,第二陪片4-2,第三陪片4-3,第四陪片4-4分别放置于芯片I的前后左右并与芯片I单边对齐;再将可固化黏着剂5滴于芯片I及陪片4上;最后放上固定治具2静置固化后完成。进一步,所述的芯片I是根据半导体工艺所形成的珪片,其形状为矩形。进一步,所述的陪片4是与待研磨芯片I形状对应的矩形陪片,厚度不拘,材料可为耐研磨之材料,如陶瓷或金属,但以珪片为最佳。进一步,所述的矩形陪片4,其与芯片I采单边对齐的排列方法,可使任意矩形陪片4,能适应任意矩形芯片1,形成无缝对接,避免芯片I与陪片4间有空隙产生。进一步,所述的可固化黏着剂5及固定治具2,作为固定待研磨芯片I及陪片4用。进一步,制备完成后的样品,其陪片4与待研磨芯片I表面为一共平面表面,避免待研磨芯片边缘因压力不均匀造成芯片边缘研磨过度的的问题。图5是本专利技术在研磨时,芯片均匀受力示意图;制备完成后的样品,其陪片4与待研磨芯片I表面为一共平面表面,研磨时可避免芯片边缘因压力不均匀造成芯片边缘研磨过度的问题。本专利技术的芯片反向工艺的研磨样品制备方法,由于芯片I与陪片4表面皆朝下在同一平面下制备样品,不论陪片4高度差异,均可在研磨时达到共平面的效果;由于待研磨芯片I边缘与陪片4同高,在研磨时与芯片I中心承受压力相当,研磨速率相当,使芯片I研磨平坦性较佳;所述的矩形陪片4,其与芯片I采单边对齐的排列方法,可使任意矩形陪片4,能适应任意矩形芯片1,形成无缝对接,避免芯片I与陪片4间有空隙产生。上述虽然结合附图对本专利技术的【具体实施方式】进行了描述,但并非对本专利技术保护范围的限制,所属领域技术人员应该明白,在本专利技术的技术方案的基础上,本领域技术人员不需要付出创造性的劳动即可做出的各种修改或变形仍在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.,其特征在于,所述的芯片反向工艺的研磨样品制备方法首先将芯片待研磨表面朝下,放置于一平坦表面;再将矩形的陪片分别放置于芯片的前后左右并与芯片单边对齐;再将可固化黏着剂滴于芯片及陪片上;最后放上固定治具静置固化后完成。2.如权利要求1所述的芯片反向工艺的研磨样品制备方法,其特征在于,所述的芯片是根据半导体工艺所形成的珪片,其形状为矩形。3.如权利要求1所述的芯片反向工艺的研磨样品制备方法,其特征在于,所述的陪片是与待研磨芯片形状对应的矩形陪片,厚度不拘,材料可为耐研磨之材料,如陶瓷或金属,但以挂片为最佳。4.如权利要求1所述的芯片反向工艺的研磨样品制备方法,其特征在于,所述的矩形陪片,其与芯片采单边对齐的排列方法,可使任意矩形陪片,能适应任意矩形芯片,形成无缝对接,避免芯片与陪片间有空隙产生。5.如权利要求1所述的芯片反向工艺的研磨样品制备方法,其特征在于,所述的可固化黏着剂及固定治具,作为固定待研磨芯片及陪片用。6.如权利要求1所述的芯片反向工艺的研磨样品制备方法,其特征在于,制备完成后的样品,其陪片与待研磨芯片表面为一共平面表面。【文档编号】H01L21/304GK104037076SQ201410292930【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年6月23日 优先权日:2014年6月23日 【专利技术者】张明伦, 陈进来 申请人:昆山永续智财技术服务有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片反向工艺的研磨样品制备方法,其特征在于,所述的芯片反向工艺的研磨样品制备方法首先将芯片待研磨表面朝下,放置于一平坦表面;再将矩形的陪片分别放置于芯片的前后左右并与芯片单边对齐;再将可固化黏着剂滴于芯片及陪片上;最后放上固定治具静置固化后完成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张明伦陈进来
申请(专利权)人:昆山永续智财技术服务有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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