一种PMOS管开关控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PMOS管开关控制电路，通过在PMOS管的源极和栅极之间增设电容的方式，能够保证在电源STDVCC的电压突然加上或后级负载突然加重的时候，电源VCC的电压不会跌落。本实用新型专利技术PMOS管开关控制电路包括：电源VCC、电源STDVCC、控制信号端F_STANDBY，PMOS管、三极管D、电阻R1、电阻R2、电阻R3及电容C；所述PMOS管的源极、所述电阻R1的一端及所述电容C的一端与电源VCC相连；所述PMOS管的栅极、所述电阻R1的另一端、所述电容C的另一端及所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管D的集电极连接；所述三极管D的基极通过所述电阻R3与所述控制信号端F_STANDBY连接；所述三极管D的发射极与负载的一端连接并接地；PMOS管的漏极与电源STDVCC及负载的另一端连接。

【技术实现步骤摘要】
—种PMOS管开关控制电路
本技术涉及电子电路领域，尤其涉及一种PMOS管开关控制电路。
技术介绍
PMOS管是指具有η型衬底和P沟道，并靠空穴的流动运送电流的MOS管。因为PMOS电路工艺简单，价格便宜，所以很多中规模和小规模数字控制电路中经常采用PMOS电路技术目前，关于PMOS管开关电路有很多种设计，均能实现开关控制电路。请参阅图1，通过一个三极管控制PMOS源极和栅极两端电压，从而控制VCC电压的关断。然而当PMOS导通时，后级的负载突然加重，会导致VCC电压跌落，影响使用VCC的其他系统的稳定，即使在STDVCC处加一个470uF的大电解电容，也不能很好的解决VCC电压跌落问题，还占用PCB板的空间,增加成本。因此，针对上述情况，如何通过简单而低成本的设计来解决电压跌落问题，成为本领域技术人员亟待解决的重要技术问题。
技术实现思路
本技术公开了一种PMOS管开关控制电路，通过在PMOS管的源极和栅极之间增设电容的方式，能够保证在电源STDVCC的电压突然加上或后级负载突然加重的时候，电源VCC的电压不会跌落。本技术提供的PMOS管开关控制电路，包括:电源VCC、电源STDVCC、控制信号端F_STANDBY，PMOS管、三极管D、电阻R1、电阻R2、电阻R3及电容C ；所述PMOS管的源极、所述电阻Rl的一端及所述电容C的一端与电源VCC相连；所述PMOS管的栅极、所述电阻Rl的另一端、所述电容C的另一端及所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管D的集电极连接；所述三极管D的基极通过所述电阻R3与所述控制信号端F_STANDBY连接；所述三极管D的发射极与负载的一端连接并接地；所述PMOS管的漏极与所述电源STDVCC及所述负载的另一端连接。可选地，所述PMOS管的型号为Si2323DS ；所述三极管D的型号为3904 ；所述电阻R1、所述电阻R2及所述电阻R3的阻值分别为10K、2K及10Κ。可选地，所述电容C的容量不小于I μ F。本技术的PMOS管开关控制电路，包括:电源VCC、电源STDVCC、控制信号端F_STANDBY, PMOS管、三极管D、电阻Rl、电阻R2、电阻R3及电容C ;所述PMOS管的源极、所述电阻Rl的一端及所述电容C的一端与电源VCC相连；所述PMOS管的栅极、所述电阻Rl的另一端、所述电容C的另一端及所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管D的集电极连接；所述三极管D的基极通过所述电阻R3与所述控制信号端F_STANDBY连接；所述三极管D的发射极与负载的一端连接并接地；所述PMOS管的漏极与所述电源STDVCC及所述负载的另一端连接。通过在PMOS管的源极和栅极之间增设电容的方式，本技术PMOS管开关控制电路能够保证在电源STDVCC的电压突然加上或后级负载突然加重的时候，电源VCC的电压不会跌落。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术PMOS管开关控制电路的电路连接图；图2为本技术PMOS管开关控制电路的电路连接图。【具体实施方式】本技术公开了一种PMOS管开关控制电路，通过在PMOS管的源极和栅极之间增设电容的方式，能够保证在电源STDVCC的电压突然加上或后级负载突然加重的时候，电源VCC的电压不会跌落。下面结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚和详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图2，本技术实施例提供的PMOS管开关控制电路，包括:电源VCC、电源STDVCC、控制信号端F_STANDBY，PMOS管、三极管D、电阻R1、电阻R2、电阻R3及电容C ;所述PMOS管的源极、所述电阻Rl的一端及所述电容C的一端与电源VCC相连；所述PMOS管的栅极、所述电阻Rl的另一端、所述电容C的另一端及所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管D的集电极连接；所述三极管D的基极通过所述电阻R3与所述控制信号端F_STANDBY连接；所述三极管D的发射极与负载的一端连接并接地；所述PMOS管的漏极与所述电源STDVCC及所述负载的另一端连接。原电路中，PMOS导通时，后级的负载突然加重，会导致VCC电压跌落，影响使用VCC的其他系统的稳定，即使在STDVCC处加一个470uF的大电解电容，均不能很好的解决VCC电压跌落问题，还占用PCB板子空间，增加成本；本技术PMOS管开关控制电路中，通过在PMOS管的源极和栅极之间增设电容的方式，能够保证在电源STDVCC的电压突然加上或后级负载突然加重的时候，电源VCC的电压不会跌落。可选地，所述PMOS管的型号为Si2323DS ；所述三极管D的型号为3904 ；所述电阻R1、所述电阻R2及所述电阻R3的阻值分别为10K、2K及10Κ。所述电容C的容量不小于I μ F。本技术的PMOS管开关控制电路，包括:电源VCC、电源STDVCC、控制信号端F_STANDBY, PMOS管、三极管D、电阻Rl、电阻R2、电阻R3及电容C ;所述PMOS管的源极、所述电阻Rl的一端及所述电容C的一端与电源VCC相连；所述PMOS管的栅极、所述电阻Rl的另一端、所述电容C的另一端及所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管D的集电极连接；所述三极管D的基极通过所述电阻R3与所述控制信号端F_STANDBY连接；所述三极管D的发射极与负载的一端连接并接地；所述PMOS管的漏极与所述电源STDVCC及所述负载的另一端连接。通过在PMOS管的源极和栅极之间增设电容的方式，本技术PMOS管开关控制电路能够保证在电源STDVCC的电压突然加上或后级负载突然加重的时候，电源VCC的电压不会跌落，此外本技术的PMOS管开关控制电路实现简单，成本较低且性能优良。以上对本技术所提供的一种PMOS管开关控制电路进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本技术实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PMOS管开关控制电路，其特征在于，包括：电源VCC、电源STDVCC、控制信号端F_STANDBY，PMOS管、三极管D、电阻R1、电阻R2、电阻R3及电容C；所述PMOS管的源极、所述电阻R1的一端及所述电容C的一端与电源VCC相连；所述PMOS管的栅极、所述电阻R1的另一端、所述电容C的另一端及所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管D的集电极连接；所述三极管D的基极通过所述电阻R3与所述控制信号端F_STANDBY连接；所述三极管D的发射极与负载的一端连接并接地；所述PMOS管的漏极与所述电源STDVCC及所述负载的另一端连接。

【技术特征摘要】
1.一种PMOS管开关控制电路，其特征在于，包括:电源VCC、电源STDVCC、控制信号端F_STANDBY, PMOS管、三极管D、电阻R1、电阻R2、电阻R3及电容C ； 所述PMOS管的源极、所述电阻Rl的一端及所述电容C的一端与电源VCC相连； 所述PMOS管的栅极、所述电阻Rl的另一端、所述电容C的另一端及所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管D的集电极连接； 所述三极管D的基极通过所述电阻R3与所述控制信号端F_...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘良源，
申请(专利权)人：井冈山电器有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36