TFT阵列基板结构制造技术

本发明专利技术提供一种TFT阵列基板结构，包括对应黑色矩阵(2)设置的数个子像素(4)，所述每一子像素(4)包括对应黑色矩阵(2)设置的主区域(42)与次区域(44)，在子像素之间设有数据线(6)，在主区域(42)与次区域(44)之间设有栅极扫描线(8)，在两个子像素(4)之间设有像素电极主干(10)，在该两个子像素(4)的主区域(42)与次区域(44)上分别设置像素电极分支(12)，像素电极分支(12)分别电性连接像素电极主干(10)；该TFT阵列基板结构在液晶显示面板弯曲过程中发生相对位移时，像素电极主干(10)仍处于黑色矩阵覆盖的区域内，对电场的影响极小，能有效提升电学特性，避免产生暗纹，从而提升了液晶显示面板的品质。

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板结构
本专利技术涉及液晶显示领域,尤其涉及一种TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列基板结构。
技术介绍
液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用，如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。如图1所示,现有的液晶显示面板包括TFT阵列基板100、位于TFT阵列基板100上方并与之贴合设置的一彩膜基板(Color Filter, CF) 300、设于阵列基板100与彩膜基板300之间的液晶层(Liquid Crystal Layer) 500及密封胶框700，其工作原理是通过在TFT阵列基板100、彩膜基板300间施加驱动电压来控制液晶层500的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。就目前主流市场上的液晶显示面板而言，按照液晶分子排列方式的不同可分为三大类，分别是TN (扭曲向列)/STN (超级扭曲向列)、IPS (板内切换)/FFS (边缘切换)及VA(垂直配向)型。其中，VA(Vertical Alignment,垂直配向)型液晶显示器具有高对比度、宽视角、颜色表现好等优点。但由于VA型显示器采用的是垂直转动型的液晶，大视角下会存在色偏现象，针对该现象，目前的设计是将子像素区域划分为主(main)和次(sub)两个区域来显示，主区域和次区域液晶两侧所加电压不同使主区域和次区域液晶偏转角不同，从而解决色偏问题。如图2所示，在TFT阵列基板上对应黑色矩阵200设置的数个子像素400，所述每一子像素400对应黑色矩阵200设置主区域402与次区域404，在子像素400之间设有数据线600，在主区域402与次区域404之间设有栅极扫描线(scan line) 800，在子像素主区域402与次区域404中间设置有平行于数据线600的像素电极900，该像素电极包括主干902与分支904。随着曲面液晶显示装置的出现，需要对液晶显示面板进行弯曲，使之形成一定的弧度。在弯曲过程中，由于TFT阵列基板、彩膜基板以面板中心为基准，在水平方向上会沿左右两边逐渐产生相对位移，引起TFT阵列基板的像素电极主干相对位移，进而使得电场发生变化，造成曲面液晶显示装置对应像素电极主干附近的位置产生暗纹。更为严重的问题是，液晶面板由弯曲引起的相对位移区域以面板中心为基准，向左右两边逐渐扩大，造成左右两边位移较大的区域与中间未发生相对位移的区域亮度不同，即位移较大区域的亮度偏暗，从而使得整块面板显示不良。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT阵列基板结构，通过将像素电极主干设置于数据线上，应用于曲面液晶显示面板上能有效避免在显示过程中出现暗纹、亮度不均等现象，提升显示效果。为实现上述目的，本专利技术提供一种TFT阵列基板结构，包括对应黑色矩阵设置的数个子像素，所述每一子像素包括对应黑色矩阵设置的主区域与次区域，在子像素之间设有数据线，在主区域与次区域之间设有栅极扫描线，在相邻的两个子像素之间设有像素电极主干，在该两个子像素的主区域与次区域上分别设置像素电极分支，所述像素电极分支分别电性连接于像素电极主干。所述像素电极主干位于所述数据线上方。所述像素电极主干的宽度小于在所述两个子像素之间的黑色矩阵的宽度。所述两个子像素的两个主区域内的像素电极分支共同形成X形。所述两个子像素的两个次区域内的像素电极分支共同形成X形。所述两个子像素的两个主区域与两个次区域内的像素电极分支共同形成X形。所述像素电极主干与像素电极分支由氧化铟锡制成。所述TFT阵列基板结构用于垂直配向型液晶显示面板。所述TFT阵列基板结构用于曲面液晶显示面板。本专利技术提供的TFT阵列基板结构，通过将像素电极主干设于数据线上方，使其在面板弯曲过程中发生相对位移的情况下，仍处于黑色矩阵覆盖的区域内，对电场的影响极小，有效提升电学特性，避免产生暗纹，从而提升了液晶显示面板的品质。【附图说明】下面结合附图，通过对本专利技术的【具体实施方式】详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为现有的液晶显示面板的剖面示意图；图2为现有的TFT阵列基板结构的俯视不意图；图3为本专利技术TFT阵列基板结构的俯视示意图；图4为本专利技术TFT阵列基板结构的另一实施例的俯视不意图。【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图3，本专利技术提供一种TFT阵列基板结构，包括:对应彩膜基板上的黑色矩阵2设置的数个子像素4，所述每一子像素4包括对应黑色矩阵2设置的主区域42与次区域44，在子像素之间设有数据线6，在主区域42与次区域44之间设有栅极扫描线8，在相邻两个子像素4之间设有像素电极主干10，在该两个子像素4的主区域42与次区域44上分别设置像素电极分支12，所述像素电极分支12分别电性连接于像素电极主干10。所述像素电极主干10位于所述数据线6的上方，且位于所述两个子像素4之间的黑色矩阵2的下方。所述像素电极主干10的宽度小于在所述两个子像素4之间的黑色矩阵2的宽度，因此，所述像素电极主干10位于所述黑色矩阵2的覆盖区域内。所述像素电极主干10与像素电极分支12由氧化铟锡制成。所述两个子像素4的两个主区域42内的像素电极分支12共同形成X形，且所述像素电极分支12对称分布于所述像素电极主干10的两侧，所述两个主区域42共用该像素电极；所述两个子像素4的两个次区域44内的像素电极分支12共同形成X形，且所述像素电极分支12对称分布于所述像素主干10的两侧，所述两个次区域44共用该像素电极。请参阅图4，为本专利技术的另一实施例，与上述实施例的区别在于:所述两个子像素4的两个主区域42与两个次区域44内的像素电极分支12’共同形成X形，所述像素电极分支12’对称分布于所述像素主干10’的两侧，所述两个主区域42与两个次区域44共用该像素电极。在对液晶显示面板进行弯曲的过程中，所述TFT阵列基板及彩膜基板以面板中心为基准，在水平方向上会沿左右两边逐渐产生相对位移，引起TFT阵列基板上的像素电极主干10、10’发生相对位移，但由于所述像素电极主干10、10’位于所述两个子像素4之间的数据线6的上方，且位于所述两个子像素4之间的黑色矩阵2的下方，所述像素电极主干10、10’的宽度小于所述两个子像素4之间的黑色矩阵2的宽度，使得相对位移后的像素电极主干10、10’仍位于黑色矩阵2覆盖的区域内，对电场的影响极小，从而避免曲面液晶面板在对应所述像素电极主干10、10’处产生暗纹，从而使曲面液晶显示面板的整体亮度趋于一致，提高显示质量。因此，可将本专利技术TFT阵列基板结构用于垂直配向型液晶显示面板，也可将本专利技术TFT阵列基板结构用于曲面液晶显示面板，还可用于垂直配向型曲面液晶显示面板。综上所述，本专利技术提供的TFT阵列基板结构，通过将像素电极主干设于数据线上方，使其在液晶显示面板弯曲过程中发生相对位移的情况下，仍处于黑色矩阵覆盖的区域内，有效提升电学特性，避本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板结构，包括对应黑色矩阵(2)设置的数个子像素(4)，所述每一子像素(4)包括对应黑色矩阵(2)设置的主区域(42)与次区域(44)，在子像素之间设有数据线(6)，在主区域(42)与次区域(44)之间设有栅极扫描线(8)，其特征在于，在相邻的两个子像素(4)之间设有像素电极主干(10)，在该两个子像素(4)的主区域(42)与次区域(44)上分别设置像素电极分支(12)，所述像素电极分支(12)分别电性连接像素电极主干(10)。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板结构，包括对应黑色矩阵(2)设置的数个子像素(4)，所述每一子像素(4)包括对应黑色矩阵(2)设置的主区域(42)与次区域(44)，在子像素之间设有数据线(6)，在主区域(42)与次区域(44)之间设有栅极扫描线(8)，其特征在于，在相邻的两个子像素(4)之间设有像素电极主干(10)，在该两个子像素(4)的主区域(42)与次区域(44)上分别设置像素电极分支(12)，所述像素电极分支(12)分别电性连接像素电极主干(10)。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述像素电极主干(10)位于所述数据线(6)上方。3.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述像素电极主干(10)的宽度小于在所述两个子像素(4)之间的黑色矩阵(2)的宽度。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴川，罗时勋，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44