功率器件封装结构及封装工艺制造技术

提供一种功率器件封装结构及封装工艺，该封装结构包括预置微通道的基板或直接模塑的微通道管、绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片、二极管芯片、贴装垫片(104)外壳(110)，其特征在于IGBT芯片、二极管芯片贴装在贴装垫片(104)上表面，二极管芯片与IGBT芯片经导电胶(118)、贴装垫片(104)及导线实现电连接，二极管芯片、IGBT芯片及所有的连接被密封进外壳(110)中，导线延伸到外壳(110)外部以实现和外部电路之间的连接。该封装结构能够通过微通道中的液体循环冷却传导热量，界面热阻小，维护简单，同时通过除去液冷板或者热沉极大的降低了功率封装的体积，进而降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘胜，吴步龙，罗小兵，徐玲，周洋，张阳，吴林，
申请(专利权)人：武汉飞恩微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42