图像传感器制造技术

本发明专利技术涉及图像传感器，该图像传感器包含：(a)一光学管，其包含一核心及一包覆层，及(b)一对光敏元件，其包含一中央光敏元件及一周边光敏元件，其中该中央光敏元件是可操作地耦合至该核心且该周边光敏元件是可操作地耦合至该包覆层。该图像传感器可进一步包含在该光学管上方的一透镜结构或一光学耦合器，其中该透镜结构或该光学耦合器或该光学耦合器是可操作地耦合至该光学管。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2009年9月4日、申请号为200980142671.9、专利技术名称为“图像传感器的光波导器”的专利技术专利申请案。
本实施例是关于一种集成电路制作，更特定而言是关于制作更有效的CMOS图像传感器。
技术介绍
一图像传感器具有大量相同传感器元件(像素)，一般而言在一个笛卡尔(方形)网格中有大于100万像素。毗邻像素之间的距离称为间距(P)。一像素的面积为P2。光敏元件的面积(亦即，像素的对光敏感可将光转换至一电信号的面积)通常仅是像素的表面面积的20%至30%。对一设计者的挑战是将尽可能多的入射于像素上的光引导至像素的光敏元件上。诸多因素可以减少到达光敏元件的光的量的。一个因素是构造图像传感器的方式。互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器可以通过在晶体硅的顶部上蚀刻且沉积诸多硅的氧化物、金属及氮化物层的制程来制作。一典型传感器的层列举于表1中且显示于图1中。表1典型层阐述厚度(μ m)

【技术保护点】
一种图像传感器，其包含一光学管，其中该图像传感器经组态以通过选择性地发射经选择的波长提供对入射于该图像传感器上的一电磁辐射的一分离。

【技术特征摘要】
2008.09.04 US 12/204,6861.一种图像传感器，其包含一光学管，其中该图像传感器经组态以通过选择性地发射经选择的波长提供对入射于该图像传感器上的一电磁辐射的一分离。2.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述光学管包含一核心及一包覆层。3.如权利要求2所述的图像传感器，其中所述核心包含第一光传感器。4.如权利要求3所述的图像传感器，进一步包含耦合到所述包覆层的第二光传感器。5.如权利要求2所述的图像传感器，其中该核心具有一核心折射率Ii1，该包覆层具有一包覆层折射率n2,且进一步其中Ii1大于n2。6.如权利要求2所述的图像传感器，其中该光学管被配置为，透过该核心及该包覆层以一截止波长来分离入射于该图像 传感器上的电磁辐射的波长。7.如权利要求4所述的图像传感器,其中所述第二光传感器位于一衬底上或一衬底内。8.如权利要求1所述的图像传感器，其进一步包含在该光学管上方的一透镜结构或一光学耦合器，其中该透镜结构或该光学耦合器可操作地耦合至该光学管。9.如权利要求2所述的图像传感器，该核心包含第一波导器。10.如权利要求2所述的图像传感器，其中该包覆层包含第二波导器。11.如权利要求2所述的图像传感器，进一步包含在该光学管周围的一堆叠，该堆叠包含嵌入于介电层中的金属层。12.如权利要求11所述的图像传感器，其中该堆叠的一表面包含一反射表面。13.如权利要求2所述的图像传感器，其中该图像传感器是一互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。14.如权利要求11所述的图像传感器，其中该核心具有一核心折射率Ii1，该包覆层具有一包覆层折射率H2，所述堆叠具有一堆叠折射率H3，且进一步其中H1 > H2 > n3。15.如权利要求3所述的图像传感器,其中所述第一光传感器包含一光电二极管。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆尼布·沃贝尔，
申请(专利权)人：立那工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US