【技术实现步骤摘要】
—种可调节压力的硅片对准器
本技术属半导体硅片制造领域,具体为一种可调节压力的硅片对准器。
技术介绍
在化学机械平坦化(ChemicalMechanicalPlanarization,简称CMP)是一种能提供硅片全局和局部平坦化的工艺技术。化学机械研磨工艺已被广泛用于层间介质、金属层或浅沟槽隔离的去除和平整,成为半导体制造中重要的工艺。CMP是在一定的压力下通过硅片和研磨垫之间的相对运动来平坦化硅片表面。在化学机械研磨工艺中,由于硅片长时间在研磨垫上研磨,研磨都会对硅片产生物理性的损害,使其内部产生压/拉应力,研磨次数多之后,硅片内部硅材料应力变大,硅片内部损伤累积。硅片经过CMP研磨工艺处理后,硅片在对准器定位时,需由吸盘吸附硅片缓慢旋转寻找硅片缺口,由于硅片之前已受CMP工艺机械损伤,此时,如吸盘吸附硅片的压力过大,很容易导致硅片破碎,导致生产成本增加,因此,为了减少硅片破碎概率,合理控制硅片对准器的吸盘吸附硅片的压力值成为本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足之处,本技术的目的是提供一种可调节压力的硅片对准器,减少碎片概率,合理控制硅片对准器的吸盘吸附硅片的压力值。本技术目的通过下述技术方案来实现:本技术提供了一种可调节压力的硅片对准器,包括依次连接的吸盘、真空管和真空泵,所述吸盘的内侧面用于吸附硅片,吸盘的外侧面连接真空管,还包括依次连接的压力检测装置、控制器及调压装置;所述压力检测装置安装在真空管与真空泵的接头处,用于检测所述真空管内的压力值并反馈至所述控制器,所述调压装置安装在真空管上,用于调整所述吸盘吸附硅片的压力值 ...
【技术保护点】
一种可调节压力的硅片对准器,包括依次连接的吸盘、真空管和真空泵,所述吸盘的内侧面用于吸附硅片,吸盘的外侧面连接真空管,其特征在于,还包括依次连接的压力检测装置、控制器及调压装置;所述压力检测装置安装在真空管与真空泵的接头处,用于检测所述真空管内的压力值并反馈至所述控制器,所述调压装置安装在真空管上,用于调整所述吸盘吸附硅片的压力值,所述控制器根据所述压力检测装置检测的压力值控制所述调压装置的开关。
【技术特征摘要】
1.一种可调节压力的硅片对准器,包括依次连接的吸盘、真空管和真空泵,所述吸盘的内侧面用于吸附硅片,吸盘的外侧面连接真空管,其特征在于,还包括依次连接的压力检测装置、控制器及调压装置;所述压力检测装置安装在真空管与真空泵的接头处,用于检测所述真空管内的压力值并反馈至所述控制器,所述调压装置安装在真空管上,用于调整所述吸盘吸附硅片的压力值,所述控制器根据所述压力检测装置检测的压力值控制所述调压装置的开关。2.根据权利要求1所述的可调节压力的硅片对准器,其特征在于,所述吸盘的内侧面设有...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋福洪,石轶,张弢,蒋德念,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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