一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺制造技术

一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠置而成；每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层上表面。有机薄膜表面凹凸不平的形貌结构为规则的图案或者不规则的图案。有机阻隔层通过光刻的方式或者通过物理压印的方式或者添加颗粒物形成表面凹凸不平的形貌结构。有机阻隔层表面凹凸不平的形貌结构为矩形结构或者为锯齿形结构或者为弧形结构。本发明专利技术制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺
本专利技术涉及半导体制备
，特别是涉及一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺。
技术介绍
为了达到良好的水氧绝缘效果，柔性半导体薄膜电子器件制备完成后还需要进行封装。现有技术中，对柔性半导体薄膜电子器件的封装技术，通常是采用多种材料层层堆叠，利用不同材料的优点，达到水氧隔绝效果。目前使用较多的材料体系主要为由无机薄膜和有机薄膜叠层而成的无机/有机杂化多层薄膜。无机/有机杂化多层薄膜结构中，无机薄膜具有良好的水氧隔绝效果，在多层薄膜中起到主要的隔绝作用。但是由于无机薄膜沉积方法的限制，在这些薄膜中常常会出现针孔状或由颗粒物所引入的缺陷。这些缺陷会成为水氧分子的扩散通道。因此，人们引入有机薄膜用于填补或修复无机薄膜中的缺陷，进而获得具有良好阻隔效果的封装薄膜。但是，由于有机薄膜水氧阻隔性性能较差，实际中往往需要多个无机/有机薄膜的重复结构才能满足水氧阻隔要求。不仅导致这种薄膜封装层结构复杂，制作成本上升。更为严重的是，由于封装层薄膜厚度的增加会导致成品柔性器件抗弯折性能劣化，影响器件性能。因此，针对现有技术不足，提供一种水氧绝缘性能优良、制备工艺简单且不影响成品柔性器件性能的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺以克服现有技术不足甚为必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，具有制备工艺简单、封装层的水氧绝缘性能优良且不影响成品柔性器件性能特点。本专利技术的上述目的通过如下技术手段实现。 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠设而成； 每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层表面。优选的，上述水氧阻隔层由两组的水氧阻隔单元叠设而成。上述有机薄膜表面凹凸不平的形貌结构为规则的图案或者不规则的图案。上述有机阻隔层通过光刻的方式或者通过物理压印的方式形成表面凹凸不平的形貌结构。上述有机阻隔层表面凹凸不平的形貌结构为矩形结构或者为锯齿形结构或者为弧形结构。优选的，上述有机阻隔层的材料为光刻胶，所述有机阻隔层通过旋涂法或者丝网印刷法或者真空热蒸发法或者化学气相沉积法制备而成，所述有机阻隔层的厚度为200nnTlOOOO nm。另一优选的，上述柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺中，是将光刻胶中掺杂无机物颗粒作为原料制备有机阻隔层，有机阻隔层表面具有因部分无机物颗粒而鼓气的凸起。上述光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为flOum，无机物颗粒的掺入量为0.01~IOum,无机物颗粒的掺入量为0.01g/mL~5g/mL。进一步的，上述光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为疒5um，无机物颗粒的掺入量为 0.2g/mL。上述无机阻隔层的材料为Al2O3或者Si3N4或者SiO2或者TiO2或者ZrO2中的任意一种或一种以上的混合物，所述无机阻隔层通过薄膜沉积法或者原子层沉积法或者化学气相沉积法或者物理气相沉积法制备而成，所述无机阻隔层的厚度为IOnnTlOOO nm。以上的，还设置有基础层制备工序，即在待封装的柔性半导体薄膜电子器件表面制备基础层，所述水氧阻隔层制备于所述基础层上。本专利技术的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层为一组或者一组以上的水氧阻隔单元叠置而成；每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层上表面。本专利技术通过在有机阻隔层表面制备凹凸不平的形貌结构，并在有机阻隔层表面上制备无机阻隔层。通过对水氧阻隔层表面形貌的控制，能够增加水汽以及氧气分子在有机薄膜内部扩散时的散射作用，同时减小水、氧分子的扩散通道，进而降低水氧分子的透过率。该方法制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件具有较薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。【附图说明】利用附图对本专利技术作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本专利技术的任何限制。图1是本专利技术一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺实施例4的示意图； 图2是本专利技术一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺实施例5的示意图； 图3是本专利技术一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺实施例6的示意图； 图4是本专利技术一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺实施例7的示意图。在图1至图4中，包括: 基础层100、 水氧阻隔层200、 第一个水氧阻隔单元210、 第一个水氧阻隔单元的有机阻隔层211、 第一个水氧阻隔单元的无机阻隔层212、 第二个水氧阻隔单元220、 第二个水氧阻隔单元的有机阻隔层221、 第二个水氧阻隔单元的无机阻隔层222、SiO2 颗粒 300。【具体实施方式】[0021 ] 结合以下实施例对本专利技术作进一步描述。实施例1。一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，含有制备水氧阻隔层工序，该水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠设而成，优选为两层。每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，无机阻隔层设置于有机阻隔层上表面。由于有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，无机阻隔层与有机阻隔层构成的水氧阻隔单元能够增加水汽以及氧气分子在有机薄膜内部扩散时的散射作用，同时减小水、氧分子的扩散通道，进而降低水氧分子的透过率。具有良好的水氧阻隔性能，可以根据需要设置一组或者最多两组水氧阻隔层即可达到水氧隔绝作用。因此，便于获得较薄的器件厚度。有机薄膜表面凹凸不平的形貌结构可以为规则的图案或者不规则的图案。图案可以为多个重复的矩形结构或者为锯齿形结构或者为弧形结构，也可以为其它形状。有机阻隔层的材料为光刻胶，如SU-8或者UV光刻胶或者其它光刻胶。有机阻隔层的厚度为200 nnTlOOOO nm，可通过旋涂法或者丝网印刷法或者真空热蒸发法或者化学气相沉积法制备而成，有机阻隔层可以通过光刻的方式或者通过物理压印的方式形成表面凹凸不平的形貌结构。无机阻隔层的材料可为Al2O3或者Si3N4或者SiO2或者TiO2或者ZrO2中的任意一种，无机阻隔层的厚度为ΙΟηπ-?ΟΟΟ nm，可通过薄膜沉积法或者原子层沉积法或者化学气相沉积法或者物理气相沉积法制备而成。本专利技术通过在有机阻隔层表面制备凹凸不平的形貌结构，并在有机阻隔层表面上制备无机阻隔层。通过对水氧阻隔层表面形貌的控制，能够增加水汽以及氧气分子在有机薄膜内部扩散时的散射作用，同时减小水、氧分子的扩散通道，进而降低水氧分子的透过率。该方法制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件具有较薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。、 实施例2。一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其它特征与实施例1相同，不同之处在于:通过将光刻胶中掺杂无机物颗粒作为原料制备有机阻隔层，有机阻隔层表面具有因部分无机物颗粒而鼓气的凸起。其中，光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为0.0f 10um，无机物颗粒的掺入量为0.01g/mL~5g/mL。优选,光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为2~5um,无机物颗粒的掺入量为 0.2g/mL。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠设而成；每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层表面。

【技术特征摘要】
1.一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于:包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠设而成； 每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层表面。2.根据权利要求1所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于:所述水氧阻隔层由两组的水氧阻隔单元叠设而成。3.根据权利要求1所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于:所述有机薄膜表面凹凸不平的形貌结构为规则的图案或者不规则的图案。4.根据权利要求3所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于:所述有机阻隔层通过光刻的方式或者通过物理压印的方式形成表面凹凸不平的形貌结构。5.根据权利要求4所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于:所述有机阻隔层表面凹凸不平的形貌结构为矩形结构或者为锯齿形结构或者为弧形结构，所述有机阻隔层的材料为光刻胶，所述有机阻隔层通过旋涂法或者丝网印刷法或者真空热蒸发法或者化学气相沉积法制备而成，所述有机阻隔层的厚度为200 nm至10000 nm。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，李洪濛，邹建华，陶洪，王磊，彭俊彪，
申请(专利权)人：广州新视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44