LED玻璃及其制造工艺制造技术

技术编号:10313521 阅读:152 留言:0更新日期:2014-08-13 15:55
本发明专利技术属于玻璃技术领域,尤其涉及一种LED玻璃及其制造工艺,旨在解决现有技术的LED玻璃中的导电线路与二氧化硅之间附着力差而引起导电线路容易脱落的技术问题。在玻璃基片上镀设二氧化硅层,可阻止玻璃中钠离子的扩散,防止膜层变色。在二氧化硅层上通过一次镀膜形成第一过渡层与第二过渡层后,再经过一次黄光蚀刻分别形成第一线路与第二线路,生产效率高。在二氧化硅层上镀设形成导电层,经过黄光蚀刻形成导电线路,导电线路上设置LED发光体。由于选用化学键能量大、结合效果强的金属作为第一过渡层与第二过渡层,导电线路与二氧化硅层之间的附着力会提高,导电线路与二氧化硅层之间连接牢固,从而提高LED玻璃的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
LED玻璃及其制造工艺
本专利技术属于玻璃
,尤其涉及一种LED(发光二极管)玻璃及其制造工艺。
技术介绍
随着高端建材行业的迅猛发展,艺术玻璃作为一种高端装饰材料所呈现的灵活多变的应用形态,日益受到设计师及终端应用客户的青睐。其中,由LED光源和玻璃完美结合的LED玻璃,完全突破了建筑装饰材料的传统概念,其动态、数字化控制色彩、亮度和调光,活泼的饱和色等,可以使LED玻璃进行动态变化,从白光到全光谱中的任意颜色,LED玻璃的使用在空间的中开启了新的思路,是我国新型材料界的骄傲。LED玻璃是一种LED光源与玻璃的完美结合产品,可预先在玻璃内部设计图案,并在后期通过DMX(多路数字传输标准)全数字智能技术实现可控变化,自由掌控LED光源的明暗及变化,确切地说,LED玻璃是一种LED光嵌艺术玻璃。现有技术中的LED玻璃包括基层、中间层和覆盖层,基层为导电玻璃,导电玻璃上具有导电线路和电源接口,LED发光体设置在导电线路中,按照所需显示的图案和效果进行排布,中间层为PVB(聚乙烯醇缩丁醛)胶片,位于基层和覆盖层之间,经特殊处理将基层、中间层和覆盖层胶合。因为铜的电阻率是1.75×10e-8Ω/m,在除银外的常规金属中是导电性能最好的,所以通常作为LED玻璃的导电线路,导电线路的制作主要是在浮法玻璃上先镀上一层SiO2(二氧化硅),再镀上一层铜,再通过蚀刻工序,把导电线路制作出来,此时导电线路铜是直接附着在非金属物质SiO2上,金属铜与SiO2间的结合主要是SiO2中的氧负离子向金属铜界面处迁移扩散,金属铜原子同时向玻璃扩散,最终与SiO2中的非桥键氧发生氧化反应,形成永久键合。但是,这种结合受到热膨胀系数、温度、冷却速度等因素影响较大,尤其是SiO2与金属铜热膨胀系数相差数倍,在材料膨胀或收缩时极易引起应力集中,导致结合强度大幅下降。这样先天的不足就会造成铜与SiO2间的附着力很差,容易受到环境的影响,产生脱落。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种LED玻璃,旨在解决现有技术的LED玻璃中的导电线路与二氧化硅之间附着力差而引起导电线路容易脱落的技术问题。本专利技术是这样实现的,一种LED玻璃,所述LED玻璃包括玻璃基片、镀设在所述玻璃基片一侧上的二氧化硅层、依次在所述二氧化硅层远离所述玻璃基片的一侧上镀设形成第一过渡层与第二过渡层后对该第一过渡层与该第二过渡层黄光蚀刻分别形成的第一线路与第二线路、在制作出所述第一线路与所述第二线路后于所述二氧化硅层远离所述玻璃基片的一侧上镀设形成导电层再对该导电层黄光蚀刻形成的导电线路及设置在所述导电线路上的LED发光体。进一步地,所述导电层为铜导电层,所述第一过渡层与所述二氧化硅层之间的结合强度大于铜与二氧化硅之间的结合强度。进一步地,所述第一过渡层由钼制作。进一步地,所述第一过渡层、所述第二过渡层与所述导电层三者共同形成的结合强度大于所述第一过渡层与所述导电层二者之间的结合强度。进一步地,所述第二过渡层由镍制作。进一步地,所述二氧化硅层的厚度为进一步地,所述第一过渡层的厚度为进一步地,所述第二过渡层的厚度为本专利技术的另一目的在于提供一种LED玻璃的制造工艺,包括如下步骤:S1)提供玻璃基片,并在所述玻璃基片的一侧镀设二氧化硅层;S2)在所述二氧化硅层远离所述玻璃基片的一侧依次镀设第一过渡层与第二过渡层,并对该第一过渡层与该第二过渡层进行黄光蚀刻分别形成第一线路与第二线路;S3)在所述二氧化硅层远离所述玻璃基片的一侧上镀设导电层,并对该导电层进行黄光蚀刻形成导电线路;S4)提供LED发光体,并将所述LED发光体设置在所述导电线路上。进一步地,所述二氧化硅层、所述第一过渡层、所述第二过渡层与所述导电层均由磁控溅射镀膜的方法形成。本专利技术相对于现有技术的技术效果是:在玻璃基片上镀设二氧化硅层,可以阻止玻璃中钠离子的扩散,从而防止膜层变色。在二氧化硅层上通过一次镀膜形成第一过渡层与第二过渡层后,再经过一次黄光蚀刻分别形成第一线路与第二线路,生产效率高。在二氧化硅层上镀设形成导电层,再经过黄光蚀刻形成导电线路,导电线路上设置LED发光体。由于选用化学键能量大(即附着力好)、结合效果强的金属作为第一过渡层与第二过渡层,导电线路与二氧化硅层之间的附着力会提高,导电线路与二氧化硅层之间连接牢固,从而提高LED玻璃的使用寿命。附图说明图1是本专利技术实施例提供的LED玻璃的结构示意图。图2是图1的LED玻璃中应用的玻璃基片的结构示意图。图3是图2的玻璃基片在镀设二氧化硅层、第一过渡层与第二过渡层后的结构示意图。图4是图3的LED玻璃在黄光蚀刻后形成第一线路与第二线路的结构示意图。图5是图4的LED玻璃在镀设导电层后的结构示意图。图6是图5的LED玻璃在黄光蚀刻后形成导电线路的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。请参阅图1至图6,本专利技术实施例提供的一种LED玻璃,所述LED玻璃包括玻璃基片10、镀设在所述玻璃基片10一侧上的二氧化硅层20、依次在所述二氧化硅层20远离所述玻璃基片10的一侧上镀设形成第一过渡层30与第二过渡层40后对该第一过渡层30与该第二过渡层40黄光蚀刻分别形成的第一线路31与第二线路41、在制作出所述第一线路31与所述第二线路41后于所述二氧化硅层20远离所述玻璃基片10的一侧上镀设形成导电层50再对该导电层50黄光蚀刻形成的导电线路51及设置在所述导电线路51上的LED发光体60。在本实施例中,利用真空磁控连续镀膜机(图未示)镀膜,在玻璃(Glass)基片10上沉积一层SiO2作为底层,即二氧化硅层20,其厚度为(为长度单位,),形成Glass+SiO2结构。SiO2可以阻止玻璃中钠离子的扩散,防止膜层变色,还可以增加下一道膜层与玻璃之间的附着力。优选地,导电层50由铜制作,在常规的导电金属材料中,铜的导电性能是最好的。可以理解地,导电层50可以由银或者其他导体材料制作。不同金属原子通过化学作用形成化学键,并且最终能够达到原子尺寸的结合形成金属键,且大多数金属物化性质相近,热膨胀系数差异不大,不同金属的结合具有较高的结合强度,现考虑将导电层50附着在某种金属(即第一过渡层30)上,以提升导电层50的附着力。优选地,第一过渡层30由Mo(钼)制作,Mo(钼)与SiO2之间的附着力大于其他金属与SIO2之间的附着力。但是,金属Mo(钼)和Cu(铜)两者原子序数相差较大,两者形成的金属键并不是很牢固,在Mo(钼)和Cu(铜)之间,镀上一层第二过渡层40,以保证Cu(铜)和Mo(钼)的附着力。优选地,第二过渡层40由Ni(镍)制作。可以理解地,第二过渡层40由Mn(锰)、Fe(铁)、Co(钴)或者其他能让整体结合强度提高的材料制作。在二氧化硅层20的基础上,通过磁控溅射沉积一层Mo膜(即第一过渡层30)、Ni膜(即第二过渡层40),第一过渡层30的厚度为第二过渡层40的厚度为在镀好Mo膜、Ni膜后,经过黄光蚀刻制程,将对应的Mo线路(即第一线路31)、Ni线路(即第二线路41)做出来,形成Glass本文档来自技高网
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LED玻璃及其制造工艺

【技术保护点】
一种LED玻璃,其特征在于:所述LED玻璃包括玻璃基片、镀设在所述玻璃基片一侧上的二氧化硅层、依次在所述二氧化硅层远离所述玻璃基片的一侧上镀设形成第一过渡层与第二过渡层后对该第一过渡层与该第二过渡层黄光蚀刻分别形成的第一线路与第二线路、在制作出所述第一线路与所述第二线路后于所述二氧化硅层远离所述玻璃基片的一侧上镀设形成导电层再对该导电层黄光蚀刻形成的导电线路及设置在所述导电线路上的LED发光体。

【技术特征摘要】
1.一种LED玻璃,其特征在于:所述LED玻璃包括玻璃基片、镀设在所述玻璃基片一侧上的二氧化硅层、依次在所述二氧化硅层远离所述玻璃基片的一侧上镀设形成第一过渡层与第二过渡层后对该第一过渡层与该第二过渡层黄光蚀刻分别形成的第一线路与第二线路、在制作出所述第一线路与所述第二线路后于所述二氧化硅层远离所述玻璃基片的一侧上镀设形成导电层再对该导电层黄光蚀刻形成的导电线路及设置在所述导电线路上的LED发光体,所述第一过渡层与所述二氧化硅层之间的结合强度大于所述导电层与所述二氧化硅层之间的结合强度,所述第一过渡层、所述第二过渡层与所述导电层三者共同形成的结合强度大于所述第一过渡层与所述导电层二者之间的结合强度。2.如权利要求1所述的LED玻璃,其特征在于:所述导电层为铜导电层,所述第一过渡层与所述二氧化硅层之间的结合强度大于铜与二氧化硅之间的结合强度。3.如权利要求2所述的LED玻璃,其特征在于:所述第一过渡层由钼制作。4.如权利要求1所述的LED玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄亮陈凯许东东刘锡钢李洪庆王为权
申请(专利权)人:深圳力合光电传感股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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