一种熔丝调节电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种熔丝调节电路，包括MOS管（203）、偏置电流（204）、熔丝F1（201）和熔丝F2（202），MOS管（203）的源极连接偏置电流（204），在MOS管（203）的栅极接有两级分别由MOS管MP1（207）和MOS管MN1（208）、MOS管MP2（209）和MOS管MN2（210）组成的反相器；在所述MOS管MP1（207）和MOS管MN1（208）组成的反相器之前接有熔丝调节MOS管（211），最后熔丝调节MOS管（211）的栅极通过熔丝F1（201）和熔丝F2（202）分别连接至电源和地，熔丝调节MOS管（211）的源极接有电流偏置（206）。熔丝调节MOS管（211）尺寸小于MOS管（203）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种熔丝调节电路，包括MOS 管（203）、偏置电流（204）、熔丝F1（201）和熔丝F2（202），MOS 管（203）的源极连接偏置电流（204），其特征在于：在MOS 管（203）的栅极接有两级分别由MOS 管MP1（207）和MOS 管MN1（208）、MOS 管MP2（209）和MOS 管MN2（210）组成的反相器；在所述MOS 管MP1（207）和MOS 管MN1（208）组成的反相器之前接有熔丝调节MOS管（211），最后熔丝调节MOS管（211）的栅极通过熔丝F1（201）和熔丝F2（202）分别连接至电源和地，熔丝调节MOS管（211）的源极接有电流偏置（206）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高旭，
申请(专利权)人：西安辉盛科技发展有限责任公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61