光电子器件封装、阵列和制造方法技术

技术编号:10267370 阅读:204 留言:0更新日期:2014-07-30 16:16
本发明专利技术提供光电子器件封装、光电子器件封装的阵列和制造光电子器件封装的方法。阵列包括多个光电子器件封装,每个封闭光电子器件,并且定位成至少一排。每个封装包括两个几何平行透明边缘部分和大致正交于透明边缘部分取向的两个几何平行非透明边缘部分。透明边缘部分配置成与至少一个相邻封装重叠,并且可以气密密封。光电子器件部分使用R2R制造技术进行制造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供光电子器件封装、光电子器件封装的阵列和制造光电子器件封装的方法。阵列包括多个光电子器件封装,每个封闭光电子器件,并且定位成至少一排。每个封装包括两个几何平行透明边缘部分和大致正交于透明边缘部分取向的两个几何平行非透明边缘部分。透明边缘部分配置成与至少一个相邻封装重叠,并且可以气密密封。光电子器件部分使用R2R制造技术进行制造。【专利说明】
技术介绍
光电子器件大体上包括发光器件和光伏器件。这些器件大体上包括夹在两个电极(有时被称为前和后电极)之间的活性层,所述电极中的至少一个典型地是透明的。活性层典型地包括一种或多种半导体材料。在发光器件、例如有机发光二极管(OLED)器件中,施加在两个电极之间的电压导致电流流动通过活性层。电流导致活性层发光。在光伏器件、例如太阳能电池中,活性层吸收来自光的能量并且将它转换成电能,所述电能在两个电极之间的某个特性电压下生成电流流动。光透射通过OLED器件的电极中的至少一个。合适的透明电极的设计需要它提供平面内导电性(有利于较厚材料层)并且它提供通过它的厚度的透光性(有利于较薄材料层)。为了设法解决电极设计的这些对立限制,单独的发光区域(像素)的尺寸可以被限制,并且因此在电极的平面中横向地流动的电流量可以被限制。如果电流低,则电极中的电阻损失低并且由此产生的器件是高效的。在一种情况下,像素由限定它的周边的不发光线限定,并且电流汇流到这些区域。不发光区域中断OLED的否则均匀的外观。在过度损失和非均匀外观产生之前在电流流动方向上的像素的典型最大尺寸为Icm量级。解决该问题的方法包括使不发光区域很小(增加制造工艺的复杂性)或用漫射膜使它们模糊(减小效率并且增加成本)。因此,期望减小不发光区域的外观使得可以产生大的不间断区域光,同时简化制造工艺以最小化成本。更一般地,期望从单独的像素或器件封装配置发光区域的大阵列,同时提供设计灵活性和制造的容易性。为了设法减小制造成本,期望使用这样的制造工艺,其允许以连续卷对卷(R2R)方式将发光器件印刷到挠性衬底上,类似于将报纸印刷到大纸卷上。通过使用R2R制造,单独的像素或器件可以被制造和配置成发光区域的大阵列,其中像素或器件串联、并联电连接或交替地单独可寻址,同时保持制造工艺的容易性。
技术实现思路
简单地说,在一方面,本专利技术涉及一种光电子器件封装,所述光电子器件封装包括沿着第一边缘部分和第二边缘部分限定透明区域的边缘密封区域和沿着第三边缘部分和第四边缘部分限定非透明区域的边缘密封区域。所述第一边缘部分和所述第二边缘部分是所述光电子器件封装的几何平行部分。所述第三边缘部分和所述第四边缘部分是几何平行边缘部分,并且大致正交于所述光电子器件封装的所述第一边缘部分和所述第二边缘部分取向。所述边缘密封区域的透明的第一边缘部分和第二边缘部分中的至少一个配置成与至少一个相邻的光电子器件封装重叠。所述边缘密封区域的非透明的第三边缘部分和第四边缘部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个触头将光电子器件的阳极和阴极连接到外部电源。在另一方面,本专利技术涉及一种阵列,所述阵列包括定位成至少一排的多个光电子器件封装,每个光电子器件封装封闭光电子器件,所述光电子器件封装包括沿着第一边缘部分和第二边缘部分限定透明区域的边缘密封区域和沿着第三边缘部分和第四边缘部分限定非透明区域的边缘密封区域。所述第一边缘部分和所述第二边缘部分是所述光电子器件封装的几何平行部分。所述第三边缘部分和所述第四边缘部分是几何平行边缘部分,并且大致正交于所述光电子器件封装的所述第一边缘部分和所述第二边缘部分取向。所述边缘密封区域的透明的第一边缘部分和第二边缘部分中的至少一个配置成与至少一个相邻的光电子器件封装重叠。所述边缘密封区域的非透明的第三边缘部分和第四边缘部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个触头将光电子器件的阳极和阴极连接到外部电源。每个光电子器件封装与至少一个相邻的光电子器件封装重叠。在另一方面,本专利技术涉及一种形成连续发光区域的OLED发光阵列。OLED发光阵列包括多个封装,每个封装封闭光电子器件,并且布置成至少一排。每个封装包括电活性区域和限定透明部分和非透明部分的边缘密封区域,所述非透明部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个端子将光电子器件连接到外部电源。每个封装的所述边缘密封区域的所述透明部分与相邻封装的所述电活性区域重叠。所述排中的每个相邻封装的所述电活性区域与所述排中的相邻封装的所述边缘密封区域的所述非透明部分重叠。每个封装的透明边缘沿着线性阳极总线对准。在又一方面,本专利技术涉及一种使用卷对卷(R2R)制造技术制造光电子器件封装的方法,所述方法包括:定位衬底材料的段;在所述衬底材料上淀积透明导电氧化物(TCO)的层;在所述衬底材料上形成横带(cross web)区域;在所述透明导电氧化物(TCO)上以一系列间隔开的非连续条带淀积电活性层,由此限定多个电活性层条带,其中淀积所述电活性层的步骤包括在所述电活性层和至少两个平行纵向边缘上的所述衬底的周边之间留下间隙;在所述多个电活性层条带的每一个上以多个连续条带淀积金属层,由此限定多个阴极层条带和阳极总线;在所述透明导电氧化物(TCO)上以多个连续条带淀积阳极层,由此限定多个阳极总线,其中淀积所述阳极层的步骤包括在所述多个阳极总线的每一个和所述阴极层条带之间留下间隙;在所述阳极层和所述阴极层的顶部上淀积透明屏障层,其中所述屏障层配置成暴露所述阴极层条带和所述阳极层条带的每一个的部分;以及切割以形成单独的光电子器件封装。在又一方面,本专利技术涉及一种使用卷对卷(R2R)制造技术制造光电子器件封装的方法。所述方法包括:定位衬底材料的段;在所述衬底材料上淀积透明导电氧化物(TCO)的层;在所述透明导电氧化物(TCO)上以一系列间隔开的连续条带淀积导电层,由此限定多个阳极总线,其中淀积所述导电层的步骤包括在所述导电层和至少两个平行纵向边缘上的所述衬底的周边之间留下间隙;在所述多个阳极总线的每一个上以一系列间隔开的连续条带淀积绝缘层;以连续条带淀积所述多个阳极总线之间的电活性层,由此限定电活性层条带;在所述电活性层条带上以连续条带淀积金属阴极层,由此限定阴极层条带;在所述电活性层条带的顶部上淀积透明屏障层;以及切割以形成单独的光电子器件封装。从结合附图提供的本专利技术的优选实施例的以下详细描述将更好地理解这些和其它优点和特征。【专利附图】【附图说明】考虑到结合附图进行的后续详细描述,本公开的以上和其它方面、特征和优点将变得更明显,其中:图1是根据实施例的用于阵列中的封装的横截面图;图2是通过根据图1的实施例的用于发光阵列中的封装的层的截面图;图3-6是制造根据图1的实施例的用于发光阵列中的封装的方法中的步骤的示意图;图7是根据图1的实施例的用于阵列中的单器件封装的示意图;图8是根据另一实施例的用于阵列中的封装的横截面图;图9是通过根据图8的实施例的用于发光阵列中的封装的层的截面图;图10-15是制造根据图8的实施例的用于阵列中的封装的方法中的步骤的示意图;图16是根据实施例的用于阵列中的光电子器件封装的示意图;图17是根据实施例的阵列,显示几何地彼此平行取向的图16的重叠封装光电子器件;图18是根据实施例的用于阵本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种光电子器件封装,其包括:沿着第一边缘部分和第二边缘部分限定透明区域的边缘密封区域,其中所述第一边缘部分和所述第二边缘部分是所述光电子器件封装的几何平行部分;以及沿着第三边缘部分和第四边缘部分限定非透明区域的边缘密封区域,其中所述第三边缘部分和所述第四边缘部分是几何平行边缘部分,并且大致正交于所述光电子器件封装的所述第一边缘部分和所述第二边缘部分取向,其中所述边缘密封区域的透明的第一边缘部分和第二边缘部分中的至少一个配置成与至少一个相邻的光电子器件封装重叠;并且所述边缘密封区域的非透明的第三边缘部分和第四边缘部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个触头将光电子器件的阳极和阴极连接到外部电源。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:DS法夸尔
申请(专利权)人:通用电气公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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