非易失性存储器件、存储系统及其外部电源控制方法技术方案

技术编号:10252095 阅读:152 留言:0更新日期:2014-07-24 12:43
外部电源控制方法包括:根据第一外部电压的下降确定是否向第一节点施加第二外部电压;当向第一节点施加第二外部电压时根据第二外部电压的下降来生成标志信号;响应于标志信号向第二节点传送第一节点的电压;以及响应于标志信号对连接至第二节点的内部电路的至少一个电压放电。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】外部电源控制方法包括:根据第一外部电压的下降确定是否向第一节点施加第二外部电压;当向第一节点施加第二外部电压时根据第二外部电压的下降来生成标志信号;响应于标志信号向第二节点传送第一节点的电压;以及响应于标志信号对连接至第二节点的内部电路的至少一个电压放电。【专利说明】对相关申请的交叉引用本申请要求于2013年I月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0005920号的优先权,通过引用将其全部内容合并于此。
在此描述的专利技术构思涉及非易失性存储器件、包括非易失性存储器件的存储系统和/或外部电源控制方法。
技术介绍
半导体存储器件可以是易失性的或非易失性的。非易失性半导体存储器件即使在断电时也可以保持在其中存储的数据。取决于使用的制造技术,非易失性存储器件可以是永久的或可再编程的。非易失性存储器件可以用于计算机、航空电子、无线电通信和消费电子产业中广泛的应用中的用户数据、程序和微代码贮存。非易失性存储器件常常利用外部供电电压,然而,典型的非易失性存储器件不能检测供电电压的电压电平的下降并根据检测结果来控制内部电路。这可能导致可靠地操作非易失性存储器件中的问题。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例的一方面旨在提供非易失性存储器件的外部电源控制方法。在一个实施例中,所述方法可以包括:根据第一外部电压的下降确定是否向第一节点施加第二外部电压;当向第一节点施加第二外部电压时,根据第二外部电压的下降来生成标志信号;响应于标志信号,将第一节点的电压传送到第二节点;以及响应于标志信号,对连接至第二节点的内部电路的至少一个电压放电,其中根据第一外部电压的下降来确定是否向第一节点施加第二外部电压的步骤包括当第一外部电压下降时生成检测信号;以及响应于检测信号,向第一节点施加第二外部电压。本专利技术构思的示例实施例的另一个方面针对的是非易失性存储器件。在一个实施例中,该存储器件可以包括:具有多个存储块的存储单元阵列;外部电源控制逻辑,被配置为接收第一和第二外部电压,以便检测第一和第二外部电压是否下降,以及根据检测结果决定是否阻断第一和第二外部电压,第二外部电压高于第一外部电压;电压生成电路,被配置为基于通过外部电源控制逻辑提供的第一和第二外部电压来生成驱动电压;地址译码器,被配置为响应于地址选择存储块之一,并且向所选择的块提供驱动电压;输入/输出电路,被配置为临时存储要在所选择的存储块的存储单元编程的数据或者从所选择的存储块的存储单元读取的数据;以及控制逻辑,被配置为控制电压生成电路、地址译码器和输入/输出电路。本专利技术构思的示例实施例的又另一方面针对的是存储系统。在一个实施例中,存储系统可以包括至少一个非易失性存储器件;以及存储控制器,被配置为控制至少一个非易失性存储器件。所述至少一个非易失性存储器件包括:外部电源控制逻辑,被配置为根据第一外部电压的下降来确定向内部电路施加第二外部电压,以及当向内部电路施加第二外部电压时根据第二外部电压的下降来生成标志信号,第二外部电压高于第一外部电压;以及外部电压设置寄存器,被配置为从外部设备接收指示是否向非易失性存储器件施加第二外部电压的外部电压命令,并且存储与外部电压命令对应的数据。在一个实施例中,存储器件包括:内部电路,内部电路包括其中具有多个存储块的存储单元阵列;以及电源控制器,被配置为向内部电路提供第一外部电压和第二外部电压中的一个,检测第一外部电压和第二外部电压的减少,以及如果电源控制器检测到第一外部电压和第二外部电压中的一个的电压减少,则禁止向内部电路提供第二外部电压。在一个实施例中,电源控制器进一步包括:包括多个晶体管的第一外部电压检测器,被配置为响应于检测到第一外部电压的电压减少而生成检测信号;以及第二外部电压检测器,包括被配置为划分第二外部电压的分压器,被配置为比较划分的电压和参考电压并且如果划分的电压低于参考电压则生成标志信号的比较器。在一个实施例中,第二外部电压具有比第一外部电压更高的电压,并且内部电路进一步包括:电压生成器,被配置为从电源控制器接收第一外部电压,如果电源控制器没有检测到第一外部电压和第二外部电压之一中的电压减少则选择性地接收第二外部电压,并且使用第一外部电压和第二外部电压来生成驱动存储单元阵列的驱动电压;以及内部控制器,被配置为从电源控制器接收标志信号,标志信号指示电源控制器是否检测到第二外部电压的电压减少。在一个实施例中,内部控制器被配置为如果标志信号指示电源控制器检测到了第二外部电压的电压减少则指令非易失性存储器件对连接至多个存储块的字线和位线放电。【专利附图】【附图说明】从以下参照附图的描述中,以上和其他对象和特征将变得明显,其中遍及各图,相似的参考标号指代相似的部分,除非另外指定,并且附图中图1是示意性地图解根据本专利技术构思的示例实施例的非易失存储器件100的框图;图2是示意性地示出图1的外部电源控制逻辑的框图;图3是示意性地图解图2的外部高电压检测器的电路图;图4是示意性地图解图2的外部高电压检测器的电路图;图5是示意性地图解根据本专利技术构思的示例实施例的编程电压生成器的框图;图6是示意性地图解根据本专利技术构思的示例实施例的通过电压生成器的框图;图7是示意性地图解当外部电压下降时的根据本专利技术构思的示例实施例的外部电源控制方法的流程图;图8是示意性地图解当外部高压下降时的根据本专利技术构思的示例实施例的外部电源控制方法的流程图;图9是示意性地图解根据本专利技术构思的示例实施例的外部电源控制方法的流程图;图10至13是用于描述通过根据本专利技术构思的示例实施例的外部电源控制逻辑120获得的效果的示图;图14是示意性地图解根据本专利技术构思的示例实施例的存储系统的框图;图15是示意性地图解根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动器的框图;图16是示意性地图解根据本专利技术构思的示例实施例的eMMC的框图;以及图17是示意性地图解根据本专利技术构思的示例实施例的通信设备的框图。【具体实施方式】将参照附图来详细地描述示例实施例。然而,本专利技术构思可以以各种不同的形式具体化,而不应该被认为仅限于所示实施例。而是,作为示例提供这些示例实施例,使得此公开将是彻底和完全的,并且将向本领域技术人员充分地传达本专利技术构思。因此,针对本专利技术构思的一些实施例,不描述公知过程、元件和技术。除非另作说明,否则遍及附图和所写描述,相似的参考数字表示相似的元件,因而将不重复描述。在附图中,为了清楚可能夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。除非另外定义,否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与此专利技术构思所属的领域中一位普通技术人员所通常理解的相同的意思。还应该理解,诸如在通用词典中定义的那些术语应该被解释为具有与它们在本说明书和/或相关领域的上下文中的意思一致的意思,而不应该以理想化或过于正式的意义来解释,除非在此清楚地如此定义。图1是示意性地图解根据本专利技术构思的示例实施例的非易失存储器件100的框图。参照图1,非易失性存储器件100可以包括存储单元阵列110、外部电源控制逻辑(EPCL) 120、电压生成电路(VGNRT) 130、地址译码器(XDEC) 140、输入/输出电路150和控制逻辑160。例如,非易失性存储器件100可以是NAND快闪存储器件。然而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器件的外部电源控制方法,该非易失性存储器件包括内部电路,该内部电路容有存储单元阵列,该方法包括:根据第一外部电压的下降,确定是否向第一节点施加第二外部电压,所述确定是否向第一节点施加第二外部电压的步骤包括,当第一外部电压下降时,生成检测信号,以及响应于检测信号,向第一节点施加第二外部电压;当向第一节点施加第二外部电压时,根据第二外部电压的下降来生成标志信号;响应于标志信号选择性地向第二节点传送第一节点的电压,第二节点电连接至该内部电路;以及响应于标志信号,使连接至第二节点的该内部电路的至少一个电压放电。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:金兑炫朴俊泓徐圣焕李真烨
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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