用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构制造技术

技术编号:10240346 阅读:195 留言:0更新日期:2014-07-23 11:50
本实用新型专利技术公开了一种用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构,包括间隔正母线,其包括正母线壳体,正母线壳体的一端设有正母线盆式绝缘子,间隔正母线上面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,间隔正母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体与设于正母线盆式绝缘子内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接;间隔反母线,其包括反母线壳体,反母线壳体的一端设有反母线盆式绝缘子,间隔反母线下面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,间隔反母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体与设于反母线盆式绝缘子内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接。通过间隔正、反母线完成换相。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构,包括间隔正母线,其包括正母线壳体,正母线壳体的一端设有正母线盆式绝缘子,间隔正母线上面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,间隔正母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体与设于正母线盆式绝缘子内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接;间隔反母线,其包括反母线壳体,反母线壳体的一端设有反母线盆式绝缘子,间隔反母线下面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,间隔反母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体与设于反母线盆式绝缘子内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接。通过间隔正、反母线完成换相。【专利说明】用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构
本技术涉及SF6气体绝缘金属封闭组合电器(GIS)技术,更具体地说,是涉及一种用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构。
技术介绍
母线作为汇集、分配和传送电能的元件,是GIS产品中不可缺少的组成部分,三相共箱主母线内部相序根据需要经常进行变换,特别是进出线间隔分别在主母线两侧,两个间隔对接时就需要在间隔主母线内换相,而在GIS中应用的母线大部分都不能在间隔内完成换相,这样往往需要在间隔间增加过渡换相主母线进行换相,这样就造成间隔距离增大,设备占地面积增加,为解决上述问题,间隔主母线组合换相结构应运而生。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷,本技术的目的是提供一种用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构,满足间隔换相问题。为达到上述目的,本技术采用如下的技术方案:一种用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构,包括:间隔正母线,所述间隔正母线包括正母线壳体,所述正母线壳体的一端设有正母线盆式绝缘子,所述正母线壳体的上面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,所述间隔正母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体与设于正母线盆式绝缘子内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接;间隔反母线,所述间隔反母线包括反母线壳体,所述反母线壳体的一端设有反母线盆式绝缘子,所述反母线壳体的下面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,所述间隔反母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体与设于反母线盆式绝缘子内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接;其中,所述正母线盆式绝缘子上T相接口、S相接口以及R相接口的位置与所述反母线盆式绝缘子上T相接口、S相接口以及R相接口的位置相一致;所述间隔反母线内的T相导体、S相导体以及R相导体还通过间隔反母线的开口端分别与正母线盆式绝缘子外侧相对应的T相弹簧触头座、S相弹簧触头座以及R相弹簧触头座相连。所述间隔正母线上面的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过弹簧触头座与相对应的导体采用插接结构相连。所述间隔反母线下面的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过弹簧触头座与相对应的导体采用插接结构相连。与现有技术相比,采用本技术的一种用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构,由于间隔正母线以及间隔反母线的配合使用,通过每根铸造导体在三维空间内的变换,从而解决在现有技术中需要间隔两侧出线时,采用同一种母线结构无法直接对接,需要在两母线之间增加换相模块才能实现对接的问题,总之,本技术取消了现有的中间换相模块,而是直接通过间隔正母线以及间隔反母线完成换相。【专利附图】【附图说明】图1为本技术的一种用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构的结构示意图;图2为图1中的间隔正母线以及间隔反母线的右视图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例进一步说明本技术的技术方案。请参阅图1、图2所示的一种用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构,包括:间隔正母线11,间隔正母线11包括正母线壳体111,正母线壳体111的一端设有正母线盆式绝缘子112,正母线壳体111的上面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,间隔正母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体113与设于正母线盆式绝缘子112内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接;间隔反母线12,间隔反母线12包括反母线壳体121,反母线壳体121的一端设有反母线盆式绝缘子122,反母线壳体121的下面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,间隔反母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体123与设于反母线盆式绝缘子122内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接;其中,正母线盆式绝缘子112上T相接口、S相接口以及R相接口的位置与反母线盆式绝缘子122上T相接口、S相接口以及R相接口的位置相一致;间隔反母线12内的T相导体、S相导体以及R相导体还通过间隔反母线12的开口端分别与正母线盆式绝缘子112外侧相对应的T相弹簧触头座、S相弹簧触头座以及R相弹簧触头座相连。较佳地,间隔正母线上面的T相接口、S相接口以及R相接口与相对应的导体采用插接结构的导体连接组件114 (如弹簧触头座)相连。较佳地,间隔反母线下面的T相接口、S相接口以及R相接口与相对应的导体采用插接结构的导体连接组件124 (如弹簧触头座)相连。较佳地,间隔反母线内的T相导体、S相导体以及R相导体还通过间隔反母线的开口端分别与正母线盆式绝缘子外侧相对应的T相弹簧触头座、S相弹簧触头座以及R相弹簧触头座采用插接结构的导体连接组件125 (如弹簧触头座)相连。并且,从图2可以看出,盆式绝缘子上的导体嵌件呈现两上一下的位置关系。本
中的普通技术人员应当认识到,以上的实施例仅是用来说明本技术的目的,而并非用作对本技术的限定,只要在本技术的实质范围内,对以上所述实施例的变化、变型都将落在本技术的权利要求的范围内。【权利要求】1.一种用于Gis间隔之间的主母线组合换相结构,其特征在于,包括: 间隔正母线,所述间隔正母线包括正母线壳体,所述正母线壳体的一端设有正母线盆式绝缘子,所述正母线壳体的上面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,所述间隔正母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体与设于正母线盆式绝缘子内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接; 间隔反母线,所述间隔反母线包括反母线壳体,所述反母线壳体的一端设有反母线盆式绝缘子,所述反母线壳体的下面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,所述间隔反母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体与设于反母线盆式绝缘子内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接; 其中,所述正母线盆式绝缘子上T相接口、S相接口以及R相接口的位置与所述反母线盆式绝缘子上T相接口、S相接口以及R相接口的位置相一致; 所述间隔反母线内的T相导体、S相导体以及R相导体还通过间隔反母线的开口端分别与设于所述正母线盆式绝缘子外侧相对应的T相弹簧触头座、S相弹簧触头座以及R相弹簧触头座相连。2.根据权利要求1所述的主母线组合换相结构,其特征在于: 所述间隔正母线上面的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过弹簧触头座与相对应的导体采用插接结构相连。3.根据权利要求1所述的主母线组合换相结构,其特征在于: 所述间隔反母线下面的T相接口、S相接口以及R本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种用于GIS间隔之间的主母线组合换相结构,其特征在于,包括:间隔正母线,所述间隔正母线包括正母线壳体,所述正母线壳体的一端设有正母线盆式绝缘子,所述正母线壳体的上面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,所述间隔正母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体与设于正母线盆式绝缘子内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接;间隔反母线,所述间隔反母线包括反母线壳体,所述反母线壳体的一端设有反母线盆式绝缘子,所述反母线壳体的下面分别设有T相接口、S相接口以及R相接口,所述间隔反母线的T相接口、S相接口以及R相接口分别通过导体与设于反母线盆式绝缘子内侧的导体嵌件上的T相接口、S相接口以及R相接口固定连接;其中,所述正母线盆式绝缘子上T相接口、S相接口以及R相接口的位置与所述反母线盆式绝缘子上T相接口、S相接口以及R相接口的位置相一致;所述间隔反母线内的T相导体、S相导体以及R相导体还通过间隔反母线的开口端分别与设于所述正母线盆式绝缘子外侧相对应的T相弹簧触头座、S相弹簧触头座以及R相弹簧触头座相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:曹亚钊沈鹏飞刘波彭博胡希吐
申请(专利权)人:上海思源高压开关有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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