一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、覆盖在栅绝缘层表面的氧化铟镓锌沟道层、以及设置在沟道层表面的氧化镓锌层，该氧化镓锌层的相对两侧形成有源极和漏极。该种结构的薄膜晶体管具有表面漏电流低、电流开关比佳的优点。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、覆盖在栅绝缘层表面的氧化铟镓锌沟道层、以及设置在沟道层表面的氧化镓锌层，该氧化镓锌层的相对两侧形成有源极和漏极。该种结构的薄膜晶体管具有表面漏电流低、电流开关比佳的优点。【专利说明】薄膜晶体管
本专利技术涉及一种薄膜晶体管。
技术介绍
随着工艺技术的进步，薄膜晶体管已被大量应用在显示器之中，以适应显示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶体管一般包括栅极、漏极、源极以及沟道层等组成部分，其通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性，使源极和漏极之间形成导通或者截止的状态。氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)薄膜晶体管目前已经被广泛的研究和应用在液晶面板上，特别是高解析度和大尺寸面板。但因IGZO薄膜易受外部环境的温度、氧含量、水汽、光照等环境因素影响，因此，在采用溅镀工艺制备IGZO薄膜时，制程中的等离子会对IGZO薄膜产生损害，进而影响IGZO薄膜晶体管的电流开关比、表面载流子浓度等参数，使得薄膜晶体管品质不高。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种较佳品质的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、覆盖在栅绝缘层表面的氧化铟镓锌沟道层、以及设置在沟道层表面的氧化镓锌层，该氧化镓锌层的相对两侧形成有源极和漏极。在本专利技术提供的薄膜晶体管中，由于氧化镓锌层中没有铟原子存在，因此载流子无法使用铟原子的5s轨道形成电传导，且氧化镓锌层中镓原子位于晶格间隙之间形成一散射中心，使氧化镓锌层中晶体结构产生形变，同时镓原子也会抑制氧缺陷(OxygenVacancy)的形成，因此可以有效降低薄膜载流子浓度，减低表面漏电流，使薄膜晶体管的电流开关比获得较佳改善。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术第一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。图2是本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的氮化镓锌层的结构示意图。图3是本专利技术第二实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。图4是本专利技术第三实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。主要元件符号说明【权利要求】1.一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的氧化铟镓锌沟道层，其特征在于:该薄膜晶体管还包括一设置在沟道层表面的氧化镓锌层，该氧化镓锌层的相对两侧形成有源极和漏极。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化镓锌层覆盖整个沟道层，所述源极和漏极形成在氧化镓锌层上。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，承载所述源极和漏极的氧化镓锌层两侧区域的厚度与氧化镓锌层的中央区域厚度相同。4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，承载所述源极、漏极的氧化镓锌层两侧区域的厚度比氧化镓锌层的中央区域厚度小。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化镓锌层覆盖沟道层的中部，所述源极和漏极覆盖沟道层的两个侧部。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化镓锌层的厚度大于0.5纳米。7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化镓锌层的厚度与沟道层的厚度比范围为1:100到5:1。8.如权利要求1至7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多层氧化镓锌半导体层中镓的含量沿远离沟道层的方向逐渐增加。9.如权利要求1至7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化镓锌层由多层氧化镓锌半导体层堆叠而成，且该多层氧化镓锌半导体层中镓的成分各不相同。10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多层氧化镓锌半导体层中，距离沟道层较近的氧化镓锌半导体层中镓的含量低于距离沟道层较远的氧化镓锌半导体层中镓的含量。11.一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的氧化铟镓锌沟道层，其特征在于:该薄膜晶体管还包括一设置在沟道层表面的、不含铟的金属氧化物半导体层，该金属氧化物半导体层的相对两侧形成有源极和漏极。12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为氧化铝锌半导体层。13.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为含镓的氧化物半导体层。14.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为载流子浓度小于IO16CnT3的氧化物半导体层。15.如权利要求14所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为氧化镓锌半导体层。16.如权利要求15所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为能够使红外线通过的含镓氧化物半导体层。17.如权利要求16所述的 薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层的红外线透过率大于或等于60%。【文档编号】H01L29/24GK103904126SQ201210573691【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月26日 优先权日:2012年12月26日 【专利技术者】曾坚信 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的氧化铟镓锌沟道层，其特征在于：该薄膜晶体管还包括一设置在沟道层表面的氧化镓锌层，该氧化镓锌层的相对两侧形成有源极和漏极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾坚信，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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