供电电路制造技术

技术编号:10176779 阅读:107 留言:0更新日期:2014-07-02 16:39
本发明专利技术涉及用于控制集成电路的孤岛的通电阶段的供电电路,该供电电路包括:开关(102),该开关由电流控制且连接在孤岛的电源电压轨(104)和内部电压轨(105)之间。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及用于控制集成电路的孤岛的通电阶段的供电电路,该供电电路包括:开关(102),该开关由电流控制且连接在孤岛的电源电压轨(104)和内部电压轨(105)之间。【专利说明】供电电路
本专利技术涉及用于控制集成电路的电路区的通电阶段的供电电路和方法。
技术介绍
为了降低集成电路的功率消耗,已经提出允许集成电路的某些区域在不用时进行断电。这涉及使这些电路区(通常被称为孤岛(islet))与集成电路的电源电压断开。发生在孤岛通电期间的问题为:在集成电路的电源电压轨上可引起高的瞬变电流,这导致电压反弹,换句话说,电压下降后紧跟电压升高。这种电压反弹应当被控制以保持电源电压在其指定的范围内。已经提出用于限制在孤岛通电期间所供给的电流的解决方案。然而,现有的解决方案倾向于是复杂的,和/或导致在孤岛的通电中不期望的时间延迟。因此,需要一种改进的用于控制集成电路的一个或多个孤岛的通电阶段的电路和方法。
技术实现思路
本文中所描述的实施方式的目的在于至少部分地满足现有技术中的一个或多个需求。根据一个方面,提供用于控制集成电路的孤岛(islet)的通电阶段的供电电路,该供电电路包括:开关,该开关由电流控制且连接在所述孤岛的电源电压轨和内部电压轨之间。根据实施方式,基准电流是可变的,且供电电路还包括适于生成可变的基准电流的生成电路。根据实施方式,在所述通电阶段期间,电流控制的开关适于以限流模式进行操作,在限流模式中,基于基准电流限制开关所供给的电流;在所述通电阶段结束时,该电流控制的开关适于以非限流模式进行操作,在非限流模式中,不基于所述基准电流限制开关所供给的电流。根据实施方式,供电电路还包括控制电路,该控制电路适于向所述电流控制的开关提供反馈信号,该开关适于基于该反馈信号从所述限流模式转变至非限流模式。根据实施方式,电流控制的开关包括:第一晶体管,该第一晶体管通过其主电流节点连接在所述电源电压轨和内部电压轨之间;以及第二晶体管和第三晶体管,该第二晶体管和第三晶体管通过其主电流节点串联连接在所述电源电压轨和用于接收所述基准电流的输入线之间,其中,所述第一晶体管和第二晶体管的控制节点与所述输入线连接,且所述第三晶体管的控制节点适于接收所述反馈信号。根据实施方式,控制电路包括放大器,该放大器适于基于所述内部电压轨的电压电平和位于电流控制的开关的第二晶体管和第三晶体管之间的节点处的电压电平之间的比较,生成反馈信号。根据实施方式,控制电路适于基于在内部电压轨上检测到的电压电平来生成反馈信号。根据实施方式,控制电路适于基于在内部电压轨上检测到的电压的变化率或斜率来生成反馈信号。根据实施方式,控制电路适于基于在电源电压轨上检测到的电压电平来生成反馈信号。根据另一方面,提供了 一种集成电路,该集成电路包括:至少一个包括上述供电电路的孤岛;和控制单元,该控制单元适于选择性地启动至少一个孤岛的供电电路。根据另一方面,提供了一种控制集成电路的孤岛的通电阶段的方法,该孤岛包括连接在孤岛的电源电压轨和内部电压轨之间的电流控制的开关,该方法包括:在通电阶段期间,控制电流控制的开关以限流模式进行操作,在限流模式中,基于基准电流限制该开关所供给的电流。根据实施方式,该方法还包括:在通电阶段结束时,控制电流控制的开关以非限流模式进行操作,在非限流模式中,不基于基准电流限制该开关所供给的电流。根据实施方式,电流控制的开关包括:第一晶体管,该第一晶体管通过其主电流节点连接在电源电压轨和内部电压轨之间;以及第二晶体管和第三晶体管,该第二晶体管和第三晶体管通过其主电流节点串联连接在电源电压轨和用于接收基准电流的输入线之间,第一晶体管和第二晶体管的控制节点与输入线连接,且第三晶体管的控制节点适于接收反馈信号,其中,控制电流控制的开关以限流模式进行操作包括:驱动反馈信号以使第三晶体管启用,以及控制电流控制的开关以非限流模式进行操作包括:驱动反馈信号以使第三晶体管停用。根据实施方式,控制电流控制的开关以非限流模式进行操作包括:通过控制电路检测内部电压轨上的电压何时达到设定电平。根据实施方式,控制电流控制的开关以非限流模式进行操作包括:在通电阶段期间,通过控制电路检测内部电压轨上的电压的时间导数何时降低至设定电平以下。【专利附图】【附图说明】通过以下结合附图的以说明性而非限制性的方式所给出的实施方式的详细描述,本专利技术的上述和其它目的、特征、方面和优势将变得显而易见,其中:图1A示出根据示例性实施方式的集成电路的孤岛;图1B示出根据示例性实施方式的图1A的孤岛中的时序信号;图2更详细地示出根据示例性实施方式的图1A的孤岛的电流控制的开关;图3A至图3C示出根据示例性实施方式的图1A的孤岛的基准电流生成电路;图4A至图4C示出根据示例性实施方式的图1A的用于生成反馈信号的控制器的电路;图5示出根据示例性实施方式的集成电路;和图6示出根据示例性实施方式的图5的集成电路的时序信号。在全部附图中,相同的附图标记用于指示相同的特征。【具体实施方式】图1A示出根据示例性实施方式的孤岛100。如图所示,孤岛100例如包括电流控制的开关102,该电流控制的开关102连接在提供电源电压VDD_ext的电源电压轨104和向孤岛100的功能电路106提供内部电源电压VDD_int的内部电源轨105之间。开关102由基准电流Ikef控制,例如,该基准电流Ikef被提供在线108上且来自于生成电路(Ikef生成器)110。例如,内部电源电压VDD_int也被提供给控制器112,该控制器112基于从电压VDDjnt所感应的信息,在线114上将反馈信号FBK提供给电流控制的开关102。例如,反馈信号FBK在限流模式(在该模式下,基于基准电流Ikef限制通过开关供给在内部电源轨105上的电流)和非限流模式(在该模式下,不基于基准电流Ikef限制通过开关102所供给的电流)之间切换开关102。例如,控制器112和生成电路110都接收线116上的启动信号ON/OFF (接通/断开)。例如,控制器112将确认信号POK提供在线118上,例如,该确认信号POK被提供至生成电路110。图1B为示出在通电阶段及其后紧跟的断电阶段期间的图1A的电路中的信号ON/OFF、Ieef, VDD_int、FBK、POK和VDD_ext的时序的示例的时序图。当断定如上升沿150 (其开启孤岛100的通电阶段)所示的启动信号0N/0FF时,基准电流Ikef被触发,例如,反馈信号FBK已为低态,意味着开关102处于限流模式。因此,电压轨105上的内部电压电平VDDjnt例如以相对线性的方式开始上升。在通电阶段期间,例如,在电源电压VDD_ext上出现轻微的IR压降,但如下文详细描述的,例如,选择基准电流Ikef的电平,使得电源电压VDD_ext不会低于某一电平,例如,不低于其正常电平的90%。控制器112检测内部电压电平VDDjnt何时达到或者接近于其正常的操作电平,然后确定反馈信号FBK,如上升沿152所示。例如,这将开关102切换至非限流模式,从而减少Ikef生成电路110的静态功耗。然后,使信号POK转为高态,以响应于上升的反馈信号FBK,例如,在响应时,基准电流Ikef开始衰减。当孤岛1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于控制集成电路的孤岛(100)的通电阶段的供电电路,所述供电电路包括:开关(102),所述开关(102)由电流控制且连接在所述孤岛的电源电压轨(104)和内部电压轨(105)之间。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗伊克·西贝德格里古里·吉梅内兹
申请(专利权)人:道芬综合公司
类型:发明
国别省市:法国;FR

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