【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法,包括以下步骤:1)选取一SOI基片;2)利用刻蚀技术,去掉SOI基片上的部分顶层硅,暴露出顶层硅下面的二氧化硅层,去掉的部分为阵列波导光栅区域,保留部分为可调光衰减器阵列区域;3)在暴露的二氧化硅层上淀积二氧化硅波导芯层;4)利用刻蚀技术,在二氧化硅波导芯层材料上制作二氧化硅阵列波导光栅;5)在制作有二氧化硅阵列波导光栅上淀积二氧化硅波导上包层;6)去掉可调光衰减器阵列区域部分顶层硅上的材料,暴露出顶层硅;7)利用刻蚀技术,在可调光衰减器阵列区域部分的顶层硅上制作脊型波导,该脊型波导的一侧为第一平板波导区,另一侧为第二平板波导区;8)在所述第一平板波导区的边缘进行P型掺杂,形成P型掺杂区,在第二平板波导区的边缘进行N型掺杂,形成N型掺杂区;9)在可调光衰减器阵列区域上的脊型波导上淀积绝缘材料层;10)利用刻蚀技术,在P型掺杂区和N型掺杂区上方的绝缘材料上制作接触孔;11)在接触孔内淀积金属电极,该电极露出接触孔外,完成制备。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘瑞丹,王玥,吴远大,安俊明,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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