【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双晶体管的单片机上电复位电路,其特征在于,包括电阻R1~R3、晶体三极管Q1~Q2、电容C1~C2和二极管D1;电阻R1的一端和电阻R2的一端连接在一起后接到VCC上,电阻R1的另一端和电容C1的一端连接后接到三极管Q1的基极,电容C1的另一端接地,电阻R2的另一端接到三极管Q1的集电极,三极管Q1的发射极接到地,三极管Q2的基极接到三极管Q1的集电极,三极管Q2的发射极接到地,电阻R3和二极管D1并联,二极管D1的阳极接到三极管Q2的集电极,二极管D1的阴极接到VDD上,电容C2并联在三极管Q2的发射极和集电极之间,二极管D1的阳极接单片机的复位脚。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:汪军,钱文斌,
申请(专利权)人:广东瑞德智能科技股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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