【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双晶体管的单片机上电复位电路，其特征在于，包括电阻R1~R3、晶体三极管Q1~Q2、电容C1~C2和二极管D1；电阻R1的一端和电阻R2的一端连接在一起后接到VCC上，电阻R1的另一端和电容C1的一端连接后接到三极管Q1的基极，电容C1的另一端接地，电阻R2的另一端接到三极管Q1的集电极，三极管Q1的发射极接到地，三极管Q2的基极接到三极管Q1的集电极，三极管Q2的发射极接到地，电阻R3和二极管D1并联，二极管D1的阳极接到三极管Q2的集电极，二极管D1的阴极接到VDD上，电容C2并联在三极管Q2的发射极和集电极之间，二极管D1的阳极接单片机的复位脚。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪军，钱文斌，
申请(专利权)人：广东瑞德智能科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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