【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
X波段单片功率放大器,其特征是,包括单芯片(1),所述单芯片(1)上集成有输入匹配电路(2)、功率分配电路(10)、三级PHEMT管放大器(3)、功率合成电路(11)和输出匹配电路(4);所述输入匹配电路(2)的输入端与单芯片(1)的外部信号输入端RF‑IN相连接,用于接入外部信号输入源;所述输入匹配电路(2)的输出端与所述功率分配电路(10)的输入端相连接,所述功率分配电路(10)的输出端与三级PHEMT管放大器(3)的输入端相连接;所述三级PHEMT管放大器(3)的输出端与所述功率合成电路(11)的输入端相连接;所述所述功率合成电路(11)的输出端与所述输出匹配电路(4)的输入端相连接;所述输出匹配电路(4)的输出端与单片芯片(1)的外部输出端RF‑OUT相连接,用于输出放大后的信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张忠祥,陈明生,鲁世斌,范程华,张量,水泉,沈滨翼,靳振龙,许莹莹,
申请(专利权)人:合肥师范学院,安徽易科技术有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。