一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件，所述封装件主要由蚀刻后铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、蚀刻凹槽、锡球、镍钯金镀层组成。本实用新型专利技术具有节约封装成本、以及散热性、电性能和共面性好等特点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件，所述封装件主要由蚀刻后铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、蚀刻凹槽、锡球、镍钯金镀层组成。本技术具有节约封装成本、以及散热性、电性能和共面性好等特点。【专利说明】—种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件
本技术涉及于半导体封装
，具体是一种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件。
技术介绍
随着技术的不断发展，电子封装不但要提供芯片的保护，同时还要在一定的成本下满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求。AAQFN封装在成熟的蚀刻工艺技术基础上，从框架设计、材料选择、焊盘结构优化等方面入手，建立完善的封装工艺技术，不断调整优化，突破窄间距(0.4mm)、超薄型(0.5mm以下)封装技术难点，实现面内I/O布局列阵AAQFN封装,形成成套封装工艺技术，在一定的成本下满足了不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求。以往的AAQFN封装工艺主要是在框架蚀刻凹槽刷Solder mask,然后在引脚植入锡球，而AAQFN 二次塑封与二次植球优化在此基础上代替蚀刻凹槽刷Solder mask，采用二次塑封，二次塑封时不用贴膜，将锡球全部封住，然后采用磨屑的方法将二次塑封体去掉一部分，露出锡球横截面，随后在锡球表面电镀镍钯金，再进行二次植球。从而在低成本要求下满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求，具有明显的技术优势。
技术实现思路
针对上述封装技术存在的问题，本技术提供了一种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件，其在以往AAQFN封装技术的基础上，对产品进行二次塑封与二次植球优化，促进了电子封装技术的发展。本技术的技术方案是:一种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件，主要由蚀刻后铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封体、蚀刻凹槽、锡球、镍钯金镀层组成。所述的蚀刻后铜引线框架是半蚀刻处理，其通过粘片胶粘接芯片，芯片通过键合线与蚀刻后铜引线框架的引脚相连，所述蚀刻后铜引线框架、蚀刻后铜引线框架的引脚、芯片和键合线由塑封体包围连接；所述蚀刻凹槽由蚀刻后铜引线框架底部蚀刻后形成，所述锡球由蚀刻后的引脚底部刷锡膏回流后形成，蚀刻凹槽与锡球由塑封体包围连接；所述锡球的横截面由磨屑形成，锡球的横截面有镍钯金电镀层，所述锡球浸锡回流后在镍钯金电镀层上形成。该封装件的制作工艺主要按照以下步骤进行:铜框架半蚀刻、晶圆减薄、晶圆划片、上芯、压焊、一次塑封、框架背面蚀刻、刷锡膏回流、二次塑封、磨屑部分塑封体、锡球电镀镍钯金、二次植球。AAQFN 二次塑封与二次植球优化在以往技术的基础上进一步改进，无需Soldermask底部填充，二次塑封时不用贴膜，节省了材料的消耗，从而就节约了封装成本;AAQFN二次塑封与二次植球优化通过二次塑封将球全部封住，然后采用磨屑的方法将二次塑封体去掉一部分，露出锡球横截面，在锡表面电镀镍钯金，进行二次植球，可提高导电性、润滑性、耐热性、和表面美观，具有明显的技术优势，能够实现多引脚、高密度、小型薄型化封装，具有散热性、电性能以及共面性好等特点。本技术为无铅、无卤素的环保型先进封装技术，可应用于更大范围的移动、消费电子产品上，满足移动通信和移动计算机领域的便捷式电子机器，如PDA、3G手机、MP3、MP4、MP5等超薄型电子产品发展的需要，是迅速成长起来的一种新型封装技术。说明书附图图1引线框架剖面图； 图2上芯后广品首I]面图；图3压焊后产品剖面图；图4 一次塑封后产品剖面图；图5框架背面蚀刻后产品剖面图；图6锡膏回流焊后产品剖面图；图7 二次塑封后产品剖面图；图8磨屑后产品剖面图；图9锡球截面电锻后广品首I]面图；图10 二次植球后产品剖面图。图中、I为蚀刻后铜引线框架、2为粘片胶、3为芯片、4为键合线、5为第一塑封体、6为蚀刻凹槽、7为第一锡球、8为第二塑封体、9为镍钮金电镀层、10为第二锡球。【具体实施方式】下面结合附图对本技术做进一步详细叙述。如图所示，一种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件，主要由蚀刻后铜引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、第一塑封体5和第二塑封体8、蚀刻凹槽6、第一锡球7和第二锡球10、镍钯金镀层9组成。所述的蚀刻后铜引线框架I是半蚀刻处理，其通过粘片胶2粘接芯片3，芯片3通过键合线4与蚀刻后铜引线框架I的引脚相连，所述蚀刻后铜引线框架1、蚀刻后铜引线框架I的引脚、芯片3和键合线4由第一塑封体5包围连接；所述蚀刻凹槽6由蚀刻后铜引线框架I底部蚀刻后形成，所述第一锡球7由蚀刻后的引脚底部刷锡膏回流后形成，蚀刻凹槽6与第一锡球7由第二塑封体8包围连接；所述第一锡球7的横截面由磨屑形成，第一锡球7的横截面有镍钯金电镀层9，所述第二锡球10浸锡回流后在镍钯金电镀层9上形成。如图所示，一种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件的制作工艺，其按照以下步骤进行:第一步、铜引线框架蚀刻:将铜引线框架进行半蚀刻，依据芯片pad分布结构，通过成熟的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺，在铜板正面蚀刻出载体，互连线，I/O Pad,确定I/O Pad大小，脚间距和它们各自的位置；如图1所示；第二步、晶圆减薄和划片:在晶圆正面贴上胶膜，然后在专用减薄机上进行减薄达到工艺要求；减薄完的晶圆清洗经检验合格后，去掉正面胶膜，在晶圆背面贴上胶膜后再进行划片，将晶圆划成单个IC芯片；第三步、上芯:使用专用上料夹，用点胶头均匀的将粘片胶2 (导电胶或绝缘胶)点在蚀刻后铜引线框架I的PAD上，吸嘴将承片台上的芯片3吸起放置到已点好粘片胶2的蚀刻后铜引线框架I上，粘片后框架自动送到弹夹中；如图2所示；第四步、压焊:在专用压焊机上，键合线4采用金线或铜线，通过球焊把芯片3上的焊盘(PAD)和蚀亥Ij后铜引线框架I的引脚相连，形成了电路的电源和信号通道；如图3所示；第五步、一次塑封:采用塑料包封系统将压焊后的产品自动传送到塑封模具中，用第一塑封体5对压焊后的产品进行包封，随后进行固化；如图4所示；第六步、框架背面蚀刻:对蚀刻后铜引线框架I进行背面蚀刻，将选定的露铜部分蚀刻掉，进行引脚分离；如图5所示；第七步、刷锡膏回流:在蚀刻后引脚底部进行钢网刷锡膏，形成的锡膏进行回流焊后形成第一锡球7 ;如图6所示；第八步、二次塑封:用第二塑封体8完全包封第一锡球7与底部蚀刻凹槽6，随后进行固化；如图7所示；第九步、磨屑部分塑封体、锡球电镀镍钯金、二次植球:采用磨屑的方法将二次第二塑封体8去掉一部分，露出第一锡球7横截面，然后在第一锡球7横截面上电镀镍钯金形成镍钯金电镀层9，再通过浸锡回流在镍钯金电镀层9上植入第二锡球10 ;如图8、图9和图10。【权利要求】1.一种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件，其特征在于:主要由蚀刻后铜引线框架(I)、粘片胶(2)、芯片(3)、键合线(4)、第一塑封体(5)和第二塑封体(8)、蚀刻凹槽(6)、第一锡球(7)和第二锡球(10)、镍钯金电镀层(9)组成；所述的蚀刻后铜引线框架(I)是半蚀刻处理，其通过粘片胶(2)粘接芯片(3)，芯片(3)通过键合线(4)与蚀刻后铜引线框架(I)的引脚相连，所述蚀刻后铜引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件，其特征在于：主要由蚀刻后铜引线框架（1）、粘片胶（2）、芯片（3）、键合线（4）、第一塑封体（5）和第二塑封体（8）、蚀刻凹槽（6）、第一锡球（7）和第二锡球（10）、镍钯金电镀层（9）组成；所述的蚀刻后铜引线框架（1）是半蚀刻处理，其通过粘片胶（2）粘接芯片（3），芯片（3）通过键合线（4）与蚀刻后铜引线框架（1）的引脚相连，所述蚀刻后铜引线框架（1）、蚀刻后铜引线框架（1）的引脚、芯片（3）和键合线（4）由第一塑封体（5）包围连接；所述蚀刻凹槽（6）由蚀刻后铜引线框架（1）底部蚀刻后形成，所述第一锡球（7）由蚀刻后的引脚底部刷锡膏回流后形成，蚀刻凹槽（6）与第一锡球（7）由第二塑封体（8）包围连接；所述第一锡球（7）的横截面由磨屑形成，第一锡球（7）的横截面有镍钯金电镀层（9），所述第二锡球（10）浸锡回流后在镍钯金电镀层（9）上形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王虎，谌世广，刘卫东，朱文辉，徐召明，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：实用新型
国别省市：