基板处理方法技术

本发明专利技术揭示一种基板处理方法。该方法包括：基板提供步骤，提供形成有第一薄膜及第二薄膜的基板；蚀刻副产物形成步骤，向该基板上提供顶部流动蚀刻气体，在第一薄膜的顶部面形成蚀刻副产物；第一薄膜蚀刻步骤，对该基板进行热处理，去除该蚀刻副产物，蚀刻该第一薄膜；任选的去除步骤，向该基板上提供底部流动蚀刻气体，视需要去除该第一薄膜及该第二薄膜中剩余的一个。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法
本专利技术系关于半导体制造方法，特定而言，系关于在一腔室内，针对多个薄膜控制其各自蚀刻选择比的基板处理方法。现有技术存储元件或显示元件可包括在基板上层迭的多个薄膜。多个薄膜可借助于光刻步骤及蚀刻步骤而形成图案。蚀刻步骤可包括干式蚀刻方法或湿式蚀刻方法。蚀刻步骤根据对各个薄膜的蚀刻选择比执行。蚀刻选择比可根据蚀刻气体或蚀刻液之固有特性决定。当去除薄膜时，应投入相应腔室内进行蚀刻。因此，先前之基板处理方法具有生产率下降的缺点。
技术实现思路
[要解决的技术问题]本专利技术要实现之技术问题在于提供一种能够在一腔室内，针对多个薄膜分别调节蚀刻选择比的基板处理方法。另外，本专利技术的另一问题在于提供一种能够使生产率及生产收率提高的基板处理方法。[问题的解决手段]本专利技术实施方式之基板处理方法包括：基板提供步骤，其提供形成有第一薄膜及第二薄膜的基板；蚀刻副产物形成步骤，其向该基板上提供顶部流动蚀刻气体，在第一薄膜之顶部面形成蚀刻副产物；第一薄膜蚀刻步骤，其对该基板进行热处理，去除该蚀刻副产物，蚀刻该第一薄膜；以及任选的去除步骤，其向该基板上提供底部流动蚀刻气体，视需要去除该第一薄膜及该第二薄膜中剩余的一个。根据本专利技术之一实施方式，该第一薄膜可包括氧化硅膜。根据本专利技术之另一实施方式，该第二薄膜可包括多晶硅或氮化硅膜。根据本专利技术之一实施方式，该顶部流动蚀刻气体及该底部流动蚀刻气体可包括三氟化氮。根据本专利技术之另一实施方式，该三氟化氮可经受远程等离子处理。根据本专利技术之一实施方式，该蚀刻副产物可包括氨、氢氟酸或硅。根据本专利技术之另一实施方式，该基板之热处理可于100℃执行。根据本专利技术之一实施方式，在提供该顶部流动蚀刻气体及该底部流动蚀刻气体时，可提供活性气体或反应气体。根据本专利技术之另一实施方式，该活性气体可包括氧气。根据本专利技术之一实施方式，该反应气体可包括氢气或氮气。本专利技术之另一实施方式的基板处理方法包括：基板载入步骤，将形成有第一薄膜及第二薄膜之基板载入腔室内；薄膜去除步骤，向该腔室内提供顶部流动蚀刻气体或底部流动蚀刻气体中之一，去除该第一薄膜及该第二薄膜中之一；以及剩余薄膜去除步骤，向该腔室内提供该顶部流动蚀刻气体或该底部流动蚀刻气体中剩余的一个，去除该第一薄膜与该第二薄膜中剩余的一个。根据本专利技术之一实施方式，该顶部流动蚀刻气体及该底部流动蚀刻气体可包括经受远程等离子处理之三氟化氮。根据本专利技术之另一实施方式，该顶部流动蚀刻气体可在该第一薄膜或该第二薄膜上形成蚀刻副产物。根据本专利技术之一实施方式，亦可包括去除该蚀刻副产物的步骤。根据本专利技术之另一实施方式，该蚀刻副产物去除步骤可包括该基板的热处理步骤。根据本专利技术之一实施方式，该三氟化氮可与反应气体或活性气体混合提供于该腔室内。根据本专利技术之另一实施方式，该反应气体可包括氢气或氮气。根据本专利技术之一实施方式，该活性气体可包括氧气。根据本专利技术之另一实施方式，该第一薄膜及第二薄膜可分别包括氧化硅膜及多晶硅。根据本专利技术之一实施方式，该第一薄膜及第二薄膜可分别包括氧化硅膜及氮化硅膜。[专利技术效果]本专利技术实施方式的基板处理方法可包括绝缘层与半导体层之表面氧化步骤、蚀刻步骤及热处理步骤。表面氧化步骤可为在半导体层的第一顶部表面形成封口绝缘层的步骤。蚀刻步骤可为使该封口绝缘层及该绝缘层形成蚀刻副产物的步骤。热处理步骤可为去除蚀刻副产物的步骤。因此，本专利技术实施方式的基板处理方法可容易地调节绝缘层与半导体层的蚀刻断差。附图说明图1为显示用于说明本专利技术的基板处理方法之基板处理装置的图。图2为显示本专利技术实施方式的基板处理方法之流程图。图3至图7为图2的基板处理方法的工艺剖面图。图8为比较显示顶部流动蚀刻气体的不同供应流量下的氧化硅膜与多晶硅之蚀刻量的图表。图9为比较显示底部流动蚀刻气体的不同供应流量下的氧化硅膜与多晶硅之蚀刻量的图表。具体实施方式本专利技术的实施方式提供用于向本领域技术人员更完整地说明本专利技术，以下实施方式可变形为多种不同形态，本专利技术的范围并非限定于以下实施方式。相反，该等实施方式使本公开更充分、完整，提供用于向本领域技术人员完整地传递本专利技术的思想。另外，附图中各层之厚度或大小系为说明之便利及明确性而进行夸示。在通篇说明书中，当提及诸如区域、半径、距离等之一构成要素与其他构成要素「连续」、「连接」或「联结」时，可解释为，该构成要素直接与其他构成要素「连续」、「连接」或「联结」接触，或者存在介于其之间的另外构成要素。相反，当提及一构成要素与其他构成要素「直接连续」、「直接连接」或「直接联结」时，解释为不存在介于其之间的其他构成要素。相同符号指代相同要素。如同在本说明书中使用的一样，术语「及/或」包括相应列举的项目中任一者及一者以上的所有组合。在本说明书中，第一、第二等术语用于说明各种构件、配件、区域、面积等，但该等构件、配件、区域、面积并非由该等术语所限定，此为不言而喻的。该等术语仅用于将一构件、配件、区域、层或部分区别于其他区域、层或面积。因此，以下将详述的第一构件、配件、区域、面积，在不超出本专利技术所指的情况下，可指称第二构件、配件、区域、面积。另外，诸如「相邻」或「邻接」的相对性术语正如附图中图示的一样，在此可用于记述某种要素的相对于其他要素的关系。相对性术语可理解为，在附图中描绘方向之基础上，进一步包括元件的其他方向。若元件朝向其他方向(相对于其他方向旋转90度)，则在本说明书中使用的相对性说明可按照此进行解释。本说明书中使用的术语用于说明特定实施方式，而非用于限制本专利技术。如在本说明书中使用的一样，只要语句中未明确指出，则单数形态亦可包括复数的形态。另外，本说明书中使用的「包括(comprises)」及/或「包含的(comprising)」，是特别确定提及的形状、数字、步骤、动作、构件、要素及/或其组的存在，不排除一个以上的其他形状、数字、动作、构件、要素及/或其组的存在或附加。下面参照附图说明本专利技术的实施方式，该等附图概略地图示本专利技术之理想实施方式。在附图中，例如，根据制造技术及/或公差(tolerance)，预计图示之形状可能有所变化。因此，本专利技术的实施方式不得解释为限定于在本说明书中图示的区域的特定形状，例如，应包括制造上导致的形状的变化。图1为显示用于说明本专利技术的基板处理方法之基板处理装置的图。如图1所示，基板处理装置可包括腔室(100)、气体供应部(200)及控制部(300)。腔室(100)提供相对于外部密闭的空间。真空泵(140)对腔室(100)内部的空气进行泵送。腔室(100)可包括加热器(110)、升降销(120)及挡板(130)。加热器(110)可加热基板(112)。控制部(300)可应答温度传感器(未图示)的感知信号，控制加热器(110)的温度。基板(112)可借助于升降机(120)而装载于加热器(110)上。升降机(120)在卸载时可使基板(112)从加热器(110)升降。挡板(130)可将腔室(100)分离成激活区域(132)与反应区域(134)。激活区域(132)是提供活性气体、第一反应气体及第二反应气体的区域。激活区域(132)可区分为顶部区域(131)与底部区域(133)。顶部区域(131)为等离子发生区域。活性气体、第一反应气体及第二反应气体可借助本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其特征在于包括：基板提供步骤，提供形成有第一薄膜及第二薄膜的基板；蚀刻副产物形成步骤，向该基板上提供顶部流动蚀刻气体，在第一薄膜的顶部面形成蚀刻副产物；第一薄膜蚀刻步骤，对该基板进行热处理，去除该蚀刻副产物，蚀刻该第一薄膜；以及任选的去除步骤，向该基板上提供底部流动蚀刻气体，视需要去除该第一薄膜及该第二薄膜中剩余的一个。

【技术特征摘要】
2012.10.17 KR 10-2012-01154271.一种基板处理方法，其特征在于包括：基板载入步骤，将形成有第一薄膜及第二薄膜的基板载入腔室内；薄膜去除步骤，向该腔室内提供顶部流动蚀刻气体或底部流动蚀刻气体中之一，去除该第一薄膜及该第二薄膜中之一；以及剩余薄膜去除步骤，向该腔室内提供该顶部流动蚀刻气体或该底部流动蚀刻气体中剩余的一个，去除该第一薄膜与该第二薄膜中剩余的一个；所述提供该顶部流动蚀刻气体或该底部流动蚀刻气体中剩余的一个，去除该第一薄膜与该第二薄膜中剩余的一个，是在所述提供顶部流动蚀刻气体或底部流动蚀刻气体中之一，去除该第一薄膜及该第二薄膜中之一之后...

【专利技术属性】
技术研发人员：金秉勋，李昔宗，
申请(专利权)人：PSK有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR