三维集成的多层堆叠结构微屏蔽MEMS滤波器组制造技术

本发明专利技术提供了一种三维集成的多层堆叠结构微屏蔽MEMS滤波器组，包括以下特征：所述滤波器组包括2个滤波器分别为A滤波器和B滤波器、4层衬底材料，A滤波器结构包括自下而上A衬底和B衬底，B滤波器结构包括自下而上C衬底和D衬底；B衬底和C衬底之间的金属面为滤波器组提供信号输入输出；2个滤波器的信号分别单独引出。优点：利用MEMS工艺将2个独立的MEMS滤波器进行三维单片集成，缩小了传统滤波器组件的面积，且易于实现集成，采用全密封腔结构，减小了微波泄漏，同时避免了在芯片分离等后道工艺中水流、碎屑等对芯片内部结构的污染；提供了一种将2个滤波器纵向集成的解决方案，可扩展到多个滤波器组的集成。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
三维集成的多层堆叠结构微屏蔽MEMS滤波器组，其特征是包括A滤波器、B滤波器；所述的A滤波器包括A衬底和B衬底，其中在A衬底上表面沉积金属形成A微波耦合线谐振器、A信号引入传输线、A信号引出传输线及A接地金属面；将A衬底上表面和B衬底下表面对准，利用MEMS对准键合工艺形成A滤波器；所述的B滤波器包括C衬底和D衬底，在C衬底上表面上沉积金属形成B微波耦合线谐振器、B信号引入传输线、B信号引出传输线及B接地金属面，将C衬底上表面和D衬底下表面对准，利用MEMS对准键合工艺形成B滤波器；制作时，将A滤波器的B衬底上表面与B滤波器的C衬底下表面对准，利用MEMS对准键合工艺制成一体，并在A微波耦合线谐振器和B微波耦合线谐振器外侧区域由D衬底至A衬底自上而下刻蚀接地通孔阵列，对该接地通孔阵列进行电镀在通孔侧壁沉积金属，最终实现三维集成的多层堆叠结构微屏蔽MEMS滤波器的制作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郁元卫，侯芳，朱健，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32