一种带焊球面阵列四面扁平无引脚封装件制造技术

技术编号:10006417 阅读:295 留言:0更新日期:2014-05-04 01:38
本实用新型专利技术提供了一种带焊球面阵列四面扁平无引脚封装件,包括并排设有多个凹槽的裸铜框架,两端凹槽外侧为第一引脚,凹槽底部为第二引脚,位于两端的第二引脚通过连接体与和该第二引脚相邻的第一引脚相连接,其余第二引脚下设有与连接层,第一引脚下还设有一个与该第一引脚相连的连接层,连接层和连接体上设有焊球;连接体与连接层之间的空隙内、连接层之间的间隙内填充有钝化体;裸铜框架正面倒装有IC芯片,芯片凸点位于凹槽内,其底端与凹槽底部相连接,芯片凸点与凹槽之间填充有下填料,裸铜框架正面塑封有塑封体。该封装件可以替代基板生产的CPS,实现IC芯片灵活应用于引线框架的CSP封装;减小框架的厚度,满足薄型封装要求。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种带焊球面阵列四面扁平无引脚封装件,包括并排设有多个凹槽的裸铜框架,两端凹槽外侧为第一引脚,凹槽底部为第二引脚,位于两端的第二引脚通过连接体与和该第二引脚相邻的第一引脚相连接,其余第二引脚下设有与连接层,第一引脚下还设有一个与该第一引脚相连的连接层,连接层和连接体上设有焊球;连接体与连接层之间的空隙内、连接层之间的间隙内填充有钝化体;裸铜框架正面倒装有IC芯片,芯片凸点位于凹槽内,其底端与凹槽底部相连接,芯片凸点与凹槽之间填充有下填料,裸铜框架正面塑封有塑封体。该封装件可以替代基板生产的CPS,实现IC芯片灵活应用于引线框架的CSP封装;减小框架的厚度,满足薄型封装要求。【专利说明】一种带焊球面阵列四面扁平无引脚封装件
本技术属于电子信息自动化元器件
,涉及一种AAQFN封装件,具体涉及一种带焊球面阵列四面扁平无引脚(AAQFN)封装件。
技术介绍
长期以来,受蚀刻模板及蚀刻工艺技术的限制,常规QFN产品一直延续着20世纪90年代开发的单圈(I圈)引线框架模式。由于限制在单圈封装,故产品引脚少,及I/ O少,满足不了高密度、多I/ O封装的需求。近两年国内已开始研发多圈QFN,但由于框架制造工艺难度较大,只有个别国外供应商能设计、生产,而且受相关公司专利的限制,相对引脚较少,研发周期长。因此,虽然相比采用基板生产焊球作为输出的BGA封装,引线框架多圈QFN封装效率高,而且成本相对低,运用灵活封装,但多圈QFN限于引线框架制造商,不能满足短、平、快以及不同芯片的灵活应用的要求。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种带焊球面阵列四面扁平无引脚封装件,摆脱引线框架制造商的限制,生产满足短、平、快以及不同芯片灵活应用要求的封装件。为实现上述目的,本技术所采用的技术方案是:一种带焊球面阵列四面扁平无引脚封装件,包括裸铜框架,裸铜框架正面并排设有多个凹槽,处于两端的凹槽的外侧为第一引脚,每个凹槽底部均为第二引脚,所有的第二引脚互不相连,所有第二引脚中位于两端的第二引脚通过连接体与和该第二引脚相邻的第一引脚相连接,其余的第二引脚下面均设有与该第二引脚相连的连接层,第一引脚的下面还设有一个与该第一引脚相连的连接层,每个连接层上均设有一个焊球,每个连接体表面也均设有一个焊球;所有的连接层和连接体互不相连,相邻连接体与连接层之间的空隙内填充有钝化体,相邻连接层之间的间隙内填充有钝化体;裸铜框架正面倒装有带凸点的IC芯片,芯片凸点位于凹槽内,芯片凸点底端与凹槽底部相连接,芯片凸点与凹槽之间的缝隙内填充有下填料,裸铜框架正面塑封有塑封体。相邻凹槽之间为引脚隔墙,引脚隔墙与第二引脚不相连。本技术封装件可以替代基板生产的CPS,实现IC芯片灵活应用于引线框架的CSP封装;其生产成本和开发周期,远低于基板封装,具有较大的优势。摆脱引线框架制造商的限制,生产短、平、快以及不同芯片灵活应用要求的封装件,减小框架的厚度,满足薄型封装要求。【专利附图】【附图说明】图1是本技术封装件中裸铜框架上涂覆光刻胶的剖面示意图。图2是本技术封装件中曝光显影做出图案并坚膜的剖面示意图。图3是本技术封装件中在裸铜框架上刻蚀出凹槽的剖面示意图。图4是本技术封装件中在裸铜框架上涂覆第一钝化层并刻出UBMl窗口的剖面示意图。图5是本技术封装件中在凹槽内高频溅射多层金属形成UBMl层的剖面示意图。图6是图5中P处方大图。图7是本技术封装件中倒装上芯及下填充的剖面示意图。图8是本技术封装件中塑封及后固化的剖面示意图。图9是本技术封装件中涂覆第二钝化层并刻蚀后的剖面示意图。图10是本技术封装件中引线框架背面刻蚀出第三凹槽并去除第二钝化层的剖面示意图。图11是本技术封装件中涂覆第三钝化层并刻蚀第四凹槽的剖面示意图。图12是本技术封装件中在第三钝化层表面镀金属层并刻蚀第四凹槽的剖面示意图。图13是本技术封装件中涂覆第四钝化层并刻蚀第五凹槽的剖面示意图。图14是本技术封装件中底部溅射多层金属形成UBM2层的剖面示意图;图15是本技术封装件中植球、回流焊后的剖面示意图。图中:1.裸铜框架,2.下填料,3.1C芯片,4.芯片凸点,5.引脚隔墙,6.塑封体,7.钝化体,8.锡球,9.连接层,10.焊料,11.第一引脚,12.第二引脚,13.光刻胶层,14.第一凹槽,15.第二凹槽,16.第一钝化层,17.UBM1窗口,18.UBM1层,18.第二钝化层,20.第一图案凹槽,21.第三凹槽,22.第三钝化层,23.第二图案凹槽,24.第一金属层,25.第四凹槽,26.第四钝化层,27.第五凹槽,28.UBM2层,a.Cu金属层,b.Ni金属层,c.Au金属层。【具体实施方式】下面结合附图和【具体实施方式】对本技术进行详细说明。如图1所示,本技术封装件,包括裸铜框架1,裸铜框架I正面并排设有多个凹槽,相邻凹槽之间为引脚隔墙5,处于两端的凹槽的外侧为第一引脚11,每个凹槽的底部均为第二引脚12,所有的第二引脚12互不相连,引脚隔墙5与第二引脚12不相连,所有第二引脚12中位于两端的第二引脚12通过连接体与和该第二引脚12相邻的第一引脚11相连接,其余的第二引脚12下面均设有与该第二引脚相连的连接层9,第一引脚11的下面还设有一个与该第一引脚11相连的连接层9,每个连接层9表面均设有一个焊球8,每个连接体表面也均设有一个焊球8 ;所有的连接层9和连接体互不相连,相邻连接体与连接层9之间的空隙内填充有钝化体7,相邻连接层9之间的间隙内填充有钝化体7 ;裸铜框架I正面倒装有带凸点的IC芯片3,IC芯片3上的芯片凸点4分别位于不同的凹槽内,芯片凸点4底端与凹槽底部相连接,芯片凸点4与凹槽之间的缝隙内填充有下填料2,裸铜框架I正面塑封有塑封体6,IC芯片3和裸铜框架I正面位于塑封体6内。本技术封装件的生产方法:步骤1:晶圆减薄划片、在裸铜框架上涂覆光刻胶使用8吋?12吋的减薄机,采用粗磨、细精磨抛光防翘曲工艺,将带凸点的晶圆减薄至200?250 μ m,粗磨速度6 μ m/s,精磨速度1.0 μ m/s ;采用A-WD-300TXB划片机进行划片,划片进刀速度< lOmm/s ;形成IC芯片3 ;采用匀胶机或涂覆机,在裸铜框架I的正面均匀涂覆一层厚度至少为10 μ m的光刻胶(正负性均可),形成光刻胶层13,如图2所示,然后在60°C?70°C的温度下烘烤25±5分钟;步骤2:曝光显影坚膜在曝光机上对已涂覆光刻胶的裸铜框架I进行对准曝光,然后显影、定影,去除曝光区域的光刻胶,使光刻胶层13上形成多个并排的第一凹槽14,各第一凹槽14所在位置的裸铜框架I露出,露出的裸铜框架I区域显示出图案,之后在120°C ±5°C的温度下坚膜30±5秒,如图3所示;步骤3:蚀刻第二凹槽将坚膜后的裸铜框架I置于蚀刻、清洗一体机上,使光刻胶层13向上,向下喷淋腐蚀液(酸性或碱性),在露出的裸铜框架I正面蚀刻出需要的图形,即在裸铜框架I正面形成多个并排的第二凹槽15,相邻两第二凹槽15之间有引脚隔墙5,然后去除剩余的光刻胶层13,如图4所示;步骤4:涂覆第一钝化层及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:朱文辉徐冬梅慕蔚邵荣昌
申请(专利权)人:天水华天科技股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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