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朱元勋专利技术
朱元勋共有1项专利
一种碳化硅衬底垂直结构簿膜电子器件及其制作方法技术
本发明涉及一种碳化硅衬底垂直结构簿膜电子器件的制作方法,包括如下步骤:S1.在碳化硅衬底上进行离子注入,将碳化硅衬底由下至上分成衬底主体层、离子损伤层和以及位于离子损伤层上表面的碳化硅薄膜层;S2.在碳化硅薄膜层上制作电子器件层;S3....
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