住友电气工业株式会社专利技术

住友电气工业株式会社共有4752项专利

  • 一种软磁性材料,其包含多个复合磁性颗粒(30),每个所述复合磁性颗粒都包含铁基颗粒(10)和包围所述铁基颗粒(10)的表面的绝缘涂膜(20)。所述绝缘涂膜含有衍生自有机酸的有机基团,其中所述有机酸含有选自由钛、铝、硅、钙、镁、钒、铬、锶...
  • 本发明提供一种光纤连接器、以及该光纤连接器至带外皮光纤的安装方法,其可以使内置光纤至插芯的安装作业、带外皮光纤的前端侧的外皮去除作业、以及光纤连接器至带外皮光纤的安装作业高效化,另外,也可以防止在光纤连接器内的传输特性的下降。光纤连接器...
  • 本发明涉及一种柔性印刷布线板。柔性印刷布线板(1)具有基板(2)、导体布线(3、4)、覆盖膜(5)、跨接布线(11)以及贯通孔(9、10)。导体布线(3、4)被提供在基板(2)的第一表面(2a)上。覆盖膜(5)覆盖导体布线(3、4)的至...
  • 本发明提供了一种半导体激光器装置以及控制半导体激光器的方法。该半导体激光器装置包括:半导体激光器,其具有反射器区域、用于激光振荡的增益区域、以及多个折射率控制器,所述反射器区域具有多个分段,其中衍射区域和空间区域彼此耦接,多个分段被分成...
  • 本发明提供一种绝缘膜确实地贴合在引线导体上的可靠性高的引线部件、带引线部件蓄电装置以及引线部件的制造方法。引线部件(21)是这样形成的:将一对绝缘膜(23)的各粘接层(23b)隔着引线导体(22)被热融接而相互贴合,引线导体(22)由厚...
  • 本发明提供一种导电性糊剂,其是通过将导电性粒子捏合到环氧树脂中获得的,其具有良好的通路孔填充能力,并能够形成甚至在高温和高湿度环境中连接电阻不随时间变化的连接部分。本发明也提供使用该导电性糊剂制造多层印刷布线板的方法。一种导电性糊剂,其...
  • 本发明提供一种同轴电缆束,其在确保良好的电气特性的同时进行高密度安装。同轴电缆束具有连接有多根同轴电缆的中继基板,在中继基板上排列多个信号线部及接地线部,在与同轴电缆连接侧的相对侧的端部,以相等间隔(P)排列信号线部及接地线部,与同轴电...
  • 本发明提供机械特性和表面精度优异的镁合金材料如镁合金铸造材料或镁合金压延材料、能够稳定制造上述材料的制造方法、利用所述压延材料的镁合金成型制品及其制造方法。本发明提供镁合金材料制造方法,其包括在熔炉中熔化镁合金以得到熔融金属的熔化步骤、...
  • 本发明提供一种引线部和玻璃之间的密合性优良的冷阴极荧光灯用电极部件及其制造方法。电极部件(10)具有电极部(11)、引线部(12)以及玻璃部(13)。引线部(12)的至少表面侧由含铁的金属构成,在该引线部(12)的表面中被玻璃部(13)...
  • 本发明通过在引线部件的导体中使用难以生成切削毛刺或切削粉的硬质材料,从而提供长期可靠性和操作性得到改善的用于非水电解质蓄电装置的引线部件、以及使用了该引线部件的非水电解质蓄电装置。引线部件3、4是通过使绝缘膜5从两面贴合到箔状引线导体上...
  • 本发明提供一种具有优越强度且可以廉价地进行制造的光纤、以及可以制造这种光纤的方法。光纤(1)是石英玻璃类的光纤,包含纤芯区域(11)、包围纤芯区域(11)的光学包层区域(12)和包围光学包层区域(12)的护套区域(13)。护套区域(13...
  • 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下...
  • 本发明公开了制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底以及外延晶片,所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底易于加工且能实现处于混合晶体状态的Si(1-v-w-x...
  • 本发明提供实现常闭状态特性的高电子迁移率晶体管。沟道层(25)设置于第一势垒层(27)上,并且与第一势垒层(27)形成第一异质结(33)。另外,沟道层(25)内包含压缩应变,沟道层(25)的压电电场(PZC2)是从支撑基体(13)朝向第...
  • 本发明公开了Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、外延晶片及它们的制造方法,所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底实现了高结晶度和低成本。本发明的制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法包括准备异质衬底(11)和在所...
  • 本发明提供一种配线板及其制造方法、配线板的连接构造及其连接方法,不需要冷藏保存导电性粘接剂,所以容易管理,容易进行连接作业,连接稳定性高。具备连接电极部的配线板具有:基材;第1绝缘性树脂粘接剂层,其层叠形成在该基材上;导电性配线图案层,...
  • 提供一种具有缺陷密度减少的有源层的碳化硅半导体器件及其制造方法,该有源层形成在由碳化硅制成的衬底上。半导体器件(1)包括:衬底(2),其由碳化硅制成且相对于面取向{0001}具有不小于50°且不大于65°的偏离角;缓冲层(21);以及外...
  • 提供了一种当光分布控制面板被应用于安装在可移动单元上的显示装置时能够抑制在可移动单元中的玻璃表面上的反射的光分布控制面板,和一种其中使用光分布控制面板的用于安装在可移动单元上的显示装置。光分布控制面板(1)包括用作由透光材料制成的板状或...
  • 本发明涉及一种平面型光波导通路的量产性优良的光波导通路制造方法。在集束工序中,对分别具有杆(21)或者管(22)的形状的多根部件(20)在以如下方式进行排列的状态下进行捆束,其中,它们被排列为在与它们的长度方向垂直的剖面上,形成与期望的...
  • 本发明提供了一种MOSFET(1),其能够实现减少制造工艺的步骤数目以及提高集成度,其包括:SiC晶片(10),其由碳化硅构成;以及源接触电极(16),其被布置成与SiC晶片(10)接触并且包含钛、铝、硅和碳以及其余不可避免的杂质。Si...