本公开提供减小晶体管内的温度分布的半导体装置。半导体装置具备：基板；半导体层，设于所述基板上；栅电极(14)，设于所述半导体层上；漏电极(16)，设于所述半导体层上；源电极(12)，设于所述半导体层上，使所述栅电极配置于所述漏电极与所述...

半导体装置具备：布线基板，形成有贯通两个主面的开口，并被构成为包含绝缘材料；金属基底，以从主面侧堵塞开口的方式固定于布线基板；半导体芯片，固定于金属基底的主面上的开口的内侧；树脂，从布线基板的主面上到金属基底的主面上的开口的内侧，以覆盖...

本公开涉及半导体装置及其制造方法。本公开提供能抑制在晶体管中产生的热向元件传导的半导体装置。半导体装置具备：碳化硅基板(10a)；氮化物半导体层(10b)，设于所述碳化硅基板的上表面；晶体管(20)，设于所述氮化物半导体层上；以及元件，...

无源元件具备：半导体基板、第一绝缘膜、第一金属焊盘、第一导电体以及第一导电膜。半导体基板具有p型或n型的导电型，具有主面和背面。第一绝缘膜设于半导体基板的主面中的第一区域上。第一金属焊盘设于第一绝缘膜上。第一导电体从第一金属焊盘起在第一...

本公开提供能抑制基板与布线之间的漏电流的电子器件。电子器件具有：基板；第一氮化硅膜，设于所述基板之上；氧化硅膜，设于所述第一氮化硅膜之上；电容器，设于所述氧化硅膜之上；以及布线，电连接于所述电容器，所述布线与所述第一氮化硅膜分离，在俯视...

本公开提供一种即使减小材料成本也能抑制散热性的下降的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板，具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面；以及第一导电体层，覆盖所述第二主面，包含树枝状晶体，在所述基板形成有贯通所述基板并...

本公开提供能提高耐湿性的半导体装置、单片微波集成电路、半导体封装件以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体基板；半导体元件，形成于半导体基板之上；第一绝缘膜，覆盖半导体元件；第二绝缘膜，形成于第一绝缘膜之上；以及第三绝缘膜，形成...

本公开提供一种能提高下部电极与上部电极之间的耐压的稳定性的半导体装置。半导体装置具有：基板，具有第一上表面；半导体层，设于所述基板之上；第一绝缘体层，设于所述半导体层之上，具有第二上表面；下部电极，设于所述第一绝缘体层之上；电介质层，设...

波长可调谐激光器具备：沿着光的传播方向交替配置的增益区域以及波长控制区域；与所述增益区域和所述波长控制区域分别对应地配置的衍射光栅；以及在所述增益区域和所述波长控制区域的边界

本公开提供能抑制漏电流的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体层；第一绝缘膜，设于所述半导体层之上，形成有第一开口；欧姆电极，经由所述第一开口与所述半导体层欧姆接触；栅电极，设于所述第一绝缘膜之上；以及第二绝缘膜，覆...

本发明提供能改善耐压的电容器及其制造方法。电容器具备：基板(10)；第一电极(14)，设于基板上；电介质膜(16)，设于第一电极上；第二电极(18)，设于电介质膜上，在从基板的上表面的法线方向上的上方看去的俯视观察时，第二电极的外周(5...

本发明涉及抑制电容器的电特性的劣化的电容器及其制造方法。该电容器具备：基板(10)；第一电极(14)，设于所述基板上；电介质膜(16)，设于所述第一电极上；第二电极(18)，设于所述电介质膜上；第三电极(20)，在下表面中的至少一部分的...

为了抑制热的干扰，本公开的半导体装置具备：源极母线(22)，设于基板(10)的第一面，从所述基板的厚度方向观察与贯通所述基板的第一过孔(32)重叠；多个第一晶体管，具备在第一方向上延伸并设于所述第一面的第一源极指(12a)、第一漏极指(...

本公开的半导体装置具备：基底，搭载有半导体元件；第一端子，与构成基底的周缘的第一缘部分离地配置，从基底的厚度方向观察时与第一缘部重叠；以及导通构件，使半导体元件与第一端子电连接，第一区域与第一端子之间的沿着厚度方向的距离比厚度方向上的第...

本公开提供即使在具有进行了长尺寸化的外形的情况下也能适当地进行卡合解除的光收发器。一个实施方式的光收发器是沿着第一方向插入至装置并与装置卡合的光收发器。光收发器具备：壳体，具有在与装置卡合的状态下露出于装置的外部的露出部和容纳于装置的内...

公开了一种用于无线通信的双频带预失真系统。本公开的各种实施例涉及用于信号预失真的发射器系统、方法和指令。发射器系统包括：信号分解模块，其被配置为从输入信号(S

公开了一种用于无线通信的具有目标频谱发射的预失真系统。本公开的各种实施例涉及用于信号预失真的发射器系统、方法和指令。该发射器系统包括被配置为对检测到的反馈信号(Y

公开了一种用于无线通信的双层预失真系统。本公开的各种实施例涉及用于信号预失真的发射器系统、方法和指令。发射器系统包括初级数字预失真(DPD)层和次级DPD层。初级DPD层包括被配置为基于将次级预失真信号(U

放大器具备：放大电路(10)，该放大电路的特性随着热过程而发生变化；以及偏置电路(20)，具备经过与所述放大电路的热过程对应的热过程的元件，向所述放大电路供给偏置电压，其中，所述偏置电压基于根据所述元件的热过程发生变化的所述元件的特性而...

本公开涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件具备：封装件，具有上表面和下表面；半导体元件，配置于封装件内；以及基底，配置于封装件内，搭载半导体元件，基底的上表面在封装件的上表面露出，基底的下表面在封装件的下表面露出。装件的下...